刻蚀液处理装置制造方法及图纸

技术编号:20922798 阅读:49 留言:0更新日期:2019-04-20 11:02
本发明专利技术提供一种刻蚀液处理装置,该装置包括药液槽,用于容纳刻蚀液,刻蚀液用于对基板进行刻蚀;承载槽,用于承载基板以及容纳刻蚀后的刻蚀液;第一药液管,一端与药液槽连接,另一端设置在基板上,第一药液管用于将药液槽中的刻蚀液传输至基板上,使刻蚀液对基板进行刻蚀;第二药液管,一端与药液槽连接,另一端与承载槽连接,第二药液管用于将刻蚀后的刻蚀液传输至药液槽中;检测模块,用于检测刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果;处理模块,用于根据检测结果,对刻蚀液和/或刻蚀后的刻蚀液进行处理。该方案通过设置检测模块和处理模块,可以提高刻蚀性能以及基板的良品率。

Etching Fluid Processing Unit

The invention provides an etching solution processing device, which comprises a medicine liquid tank for containing etching liquid, which is used for etching the substrate, a bearing tank for carrying the substrate and the etching liquid after etching, a first medicine liquid tube, one end connected with the medicine liquid tank, the other end arranged on the substrate, and a first medicine liquid tube for transmitting the etching liquid in the medicine liquid tank to the substrate so as to make the etching liquid transfer to the substrate. The etching solution etches the substrate; the second medicine liquid tube, one end is connected with the medicine liquid trough, the other end is connected with the loading trough; the second medicine liquid tube is used to transfer the etching liquid after etching to the medicine liquid trough; the detection module is used to detect whether the etching liquid or the etching liquid after etching is contaminated and get the test result; the processing module is used to detect the etching liquid and/or the etching liquid after etching according to the test result. The etching solution is treated. By setting detection module and processing module, the etching performance and the yield of substrate can be improved.

【技术实现步骤摘要】
刻蚀液处理装置
本专利技术涉及刻蚀
,特别是涉及一种刻蚀处理装置。
技术介绍
在阵列基板制程中,一般采用对基板上的金属层进行湿刻的方法,形成扫描线、栅电极等结构。具体的,湿刻通过刻蚀液与金属层发生化学反应,刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属层。在此刻蚀过程中,光刻胶、金属可能会剥离,溶解在刻蚀液中,使刻蚀液受到污染,造成基板刻蚀不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种刻蚀液处理装置,提高了刻蚀性能以及基板的良品率。本专利技术实施例提供了一种刻蚀液处理装置,包括:药液槽,用于容纳刻蚀液,所述刻蚀液用于对基板进行刻蚀;承载槽,所述承载槽用于承载所述基板,所述承载槽用于容纳刻蚀后的刻蚀液;第一药液管,所述第一药液管的一端与所述药液槽连接,所述第一药液管的另一端设置在所述基板上,所述第一药液管用于将所述药液槽中的所述刻蚀液传输至所述基板上,使所述刻蚀液对所述基板进行刻蚀;第二药液管,所述第二药液管的一端与所述药液槽连接,所述第二药液管的另一端与所述承载槽连接,所述第二药液管用于将所述刻蚀后的刻蚀液传输至所述药液槽中;检测模块,用于检测所述刻蚀液或所述刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果;处理模块,用于根据所述检测结果,对所述刻蚀液和/或所述刻蚀后的刻蚀液进行处理。