The invention discloses a high-density pixel driving circuit and a driving method thereof. The high-density pixel driving circuit is a 4T2C structure consisting of the first control tube T1, the second control tube T2, the third control tube T4, the driving tube T3, the holding capacitor C1 and the compensation capacitor C2. The structure replaces the one-to-one traditional OLED pixel driving scheme by a driving circuit, simplifies the driving circuit structure, reduces the design space, and can be further improved. Multi-optimization design. In addition, the driving circuit and method of the invention can repair the luminescence consistency by means of capacitor self-discharge, which can replace the traditional repair function based on external compensation circuit, simplify the circuit design and have higher stability.
【技术实现步骤摘要】
一种高密度像素驱动电路及其驱动方法
本专利技术涉及发光二极管显示器的像素驱动
,特别是涉及一种高密度像素驱动电路及其驱动方法。
技术介绍
根据虚拟现实设备的性能要求,往往需要超高分辨率和高像素密度的OLEDoS驱动基板。为了提升像素密度,每一个驱动像素电路需要集成到几个μm2的子像素空间内。但是随着单元像素驱动电路尺寸的减少,一方面如果采用更细线宽的中驱动管工艺来缩减驱动管尺寸,会导致驱动管的阈值电压逐渐减小;另一方面对发光器件一致性的补偿电路需要有更好的补偿效果。在已有的硅基OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)像素驱动电路设计方案中,一般会采用外围电路补偿的方式调节发光一致性问题,以便减少单个驱动像素电路设计的复杂性;但是,随着分辨率的增大和像素密度的增加,流过每一个OLED阳极的电流非常小,此时,外部补偿电路的启动条件则变的非常不稳定。但是,如果采用内部补偿,则需要额外增加晶体管数量,或者是增加电容值,反向制约单元驱动像素的面积。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高密度像素驱动电路及其驱动方法,以解决已有的硅基OLED像素驱动电路结构复杂、稳定性低且占用空间大的问题。为实现上述目的,本专利技术提供了如下方案:一种高密度像素驱动电路,所述高密度像素驱动电路包括:第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2;所述高密度像素驱动电路用于驱动第一像素OLED1和第二像素OLED2;所述第一控制管T1的源极连接输入电压Data,所述第一控制管T1的栅极连接第一控制电压 ...
【技术保护点】
1.一种高密度像素驱动电路,其特征在于,所述高密度像素驱动电路包括:第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2;所述高密度像素驱动电路用于驱动第一像素OLED1和第二像素OLED2;所述第一控制管T1的源极连接输入电压Data,所述第一控制管T1的栅极连接第一控制电压WZ,所述第一控制管T1的漏极连接所述驱动管T3的栅极;所述第二控制管T2的源极连接所述驱动管T3的漏极,所述第二控制管T2的栅极连接第二控制电压P1;所述第三控制管T4的源极连接电源电压VDD,所述第三控制管T4的栅极连接第三控制电压P2,所述第三控制管T4的漏极连接所述驱动管T3的源极;所述保持电容C1并联在所述第三控制管T4的源极和漏极之间;所述补偿电容C2并联在所述驱动管T3的源极和栅极之间;所述驱动管T3的源极连接所述第一像素OLED1的阳极;所述驱动管T3的漏极连接所述第二像素OLED2的阳极;所述第一像素OLED1的阴极与所述第二像素OLED2的阴极连接。
【技术特征摘要】
1.一种高密度像素驱动电路,其特征在于,所述高密度像素驱动电路包括:第一控制管T1、第二控制管T2、第三控制管T4、驱动管T3、保持电容C1和补偿电容C2;所述高密度像素驱动电路用于驱动第一像素OLED1和第二像素OLED2;所述第一控制管T1的源极连接输入电压Data,所述第一控制管T1的栅极连接第一控制电压WZ,所述第一控制管T1的漏极连接所述驱动管T3的栅极;所述第二控制管T2的源极连接所述驱动管T3的漏极,所述第二控制管T2的栅极连接第二控制电压P1;所述第三控制管T4的源极连接电源电压VDD,所述第三控制管T4的栅极连接第三控制电压P2,所述第三控制管T4的漏极连接所述驱动管T3的源极;所述保持电容C1并联在所述第三控制管T4的源极和漏极之间;所述补偿电容C2并联在所述驱动管T3的源极和栅极之间;所述驱动管T3的源极连接所述第一像素OLED1的阳极;所述驱动管T3的漏极连接所述第二像素OLED2的阳极;所述第一像素OLED1的阴极与所述第二像素OLED2的阴极连接。2.根据权利要求1所述的高密度像素驱动电路,其特征在于,所述第一控制管T1、所述第二控制管T2、所述第三控制管T4和所述驱动管T3均为PMOS管。3.根据权利要求1所述的高密度像素驱动电路,其特征在于,由所述第二控制管T2的漏极引出第一输出电压VSS1,所述第一输出电压VSS1用...
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