一种低损耗电容器及集成芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种低损耗电容器及集成芯片，涉及半导体领域。低损耗电容器，低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，基片具有相对而设的第一表面和第二表面，绝缘层位于第一表面，第二金属层位于第二表面，第一金属层位于绝缘层远离基片的一面，第三金属层环绕绝缘层外，并设置于第一表面上。通过第三金属层的环绕设置能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗电容器及集成芯片
本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种低损耗电容器及集成芯片。
技术介绍
损耗是无线通信及射频电路设计中的一个重要指标，在功率放大电路中，低损耗意味着较高的功放效率和较好的热量管理；在天线应用中，低电路损耗能够降低天线馈线的能量损耗，同时也可提高辐射单元的效率和天线的信号覆盖范围。随着电子技术的发展，电容器等无源元件的损耗在电路功率损耗中所占比例越来越大，为了降低电容器对电路功率损耗的影响，通常会采用较低损耗的电容器。目前市面上常见的电容器均是以低损耗材料为基础，采用成熟半导体工艺制备。但是电容器的材料确定后，其损耗也基本确定，无法对损耗作出进一步的降低。
技术实现思路
本技术的目的之一在于提供一种低损耗电容器，其能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。本技术的另一目的在于提供一种集成芯片，其能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。为了实现上述目的，本技术提供一种技术方案：本技术实施例提供了一种低损耗电容器，所述低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述基片具有相对而设的第一表面和第二表面，所述绝缘层位于所述第一表面，所述第二金属层位于所述第二表面，所述第一金属层位于所述绝缘层远离所述基片的一面，所述第三金属层环绕所述绝缘层外，并设置于所述第一表面上。进一步地，所述第三金属层为全封闭环或带缺口环。进一步地，所述第三金属层采用光刻工艺制成。进一步地，所述第三金属层在与所述第一表面平行方向的环状宽度为2至15微米。进一步地，所述第三金属层在沿垂直所述第一表面方向的高度不小于所述绝缘层的高度。进一步地，所述第三金属层所围面积不大于所述第一表面的面积。进一步地，所述第二金属层与所述绝缘层的接触处的面积小于该接触处的所述绝缘层的面积。进一步地，所述基片的所述第一表面和所述第二表面中至少一个表面为抛光面。进一步地，所述基片的电阻率至少为0.001欧姆·厘米。本技术实施例还提供了一种集成芯片，包括集成芯片本体及低损耗电容器。所述低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述基片具有相对而设的第一表面和第二表面，所述绝缘层位于所述第一表面，所述第二金属层位于所述第二表面，所述第一金属层位于所述绝缘层远离所述基片的一面，所述第三金属层环绕所述绝缘层外，并设置于所述第一表面上。所述低损耗电容器与所述集成芯片本体电连接。相对于现有技术，本技术提供的低损耗电容器及集成芯片的有益效果是：本技术提供的一种低损耗电容器及集成芯片，基片具有相对而设的第一表面和第二表面，绝缘层位于第一表面，第二金属层位于第二表面，第一金属层位于绝缘层远离基片的一面，第三金属层环绕绝缘层外，并设置于第一表面上，通过第三金属层的环绕设置能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本技术实施例提供的集成芯片的连接示意图；图2为本技术实施例提供的集成芯片的低损耗电容器的立体示意图；图3为本技术实施例提供的集成芯片的低损耗电容器的剖视图；图4为本技术实施例提供的集成芯片的低损耗电容器的第三视角示意图。图标：1-集成芯片；11-集成芯片本体；12-低损耗电容器；120-基片；121-绝缘层；122-第一金属层；1221-第一表面；1222-第二表面；123-第二金属层；124-第三金属层。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“开设”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例请参阅图1，图1为本技术实施例提供的集成芯片1的连接示意图。集成芯片1主要用于整合多种电子元器件功能于一体，是一种体积小巧便于用户实现运算和存储的电路模块。集成芯片1包括集成芯片本体11及低损耗电容器12，集成芯片本体11主要用于帮助用户快速运算和存储数据，集成芯片本体11与低损耗电容器12电连接。低损耗电容器12不限于一个，可以有多个与集成芯片本体11电连接。低损耗电容器12主要用于阻止直流通过而让交流通过、为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路、储存电能，用于必须要的时候释放及对与频率相关的电路进行系统调谐等方面。本实施例中提供的低损耗电容器12，能够降低电容器的损耗，降低因发热所消耗的能量。请参阅图2，图2为本技术实施例提供的集成芯片1的低损耗电容器12的立体示意图。低损耗电容器12包括基片120、绝缘层121、第一金属层122、第二金属层123和第三金属层124，基片120具有相对而设的第一表面1221和第二表面1222，绝缘层121位于第一表面1221，第二金属层123位于第二表面1222，第一金属层122位于绝缘层121远离基片120的一面，第三金属层124环绕绝缘层121外，并设置于第一表面1221上。其中，第一金属层122和第二金属层123相距一个很近的距离，在此距离中加入绝缘层121。需要说明地是，低损耗电容器12的损耗是普通硅芯片电容器的1/2-2/3，极大降低了低损耗电容器12在电路中的功率损耗，对于降低整个电路的功率损耗有着极其重大的作用，从而可以降低因发热所消耗的能量，使得集成芯片本体11发热量减小，有助于集成芯片本体1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低损耗电容器，其特征在于，所述低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述基片具有相对而设的第一表面和第二表面，所述绝缘层位于所述第一表面，所述第二金属层位于所述第二表面，所述第一金属层位于所述绝缘层远离所述基片的一面，所述第三金属层环绕所述绝缘层外，并设置于所述第一表面上。

【技术特征摘要】
1.一种低损耗电容器，其特征在于，所述低损耗电容器包括基片、绝缘层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述基片具有相对而设的第一表面和第二表面，所述绝缘层位于所述第一表面，所述第二金属层位于所述第二表面，所述第一金属层位于所述绝缘层远离所述基片的一面，所述第三金属层环绕所述绝缘层外，并设置于所述第一表面上。2.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第三金属层为全封闭环或带缺口环。3.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第三金属层采用光刻工艺制成。4.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特征在于，所述第三金属层在与所述第一表面平行方向的环状宽度为2至15微米。5.根据权利要求1所述的低损耗电容器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺勇，喻振宁，韩玉成，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，贵州振华电子信息产业技术研究有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州,52