基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

提供了一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括支承构件、处理液喷嘴和控制器，支承构件用于支承基板，处理液喷嘴用于供应处理液至定位在支承构件上的基板，控制器用于控制处理液喷嘴使得在低流量供应段和高流量供应段中将供应至基板的处理液不同地排出，高流量供应段中的每小时平均排出量多于低流量供应段中的每小时平均排出量。

Substrate Processing Device and Substrate Processing Method

A substrate processing device and a substrate processing method are provided. The base plate processing device includes a support member, a treatment liquid nozzle and a controller. The support member is used to support the base plate. The treatment liquid nozzle is used to supply the treatment liquid to the base plate positioned on the support member. The controller is used to control the treatment liquid nozzle so that the treatment liquid supplied to the base plate is discharged differently in the low flow supply section and the high flow supply section, and every hour in the high flow supply section. The average discharge is more than the average discharge per hour in the low flow supply section.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月12日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0132079的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文中描述的本专利技术构思的实施例涉及基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
为了制造半导体设备和液晶显示器，已经执行了诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁工艺等各种工艺。其中，从形成在基板上的薄膜去除不必要区域的蚀刻工艺需要相对于薄膜更高的选择比和更高的蚀刻速率。此外，在以上工艺期间，可以执行对基板执行热处理的工艺。通常，蚀刻工艺或清洁工艺主要通过依序执行化学处理步骤、漂洗处理步骤和干燥处理步骤来执行。根据化学处理步骤，将形成在基板上的薄膜蚀刻或将化学制品供应至基板从而从基板去除异物。根据漂洗处理步骤，将漂洗液供应到基板上，该漂洗液为纯水。当使用流体处理基板时，可以将基板加热。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，其能够有效地处理基板。根据一示例性实施例，可以提供一种基板处理装置，其包括支承构件、处理液喷嘴和控制器，支承构件用于支承基板，处理液喷嘴用于供应处理液至定位在支承构件上的基板，控制器用于控制处理液喷嘴，使得在低流量供应段和高流量供应段中将供应至基板的处理液不同地排出，高流量供应段中的每小时平均排出量多于低流量供应段中的每小时平均排出量。此外，控制器可控制处理液喷嘴从而停止在低流量供应段中排出处理液。另外，基板处理装置还可包括加热构件，其用于加热定位在支承构件上的基板。此外，控制器可控制加热构件，使得高流量供应段中的加热构件的加热温度低于低流量供应段中的加热构件的加热温度。另外，加热构件可设置为安装在支承构件上的灯具。另外，加热构件可以是定位在支承构件中的电阻加热型热丝。此外，加热构件可以是激光源，用于向支承构件照射激光。此外，加热构件可在基板的旋转中心和基板的端部之间的整个区域中以线束的形式照射激光。另外，处理液可以是磷酸。另外，支承构件可旋转性地设置，且控制器可控制支承构件，使得高流量供应段中的支承构件的旋转速度高于低流量供应段中的支承构件的旋转速度。根据一示例性实施例，可以提供一种基板处理方法，其包括通过供应处理液至基板来处理基板，且可在低流量供应段和高流量供应段中将处理液不同地供应至基板，高流量供应段中的每小时平均排出量多于低流量供应段中的每小时平均排出量。此外，低流量供应段中的每小时平均排出量可等于或小于高流量供应段中的每小时平均排出量的一半。另外，可以停止在低流量供应段中将处理液排出至基板。此外，可以在低流量供应段中而不是高流量供应段中在更高温度下将基板加热。另外，可以在高流量供应段而不是低流量供应段中以更高的速度使基板旋转。此外，处理液可以是磷酸。附图说明通过参照附图详细地描述本专利技术构思的示例性实施例，本专利技术构思的以上和其他目的和特征将变得显而易见。图1为示出了根据本专利技术构思的一实施例的基板处理装置的平面图；图2为示出了根据本专利技术构思的一实施例的工艺腔室的视图；图3为示出了根据本专利技术构思的一实施例的支承构件的局部剖面图；图4为示出了加热构件的加热温度的图；图5和图6为示出了通过处理液喷嘴向基板排出化学液的状态的视图；图7为示出了根据另一实施例的加热构件的加热温度的图；图8为示出了根据又一实施例的加热构件的加热温度的图；图9为示出了根据另一实施例的工艺腔室的视图；图10为示出了根据一实施例的照射到基板的激光的视图；和图11为示出了根据又一实施例的工艺腔室的视图。