集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库制造方法及图纸

提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。

【技术实现步骤摘要】
集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库本申请是申请日为2015年07月22日、申请号为201510434904.X、题为“集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库”的专利申请的分案申请。
专利技术构思的示例实施例涉及一种包括至少一个单元的集成电路(IC)、一种基于所述IC的半导体装置和/或一种存储与所述至少一个单元有关的信息的标准单元库。
技术介绍
随着晶体管的尺寸减小和半导体制造技术进一步发展，可将更多的晶体管集成在半导体装置中。例如，在各种应用中使用芯片上系统(SOC)，芯片上系统(SOC)是指将计算机或其他电子系统的所有组件集成到单个芯片中的集成电路(IC)。对应用的性能需求的增加会需要包括更多组件的半导体装置。
技术实现思路
根据专利技术构思的至少一个示例实施例，集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行地设置；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并且通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。根据专利技术构思的其他示例实施例，半导体装置可包括：基板，包括具有不同导电类型的第一有源区和第二有源区；多条导线，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行地设置；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和位于第一有源区和第二有源区中的至少一个中的第一接触件上，并且通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。根据专利技术构思的其他示例实施例，存储在非暂时性计算机可读存储介质中的标准单元库可包括与多个标准单元有关的信息。所述多个标准单元中的至少一个包括：第一有源区和第二有源区，具有不同的导电类型；多个鳍，在第一有源区和第二有源区中彼此平行地设置；多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行地设置，在所述多个鳍上方；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，通过电连接到所述至少一条导线和在第一有源区和第二有源区中的至少一个中的第一接触件而形成单个节点。根据其他示例实施例，半导体装置可包括：基板，具有第一导电类型的第一有源区和具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二有源区；多个栅电极，沿第一方向延伸，从而所述多个栅电极沿第二方向彼此平行，第二方向与第一方向垂直；第一接触件，在所述多个栅电极的被跳过的栅电极的两侧中的相应的一侧处，被跳过的栅电极是所述多个栅电极中的电极连接到第一接触件的栅电极；以及第二接触件，电连接到被跳过的栅电极和在第一有源区中的第一接触件，从而第二接触件、所述至少一条导线和第一接触件在第一有源区中形成单个节点。半导体装置可包括至少一个非对称栅极的集成电路(IC)，与在第一有源区中相比，非对称栅极的IC在第二有源区中包括更多数量的晶体管。晶体管可为鳍式晶体管。半导体装置还可包括在沿第一方向延伸的所述多个栅电极下方的沿第二方向延伸的多个鳍，从而所述多个鳍和所述多个栅电极与鳍式晶体管对应。附图说明通过下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解专利技术构思的示例实施例，在附图中：图1是示出根据示例实施例的集成电路(IC)的一部分的布局；图2是示出根据另一示例实施例的IC的一部分的布局；图3是示出沿图1的线III-III'切割的具有图1的布局的半导体装置的示例的剖视图；图4是示出与图1的示例实施例基本上相同的IC的一部分的布局；图5是示出根据另一示例实施例的IC的一部分的布局；图6是示出具有图5的布局的半导体装置的示例的剖视图；图7是示出根据另一示例实施例的IC的一部分的布局；图8是示出沿图7的线VIII-VIII'切割的具有图5的布局的半导体装置的示例的剖视图；图9是示出与图5的示例实施例基本上相同的IC的一部分的布局；图10是示出根据另一示例实施例的IC的布局；图11是示出与图10的示例实施例基本上相同的IC的布局；图12是示出具有图10的布局的半导体装置的示例的透视图；图13是示出沿图12的线XII-XII'切割的半导体装置的剖视图；图14是示出具有图10的布局的半导体装置的另一示例的透视图；图15是示出沿图14的线XIV-XIV'切割的半导体装置的剖视图；图16是示出沿图10的线XVI-XVI'切割的具有图10的布局的半导体装置的剖视图；图17是示出根据另一示例实施例的IC的布局；图18是示出与图17的示例实施例基本上相同的IC的一部分的布局；图19是示出图17的IC的电路图；图20是详细示出图19的第三节点区的电路图；图21是示出根据另一示例实施例的IC的布局；图22是示出与图21的示例实施例基本上相同的IC的一部分的布局；图23是示出根据示例实施例的存储介质的框图；图24是示出根据示例实施例的包括IC的存储卡的框图；以及图25是示出根据示例实施例的包括IC的计算系统的框图。