The invention discloses a method for making dynamic random access memory, which includes providing a base and then forming a first mask layer. The steps of forming the first mask layer include forming a silicon nitride layer containing hydrogen first, then forming a silicon oxide layer covering and contacting the silicon nitride layer containing hydrogen. The chemical formula of the silicon nitride layer containing hydrogen is SixNyHz, the value of X is between 4 and 8, and the value of Y. The value is between 3.5 and 9.5, and the value of Z is equal to 1. Then the first mask layer is patterned to form a patterned first mask layer. Then the first mask layer is patterned to form a character line groove, and the base is etched to form a character line groove. Then the patterned first mask layer is completely removed, and finally a character line is formed in the character line groove.
【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器的制作方法
本专利技术涉及一种动态随机存取存储器的制作方法,特别是涉及一种避免字符线断裂的制作方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)属于一种挥发性存储器,其是由多个存储单元构成。每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成,且每一个存储单元通过字符线与位线彼此电连接。为提高动态随机存取存储器的集成度以加快元件的操作速度,以及符合消费者对于小型化电子装置的需求,近年来发展出埋入式字符线(buriedwordline),以满足上述种种需求。在制作埋入式字符线时,需要形成字符线沟槽,使用传统制作工艺所形成的字符线沟槽经常发生字符线沟槽断裂或是同一条字符线沟槽宽度不一的情况,如此将会造成后续所形成的字符线的电性问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种避免字符线沟槽缺陷的制作方法。根据本专利技术的一优选实施例,一种动态随机存取存储器的制作方法,包含提供一基底,然后,形成一第一掩模层,其中形成第一掩模层的步骤包含先形成一含氢氮化硅层,再形成一氧化硅层覆盖并接触该含氢氮化硅层,其中含氢氮化硅层的化学式为SixNyHz,X的数值介于4至8之间、Y的数值介于3.5至9.5之间、Z的数值等于1,然后图案化第一掩模层以形成一图案化第一掩模层,接着以图案化第一掩模层为掩模,蚀刻基底以形成一字符线沟槽,然后完全移除图案化第一掩模层,最后形成一字符线于字符线沟槽。附图说明图1至图7为本专利技术的优选实施例所绘示的动态随机存取存储器的制作方法的示意图。主要元件符号说明10基底12半 ...
【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器的制作方法,包含:提供一基底;形成一第一掩模层,其中形成该第一掩模层的步骤包含:形成一含氢氮化硅层覆盖该基底,以及形成一氧化硅层覆盖并接触该含氢氮化硅层,其中该含氢氮化硅层的化学式为SixNyHz,X的数值介于4至8之间、Y的数值介于3.5至9.5之间、Z的数值等于1;图案化该第一掩模层以形成一图案化第一掩模层;以该图案化第一掩模层为掩模,蚀刻该基底以形成一字符线沟槽;完全移除该图案化第一掩模层;以及形成一字符线于该字符线沟槽。
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器的制作方法,包含:提供一基底;形成一第一掩模层,其中形成该第一掩模层的步骤包含:形成一含氢氮化硅层覆盖该基底,以及形成一氧化硅层覆盖并接触该含氢氮化硅层,其中该含氢氮化硅层的化学式为SixNyHz,X的数值介于4至8之间、Y的数值介于3.5至9.5之间、Z的数值等于1;图案化该第一掩模层以形成一图案化第一掩模层;以该图案化第一掩模层为掩模,蚀刻该基底以形成一字符线沟槽;完全移除该图案化第一掩模层;以及形成一字符线于该字符线沟槽。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的制作方法,其中该基底包含一半导体基底和一第二掩模层覆盖该半导体基底。3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器的制作方法,其中形成该字符线沟槽的步骤包含:以该图案化第一掩模层为掩模,蚀刻该第二掩模层以形成一图案化第二掩模层;移除该图案化第一掩模层;以该图案化第二掩模层为...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴姿锦,刘照恩,张景翔,陈意维,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。