一种宇航级高压陶瓷接触器制造技术

本发明专利技术公开了一种宇航级高压陶瓷接触器。包括有陶瓷座,陶瓷座内设有密封腔体，密封腔体的上端两侧陶瓷座上分别设有静触头，陶瓷座下方设有底板，底板下方竖直设有导向管，导向管内活动设有传动杆，底板上固定设有环形限位块，环形限位块活动连接有传动杆，环形限位块上方的传动杆上活动设有超程弹簧，超程弹簧上端的传动杆上固定设有第一U形挡圈，超程弹簧下端的传动杆上活动设有第二U形挡圈。本发明专利技术具有接触器密封腔体产生的多余物少，避免多余物容易附着在动静触点上，接触器的动静触点之间接触好，同时多余物不易进入传动杆的导向管内，避免造成接触器内传动杆卡滞失效，接触器的使用寿命长，接触器可靠性好的有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种宇航级高压陶瓷接触器
本专利技术涉及一种高压接触器，特别是一种宇航级高压陶瓷接触器。
技术介绍
宇航级高压陶瓷接触器作为一种重要的电子元件，应用在大量战略级武器型号中，随着军事、宇航领域技术的不断发展，对其提出的要求也是多种多样，接触器可靠性要求也是越来越高。但是现有接触器的技术中存在,接触器密封腔体大多是采用金属腔体，金属腔体内的静触点与金属腔体之间及动触点与传动杆之间均设有非金属绝缘套，在接触器工作的过程中，由于接触器密封腔体内环境应力(如高低温度循环、老练、振动、外部电场、磁场等)及工作应力(如线圈发热、触点负载、触点动作次数、动作频率、工作负载、运动部件等)的单独或共同作用下，使接触器密封腔体内的金属及非金属绝缘材料产生的多余物（多余物指金属或非金属屑），而接触器密封腔体内的多余物容易附着在动静触点上，从而造成接触器的动静触点之间接触不良，同时接触器密封腔体内的多余物容易经传动杆与密封腔体之间进入传动杆的导向管内，造成接触器内传动杆易卡滞，从而形成接触器失效，接触器的可靠性差。综上所述，现有技术存在接触器密封腔体的金属及非金属绝缘材料易产生的多余物，多余物容易附着在动静触点上，从而造成接触器的动静触点之间接触不良，同时多余物容易进入传动杆的导向管内，造成接触器内传动杆易卡滞，从而形成接触器失效，接触器的可靠性差的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种宇航级高压陶瓷接触器。本专利技术具有接触器密封腔体产生的多余物少，避免多余物容易附着在动静触点上，接触器的动静触点之间接触好，同时多余物不易进入传动杆的导向管内，避免造成接触器内传动杆卡滞失效，接触器的使用寿命长，接触器可靠性好的特点。本专利技术的技术方案：一种宇航级高压陶瓷接触器，其特征在于：包括有陶瓷座,陶瓷座内设有密封腔体，密封腔体的上端两侧陶瓷座上分别设有静触头，陶瓷座下方设有底板，底板下方竖直设有导向管，导向管内活动设有传动杆，底板上固定设有环形限位块，环形限位块活动连接有传动杆，环形限位块上方的传动杆上活动设有超程弹簧，超程弹簧上端的传动杆上固定设有第一U形挡圈，超程弹簧下端的传动杆上活动设有第二U形挡圈，第一U形挡圈上方的传动杆上连接有接触桥，接触桥与传动杆之间设有衬套，衬套上方的传动杆上设有卡圈。前述的宇航级高压陶瓷接触器中，所述密封腔体上方两侧的陶瓷座分别设有连接孔，两侧的连接孔上分别设有静触头。前述的宇航级高压陶瓷接触器中，所述陶瓷座下端设有封接环，封接环内连接有所述底板。前述的宇航级高压陶瓷接触器中，所述陶瓷座上设有导气管。前述的宇航级高压陶瓷接触器中，所述导向管的外侧设有导磁体，导磁体的外侧设有套筒，导向管下端的传动杆上设有衔铁，衔铁与套筒活动连接，套筒的外侧设有线圈，线圈内设有铁芯，铁芯固定在内壳上，内壳的上端与所述底板下端外侧相连接，内壳的下端两侧分别经绝缘底座连接有壳体，壳体与内壳之间设有绝缘间隙，绝缘间隙内填充高温环氧树脂，壳体的上端与所述陶瓷座外侧相连接。前述的宇航级高压陶瓷接触器中，所述接触桥上端面两侧分别位于两侧静触点的正下方。前述的宇航级高压陶瓷接触器中，所述衬套上设有连接环，连接环的内孔与所述传动杆配合连接，连接环的上端面设有环形板。与现有技术相比，本专利技术通过陶瓷座内设有密封腔体，密封腔体采用陶瓷腔体，同时传动杆上连接有接触桥，接触桥与传动杆之间设有挡圈，挡圈上方的传动杆上设有卡圈，接触桥与传动杆之间不采用非金属绝缘套进行绝缘，从而减少密封腔体内的金属和非金属绝缘材料，所以在接触器工作的过程中，接触器密封腔体产生的多余物少，实现接触器密封腔体产生的多余物少，避免多余物容易附着在动静触点上，接触器的动静触点之间接触好；在接触桥与传动杆之间设有衬套，衬套上方的传动杆上设有卡圈的作用下，由于卡圈与接触桥硬度相差较大，通过衬套，避免接触器反复切换过程中卡圈直接拍打接触桥及第一U形挡圈直接拍打接触桥，同时减少接触桥与传动杆之间的相对摩擦，减少多余物产生，以及提高接触器的可靠性；通过环形限位块上方的传动杆上活动设有超程弹簧，超程弹簧上端的传动杆上固定设有第一U形挡圈，超程弹簧下端的传动杆上活动设有第二U形挡圈，使密封腔体内产生的多余物不易落入进入传动杆的导向管内，实现多余物不易进入传动杆的导向管内，避免造成接触器内传动杆卡滞失效，接触器的使用寿命长。综上所述，本专利技术具有接触器密封腔体产生的多余物少，避免多余物容易附着在动静触点上，接触器的动静触点之间接触好，同时多余物不易进入传动杆的导向管内，避免造成接触器内传动杆卡滞失效，接触器的使用寿命长，接触器可靠性好的有益效果。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；图2是本专利技术陶瓷座的结构示意图；图3是本专利技术陶瓷座密封腔体的结构示意图；图4是本专利技术陶瓷座及静触头的的结构示意图；图5是本专利技术局部的结构示意图；图6是本专利技术局部衬套的结构示意图。附图中的标记为：1-静触头，2-陶瓷座，3-底板，4-第一U形挡圈，5-第二U形挡圈，6-线圈，7-传动杆，8-套筒，9-绝缘间隙，10-内壳，11-卡圈，12-接触桥，13-衬套，14-超程弹簧，15-铁芯，16-导向管，17-导磁体，18-套筒，19-壳体，20-内壳，21-连接环，22-连接孔，23-密封腔体，24-导气管，25-封接环，26-环形限位块，27-环形板。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明，但并不作为对本专利技术限制的依据。实施例。一种宇航级高压陶瓷接触器，构成如图1-6所示，包括有陶瓷座2,陶瓷座2内设有密封腔体23，密封腔体23的上端两侧陶瓷座2上分别设有静触头1，陶瓷座2下方设有底板3，底板3下方竖直设有导向管16，导向管16内活动设有传动杆7，底板3上固定设有环形限位块26，环形限位块26活动连接有传动杆7，环形限位块26上方的传动杆7上活动设有超程弹簧14，超程弹簧14上端的传动杆7上固定设有第一U形挡圈4，超程弹簧14下端的传动杆7上活动设有第二U形挡圈5，第一U形挡圈4上方的传动杆7上连接有接触桥12，接触桥12与传动杆7之间设有衬套13，衬套13上方的传动杆7上设有卡圈11。