具体实施方式现在将对示例实施例进行详细参考，示例实施例的一些示例示出在附图中，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。提供这些示例实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分地传达本专利技术构思。因为专利技术构思允许各种变化和许多的示例实施例，所以将在附图中示出并且在书面描述中详细地描述具体示例实施例。然而，这不意图将专利技术构思限制为实践的具体模式，并且将理解的是，不脱离精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物包含在专利技术构思中。为了便于解释，可夸大附图中的组件的尺寸。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个”的表述在一系列元件(要素)之后时，修饰整个系列的元件(要素)，而不修饰所述列的单个元件(要素)。在本说明书中使用的术语仅用于描述具体示例实施例，并且不意图限制专利技术构思。以单数使用的表述包含复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的意思。在本说明书中，将理解的是，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语意图指示存在说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合，并且不意图排除可存在或可添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合的可能性。尽管可使用如“第一”、“第二”等的此种术语来描述各种组件，但这些组件不必局限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在专利技术构思的范围内，第一组件可被称为第二组件，反之亦然。除非另有定义，否则在描述中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与专利技术构思的示例实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非在说明书中明确定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与在相关技术的上下文中的它们的意思一致的意思，并且不应被解释为具有理想或过度形式化的意思。图1是示出根据示例实施例的集成电路(IC)100A的一部分的布局。参照图1，IC100A可包括由用粗线指示的单元边界限定的至少一个单元。所述单元可包括第一导线140a至第三导线140c、第一接触件150a和150b以及第二接触件160a。尽管未示出，但可在单元的上部处另外设置例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括至少一个单元的集成电路，对于所述至少一个单元中的每个，所述集成电路包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行，第二方向与第一方向垂直；第一接触件，在所述多条导线中的至少一条导线的两侧中的相应的一侧处并且包括在所述多条导线中的第一导线与所述至少一条导线之间的第一左接触件；以及第二接触件，在所述至少一条导线和第一接触件上，第二接触件电连接到所述至少一条导线和第一接触件并且与第一导线物理分离，从而第二接触件、所述至少一条导线和第一接触件形成单个节点。

【技术特征摘要】
2015.01.09 KR 10-2015-0003466;2014.07.22 US 62/0271.一种包括至少一个单元的集成电路，对于所述至少一个单元中的每个，所述集成电路包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行，第二方向与第一方向垂直；第一接触件，在所述多条导线中的至少一条导线的两侧中的相应的一侧处并且包括在所述多条导线中的第一导线与所述至少一条导线之间的第一左接触件；以及第二接触件，在所述至少一条导线和第一接触件上，第二接触件电连接到所述至少一条导线和第一接触件并且与第一导线物理分离，从而第二接触件、所述至少一条导线和第一接触件形成单个节点。2.如权利要求1所述的集成电路，其中，第一接触件沿第一方向延伸，第二接触件沿第二方向延伸。3.如权利要求1所述的集成电路，其中，第二接触件沿与第一接触件垂直的方向延伸。4.