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一种高密度像素驱动电路及其驱动方法技术

技术编号:20921734 阅读:24 留言:0更新日期:2019-04-20 10:47
本发明专利技术公开一种高密度像素驱动电路及其驱动方法。所述高密度像素驱动电路为由第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2组成的4T2C结构,该结构以一个驱动电路控制两个OLED的方式代替了一对一的传统OLED像素驱动方案,简化了驱动电路结构,降低了设计空间,从而可以进行更多的优化设计。此外本发明专利技术驱动电路及方法以电容自放电的方式进行发光一致性修复,可以代替传统的基于外部补偿电路的修复功能,精简了电路设计,稳定性更高。

A High Density Pixel Driving Circuit and Its Driving Method

The invention discloses a high-density pixel driving circuit and a driving method thereof. The high-density pixel driving circuit is a 4T2C structure consisting of the first control tube T1, the second control tube T2, the third control tube T4, the driving tube T3, the holding capacitor C1 and the compensation capacitor C2. The structure replaces the one-to-one traditional OLED pixel driving scheme by a driving circuit, simplifies the driving circuit structure, reduces the design space, and can be further improved. Multi-optimization design. In addition, the driving circuit and method of the invention can repair the luminescence consistency by means of capacitor self-discharge, which can replace the traditional repair function based on external compensation circuit, simplify the circuit design and have higher stability.

【技术实现步骤摘要】
一种高密度像素驱动电路及其驱动方法
本专利技术涉及发光二极管显示器的像素驱动
,特别是涉及一种高密度像素驱动电路及其驱动方法。
技术介绍
根据虚拟现实设备的性能要求,往往需要超高分辨率和高像素密度的OLEDoS驱动基板。为了提升像素密度,每一个驱动像素电路需要集成到几个μm2的子像素空间内。但是随着单元像素驱动电路尺寸的减少,一方面如果采用更细线宽的中驱动管工艺来缩减驱动管尺寸,会导致驱动管的阈值电压逐渐减小;另一方面对发光器件一致性的补偿电路需要有更好的补偿效果。在已有的硅基OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)像素驱动电路设计方案中,一般会采用外围电路补偿的方式调节发光一致性问题,以便减少单个驱动像素电路设计的复杂性;但是,随着分辨率的增大和像素密度的增加,流过每一个OLED阳极的电流非常小,此时,外部补偿电路的启动条件则变的非常不稳定。但是,如果采用内部补偿,则需要额外增加晶体管数量,或者是增加电容值,反向制约单元驱动像素的面积。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高密度像素驱动电路及其驱动方法,以解决已有的硅基OLED像素驱动电路结构复杂、稳定性低且占用空间大的问题。为实现上述目的,本专利技术提供了如下方案:一种高密度像素驱动电路,所述高密度像素驱动电路包括:第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2;所述高密度像素驱动电路用于驱动第一像素OLED1和第二像素OLED2;所述第一控制管T1的源极连接输入电压Data,所述第一控制管T1的栅极连接第一控制电压WZ,所述第一控制管T1的漏极连接所述驱动管T3的栅极;所述第二控制管T2的源极连接所述驱动管T3的漏极,所述第二控制管T2的栅极连接第二控制电压P1;所述第三控制管T4的源极连接电源电压VDD,所述第三控制管T4的栅极连接第三控制电压P2,所述第三控制管T4的漏极连接所述驱动管T3的源极;所述保持电容C1并联在所述第三控制管T4的源极和漏极之间;所述补偿电容C2并联在所述驱动管T3的源极和栅极之间;所述驱动管T3的源极连接所述第一像素OLED1的阳极;所述驱动管T3的漏极连接所述第二像素OLED2的阳极;所述第一像素OLED1的阴极与所述第二像素OLED2的阴极连接。可选的,所述第一控制管T1、所述第二控制管T2、所述第三控制管T4和所述驱动管T3均为PMOS管。可选的,由所述第二控制管T2的漏极引出第一输出电压VSS1,所述第一输出电压VSS1用于与外部电路连接。可选的,由所述第一像素OLED1的阴极及所述第二像素OLED2的阴极引出像素输出电压VSS,所述像素输出电压VSS用于与外部像素连接。一种高密度像素驱动电路的驱动方法,所述驱动方法应用于所述高密度像素驱动电路;所述驱动方法包括:初始化阶段,设置所述第一控制管T1的第一控制电压WZ为高电位,所述第一控制管T1被导通,所述输入电压Data传输至所述驱动管T3的栅极;自放电阶段,设置所述第一控制管T1的第一控制电压WZ和所述第三控制管T4的第三控制电压P2均为高电平,所述第一控制管T1和所述第三控制管T4同时导通,所述驱动管T3两端开始进行放电;自我修复和写数据阶段,当所述驱动管T3两端放电完成以后,所述驱动管T3的源极电压由于所述保持电容C1和所述补偿电容C2的作用开始变化;发光阶段,设置所述第二控制管T2的第二控制电压P1为高电平,所述第二控制管T2导通,同时由于所述补偿电容C2的放电作用,所述驱动管T3的栅极电压变化造成所述驱动管T3截止,所述驱动管T3的漏极电流流过所述第一像素OLED1和所述第二像素OLED2进行发光。可选的,所述初始化阶段还包括:控制所述驱动管T3的栅极和源极之间的电压差大于所述驱动管T3的阈值电压。根据本专利技术提供的具体实施例,本专利技术公开了以下技术效果:本专利技术提供一种高密度像素驱动电路及其驱动方法。所述高密度像素驱动电路为由第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2组成的4T2C结构,该结构以一个驱动电路控制两个OLED的方式代替了一对一的传统OLED像素驱动方案,简化了驱动电路结构,降低了设计空间,从而可以进行更多的优化设计。此外本专利技术驱动电路及方法以电容自放电的方式进行发光一致性修复,可以代替传统的基于外部补偿电路的修复功能,精简了电路设计,稳定性更高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据本专利技术提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的高密度像素驱动电路的结构示意图;图2为本专利技术提供的高密度像素驱动电路的驱动过程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的目的是提供一种高密度像素驱动电路及其驱动方法,以解决已有的硅基OLED像素驱动电路结构复杂、稳定性低且占用空间大的问题。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1为本专利技术提供的高密度像素驱动电路的结构示意图。参见图1,本专利技术提供的一种新型的高密度像素驱动电路是由4个PMOS管T1、T2、T3、T4和2个电容C1、C2构成的4T2C结构,其中T1、T2和T4是控制管,T3是驱动管,C1作为保持电容,C2用作补偿电容。在实际的电路中,可以通过合理的设置C1和C2的电容值,来完成自我修复电路的作用。如图1所示,由第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2组成的所述高密度像素驱动电路用于驱动第一像素OLED1和第二像素OLED2。本专利技术中,一个OLED有机发光二极管即为一个像素。具体的,所述第一控制管T1的源极连接输入电压Data,所述第一控制管T1的栅极连接第一控制电压WZ,所述第一控制管T1的漏极连接所述驱动管T3的栅极。所示第一控制管T1的漏极与所述驱动管T3的栅极之间的连接点为F1。所述第二控制管T2的源极连接所述驱动管T3的漏极,所述第二控制管T2的栅极连接第二控制电压P1;由所述第二控制管T2的漏极引出第一输出电压VSS1,用于与外部电路连接。所述第三控制管T4的源极连接电源电压VDD,所述第三控制管T4的栅极连接第三控制电压P2,所述第三控制管T4的漏极连接所述驱动管T3的源极。所述第三控制管T4的漏极与所述驱动管T3的源极之间的连接点为F2。所述保持电容C1并联在所述第三控制管T4的源极和漏极之间。所述补偿电容C2并联在所述驱动管T3的源极和栅极之间。所述驱动管T3的源极连接所述第一像素OLED1的阳极;所述驱动管T3的漏极连接所述第二像素OLED2的阳极;所述第一像素OLED1的阴极与所述第二像素OLED2的阴极连接。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密度像素驱动电路,其特征在于,所述高密度像素驱动电路包括:第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2;所述高密度像素驱动电路用于驱动第一像素OLED1和第二像素OLED2;所述第一控制管T1的源极连接输入电压Data,所述第一控制管T1的栅极连接第一控制电压WZ,所述第一控制管T1的漏极连接所述驱动管T3的栅极;所述第二控制管T2的源极连接所述驱动管T3的漏极,所述第二控制管T2的栅极连接第二控制电压P1;所述第三控制管T4的源极连接电源电压VDD,所述第三控制管T4的栅极连接第三控制电压P2,所述第三控制管T4的漏极连接所述驱动管T3的源极;所述保持电容C1并联在所述第三控制管T4的源极和漏极之间;所述补偿电容C2并联在所述驱动管T3的源极和栅极之间;所述驱动管T3的源极连接所述第一像素OLED1的阳极;所述驱动管T3的漏极连接所述第二像素OLED2的阳极;所述第一像素OLED1的阴极与所述第二像素OLED2的阴极连接。

