一种抗塞网丝网印刷网版及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种抗塞网丝网印刷网版及其制备方法，网版包括基体，基体的表面上设有复合膜层，复合膜层由内之外依序包括内层、中间层和外层，内层为钛铝层，中间层为钛铝+类金刚石层，外层为银掺杂类金刚石层。本发明专利技术的网版具有良好自洁抗塞网性能，同时膜层间的结合强度高。

【技术实现步骤摘要】
一种抗塞网丝网印刷网版及其制备方法
本专利技术涉及印刷网版领域，尤其涉及一种抗塞网丝网印刷网版及其制备方法。
技术介绍
丝网印刷工艺作为一种廉价的镀膜方式，目前已经广泛应用于制造业的各个领域，从半导体器件的开发，光伏电池双面栅线的印制，再到普通的平面图案印制，均离不开丝印技术。导电银浆一般有银粉、网版粉和有机组分组成。由于银粉易于团聚，而印刷过程中印花涂料在丝网上凝结和干固造成丝网堵塞。为克服一直困扰着涂料丝网印花过程中的塞网问题，印花涂料制造商和用户采取了许多方法，包括改进印花涂料的生产配方和工艺，在印花涂料中引入有抗塞网作用的助剂等。一些防塞网剂在实际使用中还常会引起印花涂料回粘和容易结皮等弊端，严重影响影响涂料丝网印花质量和效率。因此，研制出一种能够解决上述丝网印花塞网问题非常有必要。而如何首先降低丝网印花塞网从而使得丝网自清洁即可除塞，则显得更为重要，尤其针对丝网印花质量和效率这一特点更有实际应用意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种膜层结合度高、有效提升丝网印刷效率的抗塞网丝网印刷网版及其制备方法。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种抗塞网丝网印刷网版，包括基体，基体的表面上设有复合膜层，复合膜层由内之外依序包括内层、中间层和外层，所述内层为钛铝层，中间层为钛铝+类金刚石层，外层为银掺杂类金刚石层。所述钛铝层的厚度为30-50μm。所述钛铝+类金刚石层的厚度为30-50μm。所述银掺杂类金刚石层的厚度为50-100μm。所述基体的厚度为10-20mm。所述制备方法包括以下步骤：1)用清洗机对基体进行清洗；2)内层：将基体送入镀膜室，射频磁控溅射钛铝层，基体的温度为25-60℃，负偏压100-150V，工作气压0.2-1Pa，基体转速2-8rpm，钛靶和铝靶电流为4-6A，CH4流量10-25sccm，氩气流量为50-100sccm，溅射时间为30-90min，射频功率为100-200W，钛靶，铝靶与基体间距离为30-60mm；3)中间层第1层：继续射频磁控溅射70wt％钛铝+30wt％类金刚石层，基体的温度为25-60℃，负偏压100-150V，工作气压0.2-1Pa，基体转速2-8rpm，钛靶和铝靶电流为4-6A，碳靶电流2-4A，CH4流量10-25sccm，氩气流量为50-100sccm，溅射时间为30-90min，射频功率为100-200W，钛靶、铝靶、碳靶与基体间距离为30-60mm；4)中间层第2层：继续射频磁控溅射30wt％钛铝+70wt％类金刚石层，基体的温度为25-60℃，负偏压100-150V，工作气压0.2-1Pa，基体转速2-8rpm，钛靶和铝靶电流为2-4A，碳靶电流4-6A，CH4流量10-25sccm，氩气流量为50-100sccm，溅射时间为30-90min，射频功率为100-200W，钛靶、铝靶、碳靶与基体间距离为30-60mm；5)外层：继续射频磁控溅射银掺杂类金刚石层，基体的温度为25-60℃，负偏压100-150V，工作气压0.2-1Pa，基体转速4-8rpm，碳靶电流4-6A，银靶电流1-2A，CH4流量10-25sccm，氩气流量为50-100sccm，溅射时间为30-90min，射频功率为100-200碳靶，银靶与基体间距离为30-60mm。本专利技术采用以上技术方案，具有以下有益效果：1、内层和中间层具有相同的钛铝成分进行过渡，钛铝层可以缓解应力集中及有效提高网版表面的附着性能和热稳定性；2、中间层和外层中相同的类金刚石成分进行过渡，可以有效提高相邻膜层间的结合强度；类金刚石层具有高的疏水性能，同时表面能低，防水及抗粘附性能理想，实现网版的自清洁性能，防止涂料粘网和堵塞网孔的问题，从而有效提升丝网印刷效率。另外，类金刚石薄膜层可以提高网版表面的硬度、耐磨性和化学惰性，从而提高网版的工作寿命。3、外层中的银掺杂类金刚石薄膜的机械性能有效提升，更为重要的是使得粘塑性大大提高。由于粘塑性的提高使得DLC表面的氢键具有“柔性”特征，从而降低摩擦，有利于达到超润滑状态。附图说明以下结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细说明：图1为本专利技术复合的示意图。