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述至少一个单元还包括具有不同的导电类型的第一有源区和第二有源区，其中，第二接触件至少在第一有源区和第二有源区中的选择的一个上。5.如权利要求4所述的集成电路，其中，所述多条导线分别与多个栅电极对应，第一有源区中的第一晶体管的数量小于第二有源区中的第二晶体管的数量。6.如权利要求4所述的集成电路，其中，所述多条导线分别与多个栅电极对应，第一有源区中的第一晶体管的数量等于或大于第二有源区中的第二晶体管的数量。7.如权利要求4所述的集成电路，其中，所述至少一个单元还包括在第一有源区和第二有源区中的沿第二方向延伸的多个鳍，所述多个鳍沿第一方向彼此平行。8.如权利要求7所述的集成电路，其中，所述多条导线分别与多个栅电极对应，所述多个鳍分别与多个鳍式晶体管对应，所述多个鳍式晶体管的在第一有源区中的第一数量小于所述多个鳍式晶体管的在第二有源区中的第二数量。9.如权利要求7所述的集成电路，其中，所述多条导线分别与多个栅电极对应，所述多个鳍分别与多个鳍式晶体管对应，所述多个鳍式晶体管的在第一有源区中的第一数量等于或大于所述多个鳍式晶体管的在第二有源区中的第二数量。10.如权利要求4所述的集成电路，所述集成电路还包括：切割区，在第一有源区与第二有源区之间，切割区被构造成在第二有源区中使所述至少一条导线与单个节点绝缘。11.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述至少一条导线包括第二导线和第三导线，第三导线在第二导线的第一侧处，第一接触件还包括第一右接触件，第一左接触件在第二导线的第二侧处，第一右接触件在第三导线的第一侧处。12.如权利要求11所述的集成电路，其中，第二接触件在第一左接触件、第一右接触件、第二导线和第三导线上并且电连接到第一左接触件、第一右接触件、第二导线和第三导线。13.如权利要求11所述的集成电路，其中，第一接触件还包括：第一中心接触件，在第二导线与第三导线之间。14.如权利要求13所述的集成电路，其中，第二接触件在第一左接触件、第一右接触件、第一中心接触件、第二导线和第三导线上并且电连接到第一左接触件、第一右接触件、第一中心接触件、第二导线和第三导线。15.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述多条导线还包括第二导线和第三导线，第一导线至第三导线彼此相邻，第一接触件还包括第一右接触件，第一左接触件在第一导线与第二导线之间，第一右接触件在第二导线与第三导线之间，第二接触件的沿第二方向的长度大于第一左接触件与第一右接触件之间的距离且小于第一导线与第三导线之间的距离。16.如权利要求1所述的集成电路，其中，第一接触件的沿第二方向的相应的长度小于所述多条导线中的两条相邻的导线之间的空间。17.如权利要求1所述的集成电路，其中，第一接触件沿第一方向具有相同的长度，第一接触件和第二接触件形成H形跨接线。18.如权利要求1所述的集成电路，其中，第一接触件沿第一方向具有不同的长度，第一接触件和第二接触件形成L形跨接线。19.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基板，包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区具有不同的导电类型；多条导线，沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行，第二方向与第一方向垂直；第一接触件，在所述多条导线中的至少一条导线的两侧中的相应的一侧处并且包括在所述多条导线中的第一导线与所述至少一条导线之间的第一左接触件；以及第二接触件，在所述至少一条导线上且在第一有源区和第二有源区中的至少一个中的第一接触件上，第二接触件电连接到所述至少一条导线和第一接触件并且与第一导线物理分离，从而第二接触件、所述至少一条导线和第一接触件形成单个节点。20.如权利要求19所述的半导体装置，其中，所述多条导线分别与多个栅电极对应，第一有源区中的晶体管的第一数量小于第二有源区中的晶体管的第二数量。21.如权利要求19所述的半导体装置，其中，所述多条导线分别与多个栅电极对应，第一有源区中的晶体管的第一数量等于或大于第二有源区中的晶体管的第二数量。22.一种存储在非暂时性计算机可读存储介质中的标准单元库，所述标准单元库包括与至少一个标准单元相关的信息，所述至少一个标准单元包括：第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区具有不同的导电类型，多个鳍，在第一有源区和第二有源区中彼此平行；多条导线，在所述多个鳍上方，所述多条导线沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行，第二方向与第一方向垂直；第一接触件，在所述多条导线中的至少一条导线的两侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：白尚训，吴祥奎，都桢湖，朴善暎，李昇映，元孝植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR