用于调节磁共振断层摄影（MRT）装置的磁场的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种用于调节具有磁体(2)的磁共振断层摄影(MRT)装置(1)的磁场的方法，包括：‑在斜降模式(10)下将所述磁体(2)从操作状态转变到非操作状态；‑随后在斜升模式(20)下将所述磁体(2)从非操作状态转变到操作状态；‑观测(20)不同于所述磁场的参考参数；‑设置(25)用于所述参考参数的目标值；‑将观测到的参考参数与所述目标值进行比较(35)；以及‑当所述参考参数达到所述目标值时，完成(40)斜升模式。

【技术实现步骤摘要】
用于调节磁共振断层摄影(MRT)装置的磁场的方法
本专利技术描述了使用磁力供应装置和磁共振断层摄影(MRT)装置的用于调节磁共振断层摄影(MRT)装置的磁场的方法，。
技术介绍
磁共振断层摄影(MRT)装置在现有技术中是众所周知的。MRT装置的基本元件是通过其磁场限定由位于MRT中的患者或取样器(probe)发射的辐射的中心频率的磁体，其中在通过高频脉冲激发之后发射辐射。对应于中心频率，MRT装置的接收线圈适于接收发射辐射。对于超导磁体，必须使用常见的低温溶液来冷却氦浴中的磁体，其中磁体线圈在容器中与液体氦直接接触。大多数系统使用大约1000-2000升的液态氦，由于管理氦库存的复杂性，这增加了成本。超导磁体的当前趋势之一是大幅减少(低氦库存-LHI)或从磁体去除氦系统(干磁体)。这已经在用于NMR和动物MRI的小磁体上看到过。去除氦系统在将这样的磁体在实际医院或临床环境中操作存在许多技术挑战和实际挑战。特别是，对于“LHI和干磁体”，有可能发生现场电力供应故障和/或磁体制冷系统的冷却供应故障，存在“猝熄”的风险，其中磁体线圈变得有电阻，导致磁场的快速减少和磁体的升温，导致漫长的恢复时间和客户停机时间。为了减少MR系统对于客户的停机时间，MRT装置应当在这种情况下耗尽到零场，特别是通过使用斜降(ramp-down)模式将磁体从操作状态转变为非操作状态，但避免猝熄后的漫长恢复时间。一旦磁体制冷已恢复，通过再冷却磁体并将磁体再升到磁场，磁体从非操作状态转变到操作状态。然而，与先前实现的磁场相比，磁场的该重建可能导致在斜升(ramp-up)模式结束时建立的磁场的偏移。由此产生的发射辐射的中心频率与接收线圈的中心频率之间的不匹配导致MRT装置的传输性能降低。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是在斜降模式之后精确地调节MRT装置的磁场，特别是以有成本效益的且容易的方式。该目的通过根据权利要求1所述的用于调节磁共振的磁场的方法；通过根据权利要求13所述的磁力供应装置和根据权利要求15所述的磁共振断层摄影(MRT)装置而实现。根据本专利技术的第一方面，提供了一种用于调节具有磁体的磁共振成像(MRT)装置的磁场的方法，包括：-在斜降模式下将所述磁体从操作状态转变到非操作状态；-随后在斜升模式下将所述磁体从非操作状态转变到操作状态；-观测不同于磁场的参考参数；-设置用于所述参考参数的目标值；-将观测到的参考参数与所述目标值进行比较；以及-当所述参考参数达到所述目标值时，完成斜升模式。与现有技术相比，通过观测不同于磁场的参考参数并且通过将观测到的参考参数与目标值进行比较以用于确定斜升模式的结束来重建MRT装置的磁场。换句话说：不直接测量磁场，并且因此可以避免用于观测磁场的复杂测量系统。另外，可以精确地调节磁场以用于建立与接收线圈的中心频率匹配的期望中心频率。由此在斜升模式结束时重建期望的磁场。特别地，提供了控制单元，其用于-将观测到的参考参数与目标值进行比较；以及-完成斜升模式以用于重建期望的磁场。优选地，在斜升模式期间连续地比较参考参数和目标值。特别地，规定在斜升模式下，连续增加导致磁场的电流以用于实现磁场，并且在斜降模式下，减小该电流。由此电流由磁力供应装置提供。而且，规定这些方法涉及在先前的斜降模式之后(即，在先前停机之后)启动的斜升模式，例如出于安全原因，用于维护工作或用于恢复MRT装置的故障。短语“观测不同于磁场的参考参数”是通用的，用于在没有用于直接测量磁场的装置(例如磁通计、AC霍尔传感器、DC霍尔传感器、SQUID传感器或磁通门)的情况下进行测量。相反，观测或测量不同的参数。优选地，仅在斜升模式期间或在斜升模式的限定时间跨度期间观测参考参数。如以下描述中所揭示的，从属权利要求给出了本专利技术的其他有利实施例和特征。可以适当地组合不同权利要求类别的特征以给出本文未描述的其他实施例。根据优选实施例，规定所述参考参数是电流，特别是用于实现所述磁体的磁场的电流。例如通过将分流器集成到磁力供应装置中，可以容易地建立测量实现磁场的电流。此外，无论如何都要观测在斜升模式期间观测的电流。因此，不需要将新的测量装置集成到MRT装置中。优选地，规定为了设置所述目标值，在先前的斜升模式，例如前一斜升模式期间校准电流。特别地，在校准模式下，MRT装置在斜升模式下操作，同时测量中心频率和电流。一旦达到接收线圈的期望中心频率，测量对应的电流并将其作为目标值保存到存储器装置。通过依赖于保存的目标值，控制单元将在后续斜升模式下测量的实际参考参数与保存在存储器装置中的目标值进行比较。