【技术实现步骤摘要】
一种横向肖特基二极管及其制作方法
本专利技术涉及一种半导体器件,具体但不限于一种横向肖特基二极管及其制作方法。
技术介绍
肖特基二极管由于其较低的正向导通压降和较快的开关速度等特点被广泛应用,典型的肖特基二极管结构为如图1所示的纵向肖特基二极管结构,具有P型衬底、N型掩埋层、漂移区、P型保护环01、N型阱区、阳极A和阴极C等区域。为了获得更高的反向击穿电压,漂移区的厚度要增加,这就需要增加外延层厚度,增加了器件的成本,另外,外延层的厚度也不能无限增加,同时,P型保护环01周围的掺杂浓度要变得更低以实现更高的击穿电压,但是过低的掺杂浓度会导致表面肖特基接触与N型掩埋层之间的连接变弱而影响器件的正向导通性能,因此,由于这些自身结构的局限,纵向肖特基二极管的反向击穿电压往往达不到80V。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的一个或多个技术问题,本专利技术提出一种横向肖特基二极管及其控制方法。根据本专利技术实施例的一种横向肖特基二极管,包括:具有第一掺杂类型的衬底;具有第二掺杂类型的第一埋层;阳极;阴极;以及外延层,所述外延层包括:具有第二掺杂类型的电流区;具有第二掺杂类型的第一阱区和第二阱区,所述第一阱区与阳极连接,所述第二阱区与阴极连接,当二极管正向导通时,电流可以经所述第一阱区、所述电流区和所述第二阱区流通;形成在第一阱区内的具有第一掺杂类型的保护环;具有第一掺杂类型的第三阱区,所述第三阱区形成于电流区上方且与第一阱区毗邻,所述第三阱区与所述保护环接触且掺杂浓度低于所述保护环的掺杂浓度;漂移区,位于第二阱区和第三阱区之间,且位于电流区上方,增加漂移区的长度可以提 ...
【技术保护点】
1.一种横向肖特基二极管,包括:具有第一掺杂类型的衬底;具有第二掺杂类型的第一埋层;阳极;阴极;以及外延层,所述外延层包括:具有第二掺杂类型的电流区;具有第二掺杂类型的第一阱区和第二阱区,所述第一阱区与阳极连接,所述第二阱区与阴极连接,当二极管正向导通时,电流可以经所述第一阱区、所述电流区和所述第二阱区流通;形成在第一阱区内的具有第一掺杂类型的保护环;具有第一掺杂类型的第三阱区,所述第三阱区形成于电流区上方且与第一阱区毗邻,所述第三阱区与所述保护环接触且掺杂浓度低于所述保护环的掺杂浓度;漂移区,位于第二阱区和第三阱区之间,且位于电流区上方,增加漂移区的长度可以提高所述肖特基二极管的反向击穿电压;以及形成在第二阱区内的具有第二掺杂类型的阴极接触区。
【技术特征摘要】
1.一种横向肖特基二极管,包括:具有第一掺杂类型的衬底;具有第二掺杂类型的第一埋层;阳极;阴极;以及外延层,所述外延层包括:具有第二掺杂类型的电流区;具有第二掺杂类型的第一阱区和第二阱区,所述第一阱区与阳极连接,所述第二阱区与阴极连接,当二极管正向导通时,电流可以经所述第一阱区、所述电流区和所述第二阱区流通;形成在第一阱区内的具有第一掺杂类型的保护环;具有第一掺杂类型的第三阱区,所述第三阱区形成于电流区上方且与第一阱区毗邻,所述第三阱区与所述保护环接触且掺杂浓度低于所述保护环的掺杂浓度;漂移区,位于第二阱区和第三阱区之间,且位于电流区上方,增加漂移区的长度可以提高所述肖特基二极管的反向击穿电压;以及形成在第二阱区内的具有第二掺杂类型的阴极接触区。2.如权利要求1所述的横向肖特基二极管隔离层,还包括形成在第一阱区和衬底之间的具有第一掺杂类型的第二埋层,所述第二埋层与电流区接触,与第三阱区不接触。3.如权利要求2所述的横向肖特基二极管,所述第二埋层在所述肖特基二极管承受反压时调节漏电流大小。4.如权利要求2所述的横向肖特基二极管,所述第二埋层在所述肖特基二极管正向导通时调节正向导通电阻大小。5.如权利要求1所述的横向肖特基二极管,所述肖特基二极管的反向击穿横向发生在第二阱区、第三阱区和漂移区这三个区域。6.如权利要求1所述的横向肖特基二极管,还包括形成在阳极和阴极之间的隔离层。7.如权利要求1所述的横向肖特基二极管,所述电流区的掺杂浓度低于第一阱区和第二阱区的掺杂浓度。8.如权利要求1所述的横向肖特基二极管,当所述肖特基二极管反向耐压时,所述电流区帮助承担一部分反向电压。9.如权利要求1所述的横向肖特基二极管,所述第三阱区和保护环共同用于减轻电场的边缘效应。10.一种制作横向肖特基二极管的方法,包括:在具有第一掺杂类型的衬底上形成具有第二掺杂类型的第一埋层;在衬底上形成具有第二掺杂类型的外延层;在外延层内形成具有第二掺杂类型的电流区;在外延层内形成具有第二掺杂类型的第一阱区和第二阱区,当二极管正向导通时,电流可以经第一阱区、电流区和第二阱区流通;在外延层内形成与第一阱区毗邻且不与第二埋层接触的具有第一掺杂类型的第三阱区;在第一阱区内形成与第三阱区毗邻且具有第一掺杂类型的保护环,所述保护环的掺杂浓度高于第三阱区的掺杂浓度;在第二阱区内形成具有第二掺杂类型的阴极接触区;形成阳极,所述阳极与第一阱区连接;以及形成阴极,所述阴极与阴极接触区连接;其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:连延杰,傅达平,
申请(专利权)人:成都芯源系统有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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