The embodiment of the invention discloses a preparation method of TFT, a TFT, an array substrate and a display device. In the embodiment of the invention, the method includes: forming a buffer layer, a polycrystalline silicon layer, a gate insulating layer, a source layer, a drain layer and a gate layer on the substrate; in which a polycrystalline silicon layer is formed on the buffer layer, a source layer and a drain layer are formed on both sides of the polycrystalline silicon layer, a gate insulating layer is formed on the polycrystalline silicon layer, a source layer and a drain layer, and a buffer layer and a polycrystalline silicon layer are formed on the substrate. After that, before the formation of gate insulating layer, an ion implantation was performed on the polycrystalline silicon layer to adjust the sub-threshold swing of TFT not less than the preset threshold, and to make the peak of implanted ion concentration fall in the buffer layer below the polycrystalline silicon layer. In the embodiment of the invention, when the sub-threshold swing of TFT is adjusted, the other electrical characteristic parameters of TFT are not adversely affected, and the overall product performance of TFT is improved.
【技术实现步骤摘要】
TFT的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及半导体材料
,具体涉及一种TFT的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin-filmtransistor,TFT)是场效应晶体管的种类之一,大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜,如半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。薄膜晶体管(TFT)由于其良好的开关特性,目前已广泛应用于显示装置。TFT一个典型用途是控制驱动电流或驱动电压的驱动TFT,由于工艺条件、驱动环境等,驱动TFT的电气特性如阈值电压、迁移率等可能因像素的不同而变化。目前,显示屏幕的灰阶是通过驱动TFT的栅极电压来控制,而TFT的栅极电压由显示芯片控制,并由数据信号线写入。为了获得良好的显示效果,需要保证栅极电压工作在合适的工作电压范围内。这是因为,当驱动TFT的栅极工作电压范围太小,则驱动TFT不能准确地控制足够数量的灰阶。当驱动TFT的栅极工作电压范围太大,则会超出驱动芯片的工作电压范围,且显示器的功耗增加。亚阈值摆幅是用来表征驱动TFT元件工作时栅极电压对导通电流大小的控制能力的物理量,目前是通过调整亚阈值摆幅来调整控制TFT栅极工作电压范围。但现有技术中采用传统的低温多晶硅技术(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)工艺制作的驱动TFT亚阈值摆幅一般偏小,而若采用沟道掺杂,退火工艺的改变来调整亚阈值摆幅则会对TFT器件的其他电学特性参数产生不良影响,如开启电压偏离目标值。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种TFT的制 ...
【技术保护点】
1.一种TFT的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上形成缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、源极层、漏极层和栅极层;其中,所述多晶硅层形成于所述缓冲层之上,所述源极层和漏极层形成于所述多晶硅层两侧,所述栅极绝缘层形成于所述多晶硅层、所述源极层和漏极层之上,在基板上形成所述缓冲层和多晶硅层之后,形成所述栅极绝缘层之前,对所述多晶硅层进行一次离子植入,以调整TFT的亚阈值摆幅不低于预设阈值,并使得植入离子浓度的峰值落在多晶硅层下方的缓冲层中。
【技术特征摘要】
1.一种TFT的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上形成缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、源极层、漏极层和栅极层;其中,所述多晶硅层形成于所述缓冲层之上,所述源极层和漏极层形成于所述多晶硅层两侧,所述栅极绝缘层形成于所述多晶硅层、所述源极层和漏极层之上,在基板上形成所述缓冲层和多晶硅层之后,形成所述栅极绝缘层之前,对所述多晶硅层进行一次离子植入,以调整TFT的亚阈值摆幅不低于预设阈值,并使得植入离子浓度的峰值落在多晶硅层下方的缓冲层中。2.根据权利要求1所述的TFT的制备方法,其特征在于,所述离子植入的离子种类为P5+。3.根据权利要求1所述的TFT的制备方法,其特征在于,所述离子植入的离子种类为Si4+。4...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡俊艳,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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