滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备技术

本发明专利技术提供了一种滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备，涉及光学薄膜技术领域，该滤光片包括透明基底以及分别设置在透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；第一长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，过渡带中心波长为700‑900nm；第二长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^14，过渡带中心波长为780‑900nm；其中，H对应高折射率膜层，L对应低折射率膜层。该滤光片在830‑950nm谱段具有高透过率，同时在300‑750nm谱段宽截止，大大改进了该谱段滤光片的通带及截止带的特性，从而能够满足指纹传感器模组的使用要求。

Filter and its preparation method, fingerprint identification module and electronic equipment

The invention provides a filter, a preparation method, a fingerprint identification module and an electronic device, which relates to the technical field of optical thin film, comprising a transparent substrate and the first and second longwave through film systems arranged on both sides of the transparent substrate, respectively. The film system structure of the first longwave through film system includes (0.5HL0.5H) ^ 10, and the center wavelength of the transition zone is 700 900 nm. The structure of the wave-through film system includes (0.5H L 0.5H) ^ 14, the central wavelength of transition zone is 780 900 nm, and H corresponds to high refractive index film and L corresponds to low refractive index film. The filter has high transmittance at 830 950 nm and wide cut-off at 300 750 nm, which greatly improves the pass-band and cut-off band characteristics of the filter, so as to meet the requirements of the fingerprint sensor module.

