The application provides a waveguide core layer, a mode spot converter, a silicon optical device and an optical communication device. The waveguide core layer includes the first waveguide region and the second waveguide region connected in turn along the first direction; the first waveguide region and the second waveguide region extend along the first direction; one end of the first waveguide region deviating from the second waveguide region is used to connect with the silicon optical chip; the other end of the second waveguide region deviating from the first waveguide region is used to connect with the optical fiber; the size of the first waveguide region deviates from the second direction. The refractive index of the second waveguide region decreases from one end near the first waveguide region to one end away from the first waveguide region, so that light passing through the first waveguide region and the second waveguide region can be transformed from small mode spot to large mode spot matching with the optical fiber, which ensures that the waveguide core layer is accurately docked with the silicon optical chip, and improves the silicon optical devices and optical communication. Channel uniformity of communication equipment; and waveguide core can be directly processed and formed, without welding, and the manufacturing cost is low.
【技术实现步骤摘要】
波导芯层、模斑转换器、硅光器件及光通信设备
本申请涉及光通信
,尤其涉及一种波导芯层、模斑转换器、硅光器件及光通信设备。
技术介绍
随着通信技术的发展,硅光芯片在光纤通信
中的应用也越来越广范。由于硅光芯片的模斑尺寸较小,而光纤的模斑尺寸较大,导致硅光芯片与光纤之间因模斑大小不匹配而无法直接实现连接,因此,如何实现基于硅光芯片的收发模块与基于光纤的传输链路之间的有效耦合逐渐成为研究的热点。目前,为了保证光纤与硅光芯片的准确对接,光纤架设在V型槽中,使得光纤的中心可以正对硅光芯片的接口,然后在光纤的端部熔接一段高折射率差的小模斑光纤,然后将小模斑光纤连接到硅光芯片上,通过小模斑光纤实现硅光芯片的模斑与光纤模斑的过渡。但是,由于光纤及小模斑光纤的芯径不匹配,熔接工艺复杂且成本较高,另外,熔接后的小模斑光纤也需要架设在V型槽中,由于V型槽的结构容差直接影响小模斑光纤芯径的位置,使得小模斑光纤与硅光芯片对接后存在光损耗且通道均匀性差。
技术实现思路
本申请实施例提供一种波导芯层、模斑转换器、硅光器件及光通信设备,已解决目前熔接小模斑光纤的方式成本高且与硅光芯片对接后光损耗大、通道均匀性差的问题。本申请实施例提供一种波导芯层,包括:沿第一方向依次连接的第一波导区以及第二波导区;且所述第一波导区及所述第二波导区均沿所述第一方向延伸;所述第一波导区背离所述第二波导区的一端用于与硅光芯片连接,所述第二波导区背离所述第一波导区的一端用于与光纤连接;所述第一波导区沿第二方向的尺寸从背离所述第二波导区的一端向靠近所述第二波导区的一端增大;所述第二波导区的折射率从靠近所述 ...
【技术保护点】
1.一种波导芯层,其特征在于,包括:沿第一方向依次连接的第一波导区以及第二波导区;且所述第一波导区及所述第二波导区均沿所述第一方向延伸;所述第一波导区背离所述第二波导区的一端用于与硅光芯片连接,所述第二波导区背离所述第一波导区的一端用于与光纤连接;所述第一波导区沿第二方向的尺寸从背离所述第二波导区的一端向靠近所述第二波导区的一端增大;所述第二波导区的折射率从靠近所述第一波导区的一端向背离所述第一波导区的一端减小;其中,所述第二方向与所述第一方向垂直。
【技术特征摘要】
1.一种波导芯层,其特征在于,包括:沿第一方向依次连接的第一波导区以及第二波导区;且所述第一波导区及所述第二波导区均沿所述第一方向延伸;所述第一波导区背离所述第二波导区的一端用于与硅光芯片连接,所述第二波导区背离所述第一波导区的一端用于与光纤连接;所述第一波导区沿第二方向的尺寸从背离所述第二波导区的一端向靠近所述第二波导区的一端增大;所述第二波导区的折射率从靠近所述第一波导区的一端向背离所述第一波导区的一端减小;其中,所述第二方向与所述第一方向垂直。2.根据权利要求1所述的波导芯层,其特征在于,所述第一波导区靠近所述第二波导区的一端具有第一截面;所述第二波导区靠近所述第一波导区的一端具有第二截面;所述第一截面与所述第二截面平行,且所述第一截面与所述第一方向垂直设置;所述第一截面沿所述第一方向在所述第二截面上的投影与所述第二截面重合。3.根据权利要求2所述的波导芯层,其特征在于,所述第二波导区的任意位置沿所述第二方向的尺寸都相等。4.根据权利要求3所述的波导芯层,其特征在于,所述第一波导区沿第三方向的尺寸与所述第二波导区沿所述第三方向的尺寸相等,其中,所述第三方向与所述第二方向垂直,且所述第三方向还与所述第一方向垂直。5.根据权利要求4所述的波导芯层,其特征在于,所述第一波导区背离所述第二波导区的一端具有第三截面,所述第一截面沿所述第二方向的尺寸是所述第三截面沿所述第二方向的尺寸的2-5倍。6.根据权利要求2-5任一项所述的波导芯层,其特征在于,所述第二波导区包括:沿所述第一方向从所述第二波导区的一端延伸至另一端的第一实心波导部;所述第一实心波导部靠近所述第一波导区的一端具有所述第二截面;所述第一实心波导部的折射率由靠近所述第一波导区的一端向背离所述第一波导区的一端减小。7.根据权利要求2-5任一项所述的波导芯层,其特征在于,所述第二波导区包括沿所述第一方向间隔设置的多个第二实心波导部,多个所述第二实心波导部中靠近所述第一波导区的一个所述第二实心波导部具有所述第二截面,且所述第二截面位于所述第二实心波导部靠近所述第一波导区的一端。8.根据权利要求7所述的波导芯层,其特征在于,任意相邻两个所述第二实心波导部之间的距离均不相等。9.根据权利要求8所述的波导芯层,其特征在于,相邻两个所述第二实心波导部之间的距离由靠近所述第一波导区的一端向背离所述第一波导区的一端增大。10.根据权利要求1-9任一项所述的波导芯层,其特征在于,所述第一波导区包括:沿所述第一方向从所述第一波导区的一端延伸至另一端的第三实心波...
【专利技术属性】
技术研发人员:王谦,吴文鹏,曾金林,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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