在一实施例中,所述检测模块包括:获取子模块,用于获取所述刻蚀液的导电值;判断子模块,用于判断所述刻蚀液的导电值是否处于第一预设导电值范围;第一得到子模块,用于在不处于第一预设导电值范围时,得到所述刻蚀液受到污染的检测结果;第二得到子模块,用于在处于第一预设导电值范围时,得到所述刻蚀液未受到污染的检查结果。在一实施例中,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀后的刻蚀液的导电值;所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀后的刻蚀液的导电值是否处于第二预设导电值范围;所述第一得到子模块,还用于在不处于第二预设导电值范围时,得到所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果;所述第二得到子模块,还用于在处于第二预设导电值范围时,得到所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。在一实施例中,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀液的压差值;所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀液的压差值是否大于第一预设压差值;所述第一得到子模块,还用于在大于第一预设压差值时,得到所述刻蚀液受到污染的检测结果;所述第二得到子模块,还用于在不大于第一预设压差值时,得到所述刻蚀液未受到污染的检查结果。在一实施例中,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀后的刻蚀液的压差值;所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀后的刻蚀液的压差值是否大于第二预设压差值;所述第一得到子模块,还用于在大于第二预设压差值时,得到所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果;所述第二得到子模块,还用于在不大于第二预设压差值时,得到所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。在一实施例中,所述药液槽上设有第一阀门;所述处理模块用于根据所述刻蚀液受到污染的检测结果或所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果,开启所述第一阀门,清除所述药液槽中的刻蚀液。在一实施例中,所述药液槽和所述第一药液管之间设有泵;所述处理模块用于根据所述刻蚀液未受到污染的检测结果或所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检测结果,开启所述泵,使所述药液槽中的所述刻蚀液,通过所述第一药液管传输至所述基板上。在一实施例中,所述承载槽和所述第二药液管之间具有第二阀门;所述处理模块,用于根据所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检测结果,将所述第二阀门打开,使所述刻蚀后的刻蚀液经所述第二药液管传入所述药液槽。在一实施例中,所述承载槽上设有第三阀门;所述处理模块,用于根据所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果,打开所述第三阀门,清除所述承载槽中所述刻蚀后的刻蚀液。在一实施例中,所述刻蚀液处理装置还包括第三药液管:所述第三药液管连接所述第二药液管和所述药液槽,所述第三药液管用于从所述第二药液管中导流所述刻蚀后的刻蚀液;所述检测模块与所述第三药液管连接,所述检测模块用于检测所述第二药液管中导流的所述刻蚀后的刻蚀液,得到所述刻蚀后的刻蚀液的检测结果。在一实施例中,所述检测模块与所述承载槽连接,所述检测模块用于检测所述承载槽内的所述刻蚀后的刻蚀液,得到刻蚀后的刻蚀液的检测结果。在一实施例中,所述检测模块与所述药液槽连接,所述检测模块用于检测所述药液槽中的所述刻蚀液,得到所述刻蚀液的检测结果。在一实施例中,所述检测模块与所述第一药液管连接,所述检测模块用于检测所述第一药液管中的所述刻蚀液,得到所述刻蚀液的检测结果。在一实施例中,所述刻蚀液处理装置还包括滚轮,所述滚轮设置在所述承载槽上,所述基板设置在所述滚轮上,所述滚轮用于传动所述基板。本专利技术实施例的刻蚀液处理装置,通过设置检测模块和处理模块,其中检测模块用于检测刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果。处理模块根据检测模块检测到的检查结果,对刻蚀液和/或刻蚀后的刻蚀液进行处理,可以提高刻蚀性能以及基板的良品率。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:附图说明图1为本专利技术实施例提供的刻蚀液处理装置的第一结构示意图。图2为本专利技术实施例提供的检测模块的结构示意图。图3为本专利技术实施例提供的刻蚀液处理装置的第二结构示意图。图4为本专利技术实施例提供的刻蚀液处理装置的第三结构示意图。图5为本专利技术实施例提供的刻蚀液处理装置的第四结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。请参照图1,图1为本专利技术实施例提供的刻蚀液处理装置的结构示意图。