【技术特征摘要】
1.一种高密度像素驱动电路,其特征在于,所述高密度像素驱动电路包括:第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2;所述高密度像素驱动电路用于驱动第一像素OLED1和第二像素OLED2;所述第一控制管T1的源极连接输入电压Data,所述第一控制管T1的栅极连接第一控制电压WZ,所述第一控制管T1的漏极连接所述驱动管T3的栅极;所述第二控制管T2的源极连接所述驱动管T3的漏极,所述第二控制管T2的栅极连接第二控制电压P1;所述第三控制管T4的源极连接电源电压VDD,所述第三控制管T4的栅极连接第三控制电压P2,所述第三控制管T4的漏极连接所述驱动管T3的源极;所述保持电容C1并联在所述第三控制管T4的源极和漏极之间;所述补偿电容C2并联在所述驱动管T3的源极和栅极之间;所述驱动管T3的源极连接所述第一像素OLED1的阳极;所述驱动管T3的漏极连接所述第二像素OLED2的阳极;所述第一像素OLED1的阴极与所述第二像素OLED2的阴极连接。2.根据权利要求1所述的高密度像素驱动电路,其特征在于,所述第一控制管T1、所述第二控制管T2、所述第三控制管T4和所述驱动管T3均为PMOS管。3.根据权利要求1所述的高密度像素驱动电路,其特征在于,由所述第二控制管T2的漏极引出第一输出电压VSS1,所述第一输出电压VSS1用...

【专利技术属性】
技术研发人员:张建华郭爱英
申请(专利权)人:上海大学
类型:发明
国别省市:上海,31

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