一种智能功率模块加工方法及智能功率模块技术

本发明专利技术公开一种智能功率模块加工方法，包括以下步骤：步骤S1、涂层材料制备，所述涂层为二氨基硅烷偶联剂；步骤S2、提供功率模块半成品，于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品；步骤S3、涂层附着，于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂；步骤S4、封装，采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。本方案中通过在功率模块半成品上增加二氨基硅烷偶联剂涂层，可以增加4‑5kgf/cm

【技术实现步骤摘要】
一种智能功率模块加工方法及智能功率模块
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种智能功率模块加工方法及采用该方法加工形成的智能功率模块。
技术介绍
IPM(IntelligentPowerModule)，即智能功率模块，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以保证IPM自身不受损坏。IPM一般使用IGBT作为功率开关元件，内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。IPM以其高可靠性，使用方便赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种非常理想的电力电子器件。现有技术中智能功率模块产品由于封装材料与引线框架之间的黏合力差，在经过可靠性试验后封装树脂与引线框架之间会发生分层现象。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于：提供一种智能功率模块加工方法，其能够解决现有技术中存在的上述技术问题。为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：提供一种智能功率模块加工方法，包括以下步骤：步骤S1、涂层材料制备，所述涂层为二氨基硅烷偶联剂；步骤S2、提供功率模块半成品，于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品；步骤S3、涂层附着，于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂；步骤S4、封装，采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案，所述二氨基硅烷偶联剂采用：N-2-(氨乙基)-8-氨辛基三甲基氧基硅烷；或，N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷；或，N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷。作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案，所述步骤S1中涂层材料制备包括：步骤S11、将5份-10份的二氨基硅烷偶联剂溶于1000份的去离子水中；步骤S12、搅拌15-45分钟。作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案，所述步骤S2与步骤S3之间还包括：步骤S21、清洗：对所述功率模块半成品进行电浆清洗操作。作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案，所述步骤S3涂层附着具体为：将功率模块半成品浸润在所述二氨基硅烷偶联剂中1-5分钟。作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案，所述步骤S3涂层附着具体为：将所述二氨基硅烷偶联剂涂布在所述功率模块半成品的封装表面。作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案，所述步骤S3还包括：步骤S31、烘干，对完成涂层附着后的功率模块半成品进行烘烤。作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案，所述烘烤的温度为120-130℃之间。作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案，所述烘烤的时间为1-5分钟。另一方面，提供一种智能功率模块，其采用如上所述的智能功率模块加工方法加工而成。本专利技术的有益效果为：本方案中通过在功率模块半成品上增加二氨基硅烷偶联剂涂层，可以增加4-5kgf/cm2粘合力，使得引线框架以及芯片与封装树脂之间不易发生分层现象，因此可以提高产品可靠度和产品品质。附图说明下面根据附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明。图1为本专利技术实施例所述智能功率模块加工方法流程图。具体实施方式为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”应作广义”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。实施例一：如图1所示，本实施例提供一种智能功率模块加工方法，包括以下步骤：步骤S1、涂层材料制备，所述涂层为二氨基硅烷偶联剂；步骤S2、提供功率模块半成品，于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品；步骤S3、涂层附着，于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂；步骤S4、封装，采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。同时，本实施例中还提供一种智能功率模块，采用如上所述的智能功率模块加工方法加工而成。本方案中通过在功率模块半成品上增加二氨基硅烷偶联剂涂层，可以增加4-5kgf/cm2粘合力，使得引线框架以及芯片与封装树脂之间不易发生分层现象，因此可以提高产品可靠度和产品品质。实施例二：如图1所示，本实施例提供一种智能功率模块加工方法，包括以下步骤：步骤S1、涂层材料制备，所述涂层为二氨基硅烷偶联剂；步骤S2、提供功率模块半成品，于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品；步骤S3、涂层附着，于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂；步骤S4、封装，采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。所述二氨基硅烷偶联剂采用：N-2-(氨乙基)-8-氨辛基三甲基氧基硅烷；所述步骤S1中涂层材料制备包括：步骤S11、将5份的二氨基硅烷偶联剂溶于1000份的去离子水中；步骤S12、搅拌15分钟。同时，本实施例中还提供一种智能功率模块，采用如上所述的智能功率模块加工方法加工而成。实施例三：如图1所示，本实施例提供一种智能功率模块加工方法，包括以下步骤：步骤S1、涂层材料制备，所述涂层为二氨基硅烷偶联剂；步骤S2、提供功率模块半成品，于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品；步骤S3、涂层附着，于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂；步骤S4、封装，采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。所述二氨基硅烷偶联剂采用：N-2-(氨乙基)-3-氨辛基三甲基氧基硅烷；所述步骤S1中涂层材料制备包括：步骤S11、将7份的二氨基硅烷偶联剂溶于1000份的去离子水中；步骤S12、搅拌30分钟。同时，本实施例中还提供一种智能功率模块，采用如上所述的智能功率模块加工方法加工而成。实施例四：如图1所示，本实施例提供一种智能功率模块加工方法，包括以下步骤：步骤S1、涂层材料制备，所述涂层为二氨基硅烷偶联剂；步骤S2、提供功率模块半成品，于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品；步骤S3、涂层附着，于所述待封装功率模块半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种智能功率模块加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、涂层材料制备，所述涂层为二氨基硅烷偶联剂；步骤S2、提供功率模块半成品，于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品；步骤S3、涂层附着，于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂；步骤S4、封装，采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。

【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、涂层材料制备，所述涂层为二氨基硅烷偶联剂；步骤S2、提供功率模块半成品，于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品；步骤S3、涂层附着，于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂；步骤S4、封装，采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。2.根据权利要求1所述的智能功率模块加工方法，其特征在于，所述二氨基硅烷偶联剂采用：N-2-(氨乙基)-8-氨辛基三甲基氧基硅烷；或，N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷；或，N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷。3.根据权利要求1-2中任一项所述的智能功率模块加工方法，其特征在于，所述步骤S1中涂层材料制备包括：步骤S11、将5份-10份的二氨基硅烷偶联剂溶于1000份的去离子水中；步骤S12、搅拌15-45分钟。4.根据权利要求1-3中任一项所述的智能功率模块加工方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：史哲豪，胡智裕，王琇如，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44