基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法技术

本发明专利技术公开了一种基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法，包括以下步骤：(1)记录每个块上一次成功将资料纠正回来的读取错误处理步骤，记录该读取错误处理步骤作为最新纠正步骤，最新纠正步骤记录两组；(2)因为同一个块内的单元很大几率是被同一种因素影响,所有字线的读取水平转变可能都是一样的,所以下一次同一个块需要做读取错误处理时,优先使用步骤(1)所记录的两组最新纠正步骤进行尝试处理，如果成功纠正，则这两组最新纠正步骤被保持；如果没有成功纠正，则这两组最新纠正步骤被替换。本发明专利技术方法在用于读取错误处理时可以节约大量时间。

Optimized Read Error Processing Method Based on Flash Block Conditions

The invention discloses an optimized reading error processing method based on flash memory block conditions, which includes the following steps: (1) recording the reading error processing steps that corrected the data successfully last time in each block, recording the reading error processing steps as the latest correcting steps, and recording two groups of the latest correcting steps; (2) Because the unit in the same block is very likely to be the same cause. As a matter of fact, the read level transition of all words may be the same, so the next time the same block needs to be read error processed, two sets of the latest corrective steps recorded in step (1) should be used first to attempt processing. If corrected successfully, the two sets of the latest corrective steps will be maintained; if not corrected successfully, the two sets of the latest corrective steps will be replaced. The method of the invention can save a great deal of time when it is used for reading error processing.

【技术实现步骤摘要】
基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法
本专利技术涉及数据处理
，尤其涉及一种基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法。
技术介绍
1.随着NANDFlash制造技术的发展,从MLC到TLC到QLC,每个单元2bits到每个单元3bits到每个单元4bits,VT分布会越来越紧密,每个读取水平之间的差距越来越小。2.NANDFlash在使用中会有读取干扰/数据保留/交叉温度等问题的存在,在这些特殊的情况下,正常读取出来的资料往往ECC引擎是无法将资料纠正回来的，而是需要各式各样的重读取来救回资料。3.重读取又分为硬位重试/软位重试/闪存自校准等。4.如果某一个块都是在最后一步错误处理才可以纠正回来,那么每页都会浪费很多时间。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法。本专利技术采用的技术方案是：基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)记录每个块上一次成功将资料纠正回来的读取错误处理步骤，记录该读取错误处理步骤作为最新纠正步骤，最新纠正步骤记录两组；(2)因为同一个块内的单元很大几率是被同一种因素影响,所有字线的读取水平转变可能都是一样的,所以下一次同一个块需要做读取错误处理时,优先使用步骤(1)所记录的两组最新纠正步骤进行尝试处理，如果成功纠正，则这两组最新纠正步骤被保持；如果没有成功纠正，则这两组最新纠正步骤被替换。本专利技术的优点是：本专利技术方法在用于读取错误处理时可以节约大量时间。附图说明图1为NANDFlash读取错误处理步骤预设示意图。图2为采用两组最新纠正步骤来尝试处理读取错误的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。实施例。基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)记录每个块上一次成功将资料纠正回来的读取错误处理步骤，记录该读取错误处理步骤作为最新纠正步骤，最新纠正步骤记录两组；(2)因为同一个块内的单元很大几率是被同一种因素影响,所有字线的读取水平转变可能都是一样的,所以下一次同一个块需要做读取错误处理时,优先使用步骤(1)所记录的两组最新纠正步骤进行尝试处理，如果成功纠正，则这两组最新纠正步骤被保持；如果没有成功纠正，则这两组最新纠正步骤被替换。假设某NANDFlash读取错误处理步骤预设如图1，BlockApage0发生不能修复的ECC,并且通过某一个步骤纠正回来，那么这个步骤会记录到最新纠正步骤1or2中，下一次错误处理会优先使用这两个步骤来尝试如图2；下一次读取BlockAotherpage如果发生UECC错误,很大几率通过这个最新纠正步骤1or2救回来。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)记录每个块上一次成功将资料纠正回来的读取错误处理步骤，记录该读取错误处理步骤作为最新纠正步骤，最新纠正步骤记录两组；(2)因为同一个块内的单元很大几率是被同一种因素影响,所有字线的读取水平转变可能都是一样的,所以下一次同一个块需要做读取错误处理时,优先使用步骤(1)所记录的两组最新纠正步骤进行尝试处理；(3)如果成功纠正，则这两组最新纠正步骤被保持；如果没有成功纠正，则这两组最新纠正步骤被替换。

【技术特征摘要】
1.基于闪存块条件的优化读取错误处理流程方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)记录每个块上一次成功将资料纠正回来的读取错误处理步骤，记录该读取错误处理步骤作为最新纠正步骤，最新纠正步骤记录两组；(2)因为同一个块内的单元很大几率是被同一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭崇，王志，朱凯迪，张洋，胡健，
申请(专利权)人：合肥兆芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34