The invention discloses a method for measuring the inclination of an opening, an etching detection method for a channel through hole of a three-dimensional memory and a preparation method for a three-dimensional memory. The measurement method includes: measuring the shape of the opening from the top direction of the opening with an electron microscope; acquiring the top profile image of the opening; adjusting the image processing algorithm function of the electron microscope, acquiring the bottom profile image of the opening by using the top detector of the electron microscope; processing data and calculating the top center of gravity position of the opening. The inclination of the opening is determined according to the position of the top center of gravity and the position of the bottom center of gravity; the inclination includes the inclination angle of the opening axis and the offset of the bottom profile of the opening relative to the top profile; where the depth of the opening is greater than or equal to 4 microns; and the electron microscope is a high voltage scanning electron microscope.
【技术实现步骤摘要】
一种开口倾斜度的测量方法及三维存储器的制备方法
本专利技术涉及半导体制备工艺领域,尤其涉及一种开口倾斜度的测量方法、三维存储器沟道通孔的刻蚀检测方法以及三维存储器的制备方法。
技术介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。为了获得更高的集成度以及数据存储密度,存储器的关键尺寸需要不断减小,对应的工艺成本及技术要求不断提高;在这种情况下,普通的平面存储器逐渐不能满足实际批量生产的需要,三维(3D)存储器应运而生。在三维存储器中,沟道通孔(ChannelHole,CH)作为载流子移动的重要通道,其形成工艺的稳定性对三维存储器的产品良率有着十分重要的影响。在相关技术中,沟道通孔通过刻蚀沉积在衬底表面的多层叠层结构而形成;该刻蚀过程采用硬掩膜层,从硬掩膜层的开口向下刻蚀,最终形成所述沟道通孔。然而,研究发现,在制备工艺中硬掩膜层的开口经常出现底部与顶部不对齐的情况,即硬掩膜开口(HardMaskOpening,HMO)发生倾斜(Tilting);如果利用这样的硬掩膜层执行刻蚀工艺将直接影响沟道通孔的形成,导致沟道通孔无法满足设计需求。进一步地,沟道通孔的刻蚀失败会对后续工艺产生不利影响,如导致后续沟道通孔内堆叠膜层(如SONO)刻蚀出现开口错位等问题,严重时将引发堆叠膜层内多晶硅层受损甚至氧化物层受损,从而导致沟道层无法导通,最终形成的三维存储器失效。因此,如何准确地测量开口的倾斜度,尤其是三维存储器沟道通孔的刻蚀工艺中使用的硬掩膜层开口的倾斜度,成为本领域现阶段亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的主要目的在于提供一种开 ...
【技术保护点】
1.一种开口倾斜度的测量方法,其特征在于,所述方法包括:采用电子显微镜从所述开口的顶部方向测量所述开口的形貌;获取所述开口的顶部轮廓图像;调节所述电子显微镜的图像处理算法功能,利用所述电子显微镜的顶部探测器,获取所述开口的底部轮廓图像;对所述开口的顶部轮廓图像以及底部轮廓图像进行数据处理,计算得到所述开口的顶部重心位置以及底部重心位置;根据所述顶部重心位置以及所述底部重心位置,确定所述开口的倾斜度;所述倾斜度包括所述开口轴向的倾斜角度以及所述开口底部轮廓相对于顶部轮廓的偏移量;其中,所述开口的深度大于等于4微米;所述电子显微镜为高电压扫描电子显微镜(HV‑SEM)。
【技术特征摘要】
1.一种开口倾斜度的测量方法,其特征在于,所述方法包括:采用电子显微镜从所述开口的顶部方向测量所述开口的形貌;获取所述开口的顶部轮廓图像;调节所述电子显微镜的图像处理算法功能,利用所述电子显微镜的顶部探测器,获取所述开口的底部轮廓图像;对所述开口的顶部轮廓图像以及底部轮廓图像进行数据处理,计算得到所述开口的顶部重心位置以及底部重心位置;根据所述顶部重心位置以及所述底部重心位置,确定所述开口的倾斜度;所述倾斜度包括所述开口轴向的倾斜角度以及所述开口底部轮廓相对于顶部轮廓的偏移量;其中,所述开口的深度大于等于4微米;所述电子显微镜为高电压扫描电子显微镜(HV-SEM)。2.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述采用电子显微镜从所述开口的顶部方向测量所述开口的形貌的步骤中,所述电子显微镜的测量加速电压为30000伏。3.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述电子显微镜的图像处理算法功能具体为darkness3的图像处理算法功能。4.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述开口为光刻工艺中硬掩膜层的开口。5.根据权利要求4所述的测量方法,其特征在于,所述硬掩膜层为三维存储器的制备过程中刻蚀形成沟道通孔时使用的硬掩膜层。6.一种三维存储器沟道通孔的刻蚀检测方法,其特征在于,所述方法包括:沉积硬掩膜层;在所述硬掩膜层上形成开口,所述开口暴露所述三维存储器中需要形成沟道通孔的位置处的上表面;采用电子显微镜从所述开口的顶部...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘公才,王猛,黄竹青,黄海辉,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。