可以想到在安装期间或在维护工作期间发生负责校准的先前斜升模式。在优选实施例中，规定为了设置所述目标值，在先前斜降模式期间，特别是在斜升模式之前的斜降模式期间校准电流。结果，在接近斜升模式时执行校准。这允许降低磁力供应装置处的电流测量装置的精度、可重复性和再现规范。因此，分流器可以用作电流测量装置，代替更精确和稳定的相当的昂贵电流传感器。特别地，将这样的分流器集成到磁力供应装置中确保了关于磁力供应装置的定位的更大灵活性，原因是分流器不像电流传感器那样对杂散磁场敏感。此外，在该实施例中不需要MRT装置来监测和存储电流测量装置的校准。因此，可以避免涉及定期服务或客户牵涉的更复杂过程。优选地，规定为了设置所述目标值，在斜降模式的启动阶段期间观测电流。特别地，在斜降模式开始之前(即，在电流减小之前)立即测量电流。结果，将用于实现期望磁场的最后已知电流值的电流值设置为目标值。这是设置目标值的一种特别容易的方法。在启动阶段校准目标值的另一个优点是不需要必须放入MRT装置中的另外的取样器。在本专利技术的另一个优选实施例中，规定通过包括在所述MRT装置的磁力供应装置中的电流测量装置测量电流。通过将电流测量装置集成到磁力供应装置中，还可以有利地减少布线工作以及用于屏蔽电流测量装置的屏蔽工作。结果，可以避免关于布线和屏蔽的额外成本。根据本专利技术的另一个实施例，规定所述斜降模式是紧急斜降模式。因此校准(即，设置目标值)包含到紧急斜降中。优选地，一旦启动紧急减速，就测量电流。因此，可以尽快开始减小电流。在根据本专利技术的另一个实施例中，规定所述参考参数是频率，特别是由放置在所述MRT装置中的体模(phantom)发射的频率。一旦发射的频率达到接收线圈的中心频率，就停止斜升。在该情况下，目标值对应于接收线圈的中心频率。因此，只需要将体模或取样器定位到MRT装置中。优选地，规定斜变模式被中断并且建立低于期望磁场的磁场。随后，体模定位在MRT装置中并且继续斜变模式。结果，可以在没有体模的情况下执行斜变模式的开始，例如在诸如夜间的MRT装置的无人看管状态下。特别地，规定在斜升模式开始之前或斜升模式期间将体模(例如PTAB体模)放置，优选自动放置到所述MRT装置中。通过自动放置体模，可以保证体模的位置是可重复的，并且不需要操作员的干涉。根据本专利技术的另一个实施例，规定在预定时间段之后，特别是自动地重置设置目标。结果，例如，考虑到电流测量装置的老化，不时刷新目标值。在另一个实施例中，规定斜降模式由控制单元启动-通过所述MRT装置的故障消息(特别是关于影响磁体制冷的任何故障)。-在限定时序之后和/或-作为激活的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于调节具有磁体(2)的磁共振断层摄影(MRT)装置(1)的磁场的方法，包括：‑在斜降模式(10)下将所述磁体(2)从操作状态转变到非操作状态；‑随后在斜升模式(20)下将所述磁体(2)从非操作状态转变到操作状态；‑观测(20)不同于所述磁场的参考参数；‑设置(25)用于所述参考参数的目标值；‑将观测到的参考参数与所述目标值进行比较(35)；以及‑当所述参考参数达到所述目标值时，完成(40)斜升模式。

【技术特征摘要】
2017.10.06 EP 17195210.41.一种用于调节具有磁体(2)的磁共振断层摄影(MRT)装置(1)的磁场的方法，包括：-在斜降模式(10)下将所述磁体(2)从操作状态转变到非操作状态；-随后在斜升模式(20)下将所述磁体(2)从非操作状态转变到操作状态；-观测(20)不同于所述磁场的参考参数；-设置(25)用于所述参考参数的目标值；-将观测到的参考参数与所述目标值进行比较(35)；以及-当所述参考参数达到所述目标值时，完成(40)斜升模式。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考参数是电流，特别是用于实现所述磁体的磁场的电流。3.根据权利要求2所述的方法，其中为了设置(25)所述目标值，在先前的斜升模式(20)，例如前一斜升模式(20)期间校准电流。4.根据权利要求2或3所述的方法，其中为了设置(25)所述目标值，在先前斜降模式(10)期间，特别是在斜升模式(20)之前的斜降模式(10)期间校准电流。5.根据权利要求4所述的方法，其中为了设置(25)所述目标值，在斜降模式(10)的启动阶段期间观测电流。6.根据权利要求2至5之一所述的方法，其中通过包括在所述MRT装置(1)的磁力供应装置(60)中的电流测量装置测量电流。7.根据权利要求4至6之一所述的方法，其中所述斜降模式(10)是紧急斜降模式。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考参数是频率，特别是由放置在所述MRT装置(1)中的体模发射的频率。9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：N阿利，S比伯，
申请(专利权)人：西门子保健有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE