炉管机台和洁净室制造技术

本发明专利技术涉及一种炉管机台和洁净室，所述炉管机台包括：处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳垂直放置的晶舟；装载装置，与所述处理装置的一侧固定连接；控制装置，与所述处理装置的另一侧固定连接；所述装载装置和控制装置的底面齐平，且高于所述处理装置的底面。所述炉管机台对于安装空间的高度要求降低。

【技术实现步骤摘要】
炉管机台和洁净室
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种炉管机台和洁净室。
技术介绍
炉管机台是目前半导体处理工艺中经常使用的一种机台，可以用于进行氧化工艺、化学气相沉积等多种半导体处理工艺。炉管机台的反应腔室内设置有垂直放置的晶舟，多片晶圆沿晶舟高度方向排列放置于晶舟的晶圆放置位内，进行半导体处理。晶舟的高度以及晶圆放置位之间的间距，决定了炉管机台能够同时处理的晶圆数量。如通过减小晶圆放置位之间的间距，会导致晶圆之间气体流动均匀性变差，造成严重的负载效应，使得各晶圆上进行的半导体处理均匀性变差。因此，需要通过提高晶舟的高度，即炉管机台的高度，来提高单次可处理的晶圆数量，从而提高产能。但是，由于机台放置的洁净室的高度限制，炉管机台的高度也受到限制，很难再进行提高，使得产能提高受限。而如果为了使用更高高度的炉管机台而重新建造洁净室，又会导致巨大的成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种炉管机台和洁净室，在不提高成本的前提下，提高产能。本专利技术提供一种炉管机台，包括：处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳垂直放置的晶舟；装载装置，与所述处理装置的一侧固定连接；控制装置，与所述处理装置的另一侧固定连接；所述装载装置和控制装置的底面齐平，且高于所述处理装置的底面。可选的，所述装载装置和控制装置的底面与所述处理装置底面的高度差为50cm～80cm。可选的，所述装载装置与处理装置分别具有一道隔离门，两道隔离门位置相对；当两道隔离门开启时，所述装载装置与处理装置连通。可选的，所述处理装置的高度为3500mm～4263mm。本专利技术的技术方案还提供一种洁净室，包括：地板，所述地板具有凹陷处；所述炉管机台的处理装置的底部位于所述凹陷处且底面置于所述凹陷处底部表面上；所述装载装置和控制装置的底面置于所述地板表面。可选的，所述装载装置和所述控制装置的底面与所述处理装置底面的高度差与所述凹陷处的凹陷深度相同。可选的，所述地板包括第一层地板和第二层地板，所述第二层地板架空于所述第一层地板表面，且所述第二层地板具有镂空处；所述处理装置的底部穿过所述镂空处，置于所述第一层地板表面。可选的，所述镂空处的形状、尺寸与所述处理装置的形状、尺寸匹配。可选的，所述镂空处边缘一定距离范围内的第二层地板可拆卸。可选的，所述装载装置和所述控制装置的底面与所述处理装置底面的高度差与所述第二层地板表面和第一层地板表面之间的距离相等。可选的，所述凹陷处的凹陷深度为50cm～80cm。本专利技术的炉管机台包括处理装置、装载装置和控制装置，所述处理装置部分低于所述装载装置、控制装置，可以下沉安装于所述装载装置和控制装置的安装平面下方的表面上，例如安装于洁净室的架空地板下方，可以充分利用洁净室的高度空间，降低对洁净室的高度要求，从而提高单次处理的晶圆数量以及降低负载效应。附图说明图1为本专利技术一具体实施方式的炉管机台的结构示意图；图2为本专利技术一具体实施方式的洁净室的结构示意图；图3为本专利技术一具体实施方式的洁净室的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术提供的炉管机台和洁净室的具体实施方式做详细说明。请参考图1，为本专利技术一具体实施方式的炉管机台的结构示意图。所述炉管机台包括处理装置101、装载装置102和控制装置103。所述炉管机台可以为热氧化、化学气相沉积等工艺的处理机台。所述处理装置101包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳垂直放置的晶舟。晶舟高度以及晶舟的晶圆放置位置之间的间距，决定了处理装置101内可以单次容纳的晶圆数量。例如，950mm晶舟，6.3mm间距设置，可以一次放置125片晶圆；而8mm间距设置，则容纳100片晶圆，而12mm间距，则只能放置75片晶圆。晶圆间间距增大能够降低半导体处理过程的负载效应。无论是从降低负载效应考虑，还是从增大单次晶圆处理量考虑，采用较高的晶舟均是必要的。而晶舟高度增大，必然使得处理装置101的高度增大。该具体实施方式中，所述处理装置101的高度为3500mm～4263mm。所述装载装置102与所述处理装置101的一侧固定连接。所述装载装置102作为连接结构，用于承载晶圆容纳装置，例如晶圆盒(FOUP)等。所述装载装置102也作为外部与处理装置101的缓冲区域，避免外部气体在处理装置101开启时，直接进入反应腔室内。所述装载装置102与处理装置101分别具有一道隔离门，两道隔离门位置相对；当两道隔离门同时开启时，所述装载装置102与处理装置101连通，可以将晶圆传送入反应腔室内。所述控制装置103与所述处理装置101的另一侧固定连接。所述控制装置103可以包括：气体供应模块、电源模块、控制模块等，与所述装载装置102、处理装置101之间具有电气连接。现有技术中，为了考虑设备摆放的稳定性等问题，各装置的底部齐平设置，安装时，各装置位于同一平面上。但是对于高度较高的处理装置101，由于洁净室的高度有限，可能无法安装。为了解决这个问题，专利技术人创造性的使得处理装置101的底面低于所述装载装置102、控制装置103的底面。在方式半导体处理设备的洁净室内会设置架空地板，设备会安装于架空地板上，以保持设备底部的空气循环，也可将线缆铺设于所述架空地板下方，保持架空地板上方的整洁。架空地板与屋顶之间的距离，限定了洁净室内可以安装的设备的高度。所述处理装置101低于所述装载装置102、控制装置103的部分，可以下沉安装于所述架空地板下方，而充分利用洁净室的高度空间，提高洁净室内可以安装的设备的高度，从而采用更大高度的处理装置101，以提高单次处理的晶圆数量以及降低负载效应。由于所述装载装置102、控制装置103的高度通常均低于所述处理装置101的高度，基本不受洁净室的空间高度限制。所述装载装置102和控制装置103的底面与所述处理装置101的底面之间的高度差等于待安装所述炉管机台的洁净室内的架空地板表面与地面之间的距离，以使得所述处理装置101底面承载于地面上时，所述装载装置102和控制装置103的底面承载于所述架空地板表面。在本专利技术的具体实施方式中，所述装载装置102和控制装置103的底面与所述处理装置102的底面之间的高度差H为50cm～80cm。本专利技术的具体实施方式还提供一种用于放置上述具体实施方式中所述的炉管机台的洁净室。请参考图2，为一洁净室的示意图。所述洁净室用于放置上述具体实施方式中所述的炉管机台。所述洁净室内设置有地板，所述地板可以为底层地板，也可以为洁净室的垂直空间的分隔地板，例如二层(2F)地板或三层(3F)地板。在一些具体实施方式中，所述地板包括第一层地板和架空于所述第一层地板表面的第二层地板，且所述第二层地板具有镂空处。所述处理装置的底部可从所述镂空处穿过，置于所述第一层地板表面。该具体实施方式中，所述地板包括：基层地面201和架空地板202。所述架空地板202位于所述基层地面201上方架空设置，所述架空地板202具有镂空处；所述炉管机台的处理装置101穿过所述架空地板202的镂空处，置于所述基层地面201表面；所述处理装置101和控制装置103的底面置于所述架空地板202表面。所述基层地面201即为洁净室的房屋地面。所述架空地板202通过支撑结构2021架空于所述基层地面201上方。所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种炉管机台，其特征在于，包括：处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳垂直放置的晶舟；装载装置，与所述处理装置的一侧固定连接；控制装置，与所述处理装置的另一侧固定连接；所述装载装置和控制装置的底面齐平，且高于所述处理装置的底面。

【技术特征摘要】
1.一种炉管机台，其特征在于，包括：处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室用于容纳垂直放置的晶舟；装载装置，与所述处理装置的一侧固定连接；控制装置，与所述处理装置的另一侧固定连接；所述装载装置和控制装置的底面齐平，且高于所述处理装置的底面。2.根据权利要求1所述的炉管机台，其特征在，所述装载装置和控制装置的底面与所述处理装置底面的高度差为50cm～80cm。3.根据权利要求1所述的炉管机台，其特征在，所述装载装置与处理装置分别具有一道隔离门，两道隔离门位置相对；当两道隔离门开启时，所述装载装置与处理装置连通。4.根据权利要求1所述的炉管机台，其特征在，所述处理装置的高度为3500mm～4263mm。5.一种洁净室，用于放置如权利要求1至4中任一项所述的炉管机台，其特征在于，包括：地板，所述地板具有凹陷处；所述炉管机台的处理装置的底部位于所述凹陷处内且底面置于所述凹陷处底部表面上；所述装载装置和...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘国卫，宋海，李召峰，王秉国，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42