该刻蚀液处理装置1包括药液槽11、承载槽12、第一药液管13、第二药液管14、检测模块15和处理模块16。药液槽11用于容纳刻蚀液。其中,该刻蚀液用于对基板2进行刻蚀。除去与基板2发生化学反应的一部分刻蚀液,还可以得到刻蚀后的刻蚀液。由于在化学反应的过程中,基板2上的光刻胶、金属膜层结构可能会剥落,因此该刻蚀后的刻蚀液可能会受到污染。承载槽12用于承载上述基板2。由于在实际刻蚀过程中,会对多个基板2进行刻蚀,因此在一实施例中,该刻蚀液处理装置1还设置了滚轮21。该滚轮21设置在承载槽12上,多个基板2依次排列在该滚轮21上。随着滚轮21的滚动,其上的基板2也发生传动。承载槽12还用于容纳刻蚀后的刻蚀液。承载槽12和第二药液管14之间还设有第二阀门19。当第二阀门19关闭时,刻蚀后的刻蚀液不会马上流入药液槽11中,即承载槽12还可以起缓存刻蚀后的刻蚀液的作用。第一药液管13的一端与药液槽11连接,第一药液管13的另一端设置在基板2上。第一药液管13用于将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀液处理装置,其特征在于,包括:药液槽,用于容纳刻蚀液,所述刻蚀液用于对基板进行刻蚀;承载槽,所述承载槽用于承载所述基板,所述承载槽用于容纳刻蚀后的刻蚀液;第一药液管,所述第一药液管的一端与所述药液槽连接,所述第一药液管的另一端设置在所述基板上,所述第一药液管用于将所述药液槽中的所述刻蚀液传输至所述基板上,使所述刻蚀液对所述基板进行刻蚀;第二药液管,所述第二药液管的一端与所述药液槽连接,所述第二药液管的另一端与所述承载槽连接,所述第二药液管用于将所述刻蚀后的刻蚀液传输至所述药液槽中;检测模块,用于检测所述刻蚀液或所述刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果;处理模块,用于根据所述检测结果,对所述刻蚀液和/或所述刻蚀后的刻蚀液进行处理。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀液处理装置,其特征在于,包括:药液槽,用于容纳刻蚀液,所述刻蚀液用于对基板进行刻蚀;承载槽,所述承载槽用于承载所述基板,所述承载槽用于容纳刻蚀后的刻蚀液;第一药液管,所述第一药液管的一端与所述药液槽连接,所述第一药液管的另一端设置在所述基板上,所述第一药液管用于将所述药液槽中的所述刻蚀液传输至所述基板上,使所述刻蚀液对所述基板进行刻蚀;第二药液管,所述第二药液管的一端与所述药液槽连接,所述第二药液管的另一端与所述承载槽连接,所述第二药液管用于将所述刻蚀后的刻蚀液传输至所述药液槽中;检测模块,用于检测所述刻蚀液或所述刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果;处理模块,用于根据所述检测结果,对所述刻蚀液和/或所述刻蚀后的刻蚀液进行处理。2.根据权利要求1所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述检测模块包括:获取子模块,用于获取所述刻蚀液的导电值;判断子模块,用于判断所述刻蚀液的导电值是否处于第一预设导电值范围;第一得到子模块,用于在不处于第一预设导电值范围时,得到所述刻蚀液受到污染的检测结果;第二得到子模块,用于在处于第一预设导电值范围时,得到所述刻蚀液未受到污染的检查结果。3.根据权利要求2所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀后的刻蚀液的导电值;所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀后的刻蚀液的导电值是否处于第二预设导电值范围;所述第一得到子模块,还用于在不处于第二预设导电值范围时,得到所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果;所述第二得到子模块,还用于在处于第二预设导电值范围时,得到所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。4.根据权利要求2所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀液的压差值;所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀液的压差值是否大于第一预设压差值;所述第一得到子模块,还用于在大于第一预设压差值时,得到所述刻蚀液受到污染的检测结果;所述第二得到子模块,还用于在不大于第一预设压差值时,得到所述刻蚀液未受到污染的检查结果。5.根据权利要求2所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀后的刻蚀液的压差值;所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀后的刻蚀液的压差值是否大于第二预设压差值;所述第一得到子模块,还用于在大于第二预设压差值时,得到所述刻蚀后的刻蚀液受到...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈海洋
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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