具体实施方式下文中，将参照附图更为详细地描述本专利技术构思的实施例。可以以各种形式修改本专利技术构思的实施例，并且本专利技术构思的范围不应被解释为受限于下面描述的专利技术构思的实施例。提供本专利技术构思的实施例是为了向本领域技术人员更完整地描述本专利技术构思。因此，附图中的组件的形状等被夸大以强调更清楚的描述。图1为示出了根据本专利技术构思的一实施例的基板处理装置的平面图。参照图1，基板处理装置1可具有索引模块10和工艺处理模块20。索引模块10可包含装载端口120和供给框架140。装载端口120、供给框架140和工艺处理模块20可依序排列成行。下文中，装载端口120、供给框架140和工艺处理模块20排列的方向将被称为第一方向12，当从顶部观察时，垂直于第一方向12的方向将被称为第二方向14，而垂直于包含第一方向12和第二方向14的平面的方向将被称为第三方向16。在其中具有基板W的载体18坐落于装载端口120上。设置多个装载端口120并将其沿第二方向14排列成行。装载端口120的数量可根据工艺处理模块20的工艺效率或占地面积(footprint)而增加或减少。载体18具有多个槽(未示出)，用于接收水平于地面排列的基板“W”。前开式晶圆盒(FOUP)可用作载体18。工艺处理模块20包括缓冲单元220、供给腔室240和工艺腔室260。供给腔室240设置成使其纵向平行于第一方向12。工艺腔室260设置在供给腔室240的相对侧。工艺腔室260可设置在供给腔室240的一侧和另一侧，使得其关于供给腔室240彼此对称设置。多个工艺腔室260可设置在供给腔室240的一侧。一些工艺腔室260设置在供给腔室240的纵向上。此外，其他工艺腔室260设置为彼此层叠。即，工艺腔室260可在供给腔室240的一侧处排列为A乘B的阵列。在这种情况下，A为在第一方向12上排列成行的工艺腔室260的数量，且B为在第三方向16上排列成行的工艺腔室260的数量。当在供给腔室240的一侧设置四个或六个工艺腔室260时，工艺腔室260可排列为2×2或3×2。可增加或减少工艺腔室260的数量。不同的是，工艺腔室260可仅设置在供给腔室240的任意一侧。此外，工艺腔室260可设置在供给腔室240的一侧和相对侧的单层中。缓冲单元220介于供给框架140和供给腔室240之间。缓冲单元220提供在供给腔室240和供给框架140之间运载基板之前基板W停留的空间。放置基板W的槽(未示出)可设置在缓冲单元220中。多个槽(未示出)可在第三方向16上设置成彼此间隔开。缓冲单元220在面向供给框架140和供给腔室240的表面中是敞开的。供给框架140在坐落于装载端口120中的载体18和缓冲单元220之间运载基板“W"。供给框架140包括索引轨道142和索引机械手144。索引轨道142设置成使其纵向平行于第二方向14。索引机械手144安装在索引轨道142上从而在第二方向14上沿索引轨道142移动。索引机械手144可包括底部144a、主体144b和索引臂144c。底部144a可安装成沿索引轨道142为移动性的。主体144b可连接至底部144a。主体144b可设置成在底部144a上沿第三方向16为移动性的。此外，主体144b可设置成在底部144a上为旋转性的。索引臂144c可连接至主体144b使得索引臂144c相对于主体144b向前和向后为移动性的。可设置多个索引臂144c，并且可以相互独立地将其驱动。索引臂144c可设置为在索引臂144c沿第三方向16彼此间隔开的条件下彼此层叠。当将基板“W”从工艺处理模块20运载至载体18时，使用一些索引臂114c，并且当将基板W本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其包括：支承构件，其用于支承基板；处理液喷嘴，其用于将所述处理液供应至定位在所述支承构件上的所述基板；和控制器，其用于控制所述处理液喷嘴，使得在低流量供应段和高流量供应段中将供应到所述基板的所述处理液不同地排出，所述高流量供应段具有多于所述低流量供应段的每小时平均排出量的每小时平均排出量。

【技术特征摘要】
2017.10.12 KR 10-2017-01320791.一种基板处理装置，其包括：支承构件，其用于支承基板；处理液喷嘴，其用于将所述处理液供应至定位在所述支承构件上的所述基板；和控制器，其用于控制所述处理液喷嘴，使得在低流量供应段和高流量供应段中将供应到所述基板的所述处理液不同地排出，所述高流量供应段具有多于所述低流量供应段的每小时平均排出量的每小时平均排出量。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述处理液喷嘴从而停止在所述低流量供应段中排出所述处理液。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其还包括：加热构件，其用于加热定位在所述支承构件上的所述基板。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得所述高流量供应段中的所述加热构件的加热温度低于所述低流量供应段中的所述加热构件的加热温度。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述加热构件设置为安装在所述支承构件上的灯具。6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述加热构件设置为安装在所述支承构件上的电阻加热型热丝。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述加热构件设置为激光源从而向所述支承构件照射激光。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李映一，崔重奉，李昇浩，朴贵秀，宋吉勋，吴承勋，金钟翰，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR