【技术实现步骤摘要】
一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法
本专利技术属于集成电路制造
,具体涉及一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法。
技术介绍
等离子体化学气相淀积设备成为集成电路薄膜淀积领域主要的设备类型之一,在芯片制造领域中大规模的使用。在日常使用中,工艺转换、保养结束、空闲后进行薄膜的生长,CVD设备的腔体因腔体内状态变化,生长的薄膜会受到首片效应的影响,即前几片生长的薄膜的厚度会和正常的产品有很大的区别,特别是高密度等离子体化学气相沉积设备(HDP-CVD)或者电感耦合化学沉积设备(ICP-CVD),腔体环境经过长时间的空闲(idle)后,执行清洁(clean)菜单恢复设备正常的运行环境,随后淀积的薄膜会出现“首片效应”,即:第一片晶圆生长的厚度变厚,之后厚度慢慢下降,直到多片后才能回到平稳的厚度波动。目前等离子体设备在运行的过程中采用空档片避免首片效应,即在正式生长产品前,首先用空档片生长几片,让这些空档片承受首片效应,然后再正式生长。这种方法费时低效,消耗大量的工艺气体和空档片,成本高。
技术实现思路
专利技术目的:针对现有技术中存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法。本专利技术效率高,节省成本,可以有效地消除CVD设备淀积薄膜的首片效应,有利于提高工艺的稳定性和片间厚度均匀性。技术方案:为了解决上述问题,本专利技术所采用的技术方案如下:一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法,通过CVD设备腔体经过刻蚀性气体清洁腔体和基座表面后,增加“加热”步骤,对整个腔体环境进行改善;所述“加热”步骤为提高CVD设备腔 ...
【技术保护点】
1.一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法,其特征在于,通过CVD设备腔体经过刻蚀性气体清洁腔体和基座表面后,增加“加热”步骤,对整个腔体环境进行改善;所述“加热”步骤为提高CVD设备腔体环境温度。
【技术特征摘要】
1.一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法,其特征在于,通过CVD设备腔体经过刻蚀性气体清洁腔体和基座表面后,增加“加热”步骤,对整个腔体环境进行改善;所述“加热”步骤为提高CVD设备腔体环境温度。2.根据权利要求1所述的消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法,其特征在于,所述“加热”步骤具体操作为:首先对CVD设备腔体进行抽真空处理;然后打开所有RF射频,偏压关闭;通入刻蚀性气体,所述气体不与淀积物质发生反应;并持续通入气体。3.根据权利要求2所述的消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法,其特征在于,采用分子泵或干泵对C...
【专利技术属性】
技术研发人员:许开东,崔虎山,刘自明,邹志文,任慧群,胡冬冬,陈璐,
申请(专利权)人:江苏鲁汶仪器有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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