【技术实现步骤摘要】
滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备
本专利技术涉及光学薄膜
，尤其是涉及一种滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备。
技术介绍
目前手机等电子产品的指纹传感器模组中，亟需一种满足以下要求的滤光片：(1)在830-950nm谱段具有高透过率；(2)在300-750nm谱段具有抑制光信号的作用，以减少信号噪声的影响；(3)在低温(-40℃)、高温(+85℃)、高湿(90％)及冷热循环变化的环境长时间放置后仍然可以使用；(4)基底厚度小(<0.3mm)，以满足模组整体结构的微型化要求；(5)在轻微外力反复摩擦(压力<5N)下，膜层无损伤；(6)在酒精乙醚混合液(酒精:乙醚＝1：2)轻微反复擦拭下，膜层无损伤；(7)在高温纯水(>95℃)里浸泡2小时以上，拉膜(使用CT-18胶带)后膜层无脱落。然而现有技术中未有在830-950nm谱段具有高透过率，同时在300-750nm谱段宽截止的近红外滤光片，无法满足在指纹传感器模组中的使用要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备，以实现滤光片在830-950nm谱段具有高透过率，同时在300-750nm谱段宽截止。第一方面，本专利技术实施例提供了一种滤光片，包括透明基底以及分别设置在所述透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层；所述第一长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，所述第一长波通膜系的过渡带中心波长为700-900nm；所述第二长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^14，所述第二长波通膜系的过渡带中心波长为780-900nm；其中，H对应所述高折射率膜层，L对应所述低折射率膜层。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述高折射率膜层的材质包括氢化硅或氮化硅。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述低折射率膜层的材质包括氧化硅。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述透明基底的材质包括玻璃、石英、蓝宝石或硅酸盐光学玻璃。结合第一方面的第三种可能的实施方式，本专利技术实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述透明基底的平行度小于30″。第二方面，本专利技术实施例还提供一种滤光片的制备方法，包括：在透明基底的两侧分别形成第一长波通膜系和第二长波通膜系，得到滤光片；其中，所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层；所述第一长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，所述第一长波通膜系的过渡带中心波长为700-900nm；所述第二长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^14，所述第二长波通膜系的过渡带中心波长为780-900nm；其中，H对应所述高折射率膜层，L对应所述低折射率膜层。结合第二方面，本专利技术实施例提供了第二方面的第一种可能的实施方式，其中，所述高折射率膜层包括氢化硅膜层，所述低折射率膜层包括氧化硅膜层；所述在透明基底的两侧分别形成第一长波通膜系和第二长波通膜系，包括：通过磁控溅射工艺和硅靶，在所述透明基底的一侧逐层交替沉积所述第一长波通膜系中的氢化硅膜层和氧化硅膜层，以及在所述透明基底的另一侧逐层交替沉积所述第二长波通膜系中的氢化硅膜层和氧化硅膜层。结合第二方面的第一种可能的实施方式，本专利技术实施例提供了第二方面的第二种可能的实施方式，其中，所述氢化硅膜层的溅射速度为0.1-1.0nm/s，所述氧化硅膜层的溅射速度为0.5-1.5nm/s。第三方面，本专利技术实施例还提供一种指纹识别模组，包括如上述第一方面所述的滤光片。第四方面，本专利技术实施例还提供一种电子设备，包括如上述第三方面所述的指纹识别模组。本专利技术实施例带来了以下有益效果：本专利技术实施例中，滤光片包括透明基底以及分别设置在透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；第一长波通膜系和第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层；第一长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，第一长波通膜系的过渡带中心波长为700-900nm；第二长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^14，第二长波通膜系的过渡带中心波长为780-900nm；其中，H对应高折射率膜层，L对应低折射率膜层。该滤光片在830-950nm谱段具有高透过率，同时在300-750nm谱段宽截止，大大改进了该谱段滤光片的通带及截止带的特性，从而能够满足指纹传感器模组的使用要求。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种滤光片的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种第一长波通膜系的理论透射光谱图；图3为本专利技术实施例提供的一种第二长波通膜系的理论透射光谱图；图4为本专利技术实施例提供的一种滤光片的透射光谱图；图5为本专利技术实施例提供的一种滤光片的制备方法的流程示意图。图标：100-透明基底；200-第一长波通膜系；300-第二长波通膜系；401-高折射率膜层；402-低折射率膜层。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。目前现有的滤光片仅能做到在830-950nm谱段具有高透过率，不能同时做到在300-750nm谱段具有抑制光信号的作用，无法满足在指纹传感器模组中的使用要求。基于此，本专利技术实施例提供的一种滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备，可以实现滤光片在830-950nm谱段具有高透过率，同时在300-750nm谱段宽截止。为便于对本实施例进行理解，首先对本专利技术实施例所公开的一种滤光片进行详细介绍。实施例一：本专利技术实施例提供了一种滤光片，该滤光片为830-950nm透过近红外滤光片。图1为本专利技术实施例提供的一种滤光片的结构示意图，如图1所示，该滤光片包括透明基底100以及分别设置在透明基底100两侧的第一长波通膜系200和第二长波通膜系300；第一长波通膜系200和第二长波通膜系300均包括交替叠加的高折射率膜层401和低折射率膜层402；第一长波通膜系200的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，第一长波通膜系200的过渡带中心波长为700-900nm；第二长波通膜系300的膜系结构包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤光片，其特征在于，包括透明基底以及分别设置在所述透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层；所述第一长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，所述第一长波通膜系的过渡带中心波长为700‑900nm；所述第二长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^14，所述第二长波通膜系的过渡带中心波长为780‑900nm；其中，H对应所述高折射率膜层，L对应所述低折射率膜层。

【技术特征摘要】
1.一种滤光片，其特征在于，包括透明基底以及分别设置在所述透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层；所述第一长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^10，所述第一长波通膜系的过渡带中心波长为700-900nm；所述第二长波通膜系的膜系结构包括(0.5HL0.5H)^14，所述第二长波通膜系的过渡带中心波长为780-900nm；其中，H对应所述高折射率膜层，L对应所述低折射率膜层。2.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述高折射率膜层的材质包括氢化硅或氮化硅。3.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述低折射率膜层的材质包括氧化硅。4.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述透明基底的材质包括玻璃、石英、蓝宝石或硅酸盐光学玻璃。5.根据权利要求4所述的滤光片，其特征在于，所述透明基底的平行度小于30″。6.一种滤光片的制备方法，其特征在于，包括：在透明基底的两侧分别形成第一长波通膜系和第二长波通膜系，得到滤光片；其中，所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆张武，王迎，徐征驰，李恭剑，
申请(专利权)人：浙江水晶光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33