具体实施方式如图1所示，本专利技术一种抗塞网丝网印刷网版，包括基体1，基体1的表面上设有复合膜层，复合膜层由内之外依序包括内层2、中间层3和外层4，内层2为钛铝层，中间层3为钛铝+类金刚石层，外层4为银掺杂类金刚石层。其中，基体的厚度为10-20mm，钛铝层的厚度为30-50μm，钛铝+类金刚石层的厚度为30-50μm，银掺杂类金刚石层的厚度为50-100μm。实施例1，本专利技术网版制备方法包括以下步骤：1)用清洗机对基体进行清洗；2)内层：将基体送入镀膜室，射频磁控溅射钛铝层，基体的温度为25℃，负偏压100V，工作气压0.2Pa，基体转速2rpm，钛靶和铝靶电流为4A，CH4流量10sccm，氩气流量为50sccm，溅射时间为30min，射频功率为100W，钛靶，铝靶与基体间距离为30mm；3)中间层第1层：继续射频磁控溅射70wt％钛铝+30wt％类金刚石层，基体的温度为25℃，负偏压100V，工作气压0.2Pa，基体转速2rpm，钛靶和铝靶电流为4A，碳靶电流2A，CH4流量10sccm，氩气流量为50sccm，溅射时间为30min，射频功率为100W，钛靶、铝靶、碳靶与基体间距离为30mm；4)中间层第2层：继续射频磁控溅射30wt％钛铝+70wt％类金刚石层，基体的温度为25℃，负偏压100V，工作气压0.2Pa，基体转速2rpm，钛靶和铝靶电流为2A，碳靶电流4A，CH4流量10sccm，氩气流量为50sccm，溅射时间为30min，射频功率为100W，钛靶、铝靶、碳靶与基体间距离为30mm；5)外层：继续射频磁控溅射银掺杂类金刚石层，基体的温度为25℃，负偏压100V，工作气压0.2Pa，基体转速4rpm，碳靶电流4A，银靶电流1A，CH4流量10sccm，氩气流量为50sccm，溅射时间为30min，射频功率为100碳靶，银靶与基体间距离为30mm。实施例2，本专利技术网版制备方法包括以下步骤：1)用清洗机对基体进行清洗；2)内层：将基体送入镀膜室，射频磁控溅射钛铝层，基体的温度为45℃，负偏压130V，工作气压0.6Pa，基体转速6rpm，钛靶和铝靶电流为5A，CH4流量17sccm，氩气流量为75sccm，溅射时间为60min，射频功率为150W，钛靶，铝靶与基体间距离为45mm；3)中间层第1层：继续射频磁控溅射70wt％钛铝+30wt％类金刚石层，基体的温度为45℃，负偏压130V，工作气压0.6Pa，基体转速6rpm，钛靶和铝靶电流为5A，碳靶电流3A，CH4流量17sccm，氩气流量为75sccm，溅射时间为60min，射频功率为150W，钛靶，铝靶与基体间距离为45mm；4)中间层第2层：继续射频磁控溅射30wt％钛铝+70wt％类金刚石层，基体的温度为45℃，负偏压130V，工作气压0.6Pa，基体转速6rpm，钛靶和铝靶电流为3A，碳靶电流5A，CH4流量17sccm，氩气流量为75sccm，溅射时间为60min，射频功率为150W，钛靶，铝靶与基体间距离为45本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗塞网丝网印刷网版，包括基体，基体的表面上设有复合膜层，复合膜层由内之外依序包括内层、中间层和外层，其特征在于：所述内层为钛铝层，中间层为钛铝+类金刚石层，外层为银掺杂类金刚石层。

【技术特征摘要】
1.一种抗塞网丝网印刷网版，包括基体，基体的表面上设有复合膜层，复合膜层由内之外依序包括内层、中间层和外层，其特征在于：所述内层为钛铝层，中间层为钛铝+类金刚石层，外层为银掺杂类金刚石层。2.根据权利要求1所述的一种抗塞网丝网印刷网版，其特征在于：所述钛铝层的厚度为30-50μm。3.根据权利要求1所述的一种抗塞网丝网印刷网版，其特征在于：所述钛铝+类金刚石层的厚度为30-50μm。4.根据权利要求1所述的一种抗塞网丝网印刷网版，其特征在于：所述银掺杂类金刚石层的厚度为50-100μm。5.根据权利要求1所述的一种抗塞网丝网印刷网版，其特征在于：所述基体的厚度为10-20mm。6.根据权利要求1所述的网版的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：1）用清洗机对基体进行清洗；2）内层：将基体送入镀膜室，射频磁控溅射钛铝层，基体的温度为25-60℃，负偏压100-150V，工作气压0.2-1Pa，基体转速2-8rpm，钛靶和铝靶电流为4-6A，CH4流量10-25sccm，氩气流量为50-100sccm，溅射时间为30-90min，射频功率为100-200W，钛靶，铝靶与基体间距离为30-60mm；3）中间层第1层：继续射频磁控溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王乾廷，董俊豪，简明德，
申请(专利权)人：福建工程学院，
类型：发明
国别省市：福建,35