本专利技术工作时，通过传动杆7的下端受到磁场力时，磁场力使导向管16内的传动杆7向下移动，传动杆7经卡圈11带动衬套13及接触桥12向下移动，使接触桥12与密封腔体23的上端两侧陶瓷座2上的静触头1分离，使密封腔体23的上端两侧陶瓷座2上的静触头1断开，同时向下移动的传动杆7经卡圈11、衬套13带动第一U形挡圈4向下移动，且第二U形挡圈5在环形限位块26的作用下，第二U形挡圈5不会发生移动，向下移动的传动杆7在第二U形挡圈5上移动，向下移动的第一U形挡圈4将第一U形挡圈4与第二U形挡圈5之间的超程弹簧14压缩，实现陶瓷座2上两侧的静触头1断开；当导向管16内的传动杆7不受到磁场力时，在第一U形挡圈4与第二U形挡圈5之间压缩超程弹簧14的作用下，压缩的超程弹簧14带动传动杆7在导向管16内向上移动，传动杆7经第一U形挡圈4卡圈11带动衬套13及接触桥12向上移动，向上移动的接触桥12与密封腔体23的上端两侧陶瓷座2上的静触头1接触，使密封腔体23的上端两侧陶瓷座2上的静触头1导通。同时由于本实用通过陶瓷座2内设有密本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宇航级高压陶瓷接触器，其特征在于：包括有陶瓷座（2） ,陶瓷座（2）内设有密封腔体（23），密封腔体（23）的上端两侧陶瓷座（2）上分别设有静触头（1），陶瓷座（2）下方设有底板（3），底板（3）下方竖直设有导向管（16），导向管（16）内活动设有传动杆（7），底板（3）上固定设有环形限位块（26），环形限位块（26）活动连接有传动杆（7），环形限位块（26）上方的传动杆（7）上活动设有超程弹簧（14），超程弹簧（14）上端的传动杆（7）上固定设有第一U形挡圈（4），超程弹簧（14）下端的传动杆（7）上活动设有第二U形挡圈（5），第一U形挡圈（4）上方的传动杆（7）上连接有接触桥（12），接触桥（12）与传动杆（7）之间设有衬套（13），衬套（13）上方的传动杆（7）上设有卡圈（11）。

【技术特征摘要】
1.一种宇航级高压陶瓷接触器，其特征在于：包括有陶瓷座（2）,陶瓷座（2）内设有密封腔体（23），密封腔体（23）的上端两侧陶瓷座（2）上分别设有静触头（1），陶瓷座（2）下方设有底板（3），底板（3）下方竖直设有导向管（16），导向管（16）内活动设有传动杆（7），底板（3）上固定设有环形限位块（26），环形限位块（26）活动连接有传动杆（7），环形限位块（26）上方的传动杆（7）上活动设有超程弹簧（14），超程弹簧（14）上端的传动杆（7）上固定设有第一U形挡圈（4），超程弹簧（14）下端的传动杆（7）上活动设有第二U形挡圈（5），第一U形挡圈（4）上方的传动杆（7）上连接有接触桥（12），接触桥（12）与传动杆（7）之间设有衬套（13），衬套（13）上方的传动杆（7）上设有卡圈（11）。2.根据权利要求1所述的宇航级高压陶瓷接触器，其特征在于：所述密封腔体（23）上方两侧的陶瓷座（2）分别设有连接孔（22），两侧的连接孔（22）上分别设有静触头（1）。3.根据权利要求1所述的宇航级高压陶瓷接触器，其特征在于：所述陶瓷座（2）下端设有封接环（25），封接环（25）内连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：马伟，肖斌，姚茂吉，朱正伟，陈凤，郑绍信，
申请(专利权)人：贵州振华群英电器有限公司国营第八九一厂，
类型：发明
国别省市：贵州,52