一种超微小孔的去毛刺表处工艺制造技术

本发明专利技术属于半导体领域的精密加工技术。是一种超微小孔的去毛刺表处工艺，步骤如下：(1)采用顺纹抛光+高压水枪清洗验证；(2)采用乱纹抛光+高压水枪清洗验证；(3)采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证；(4)采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(5)采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(6)采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证。保证小孔的内侧壁和小孔边缘无微小毛刺，极大的提升了匀气盘生产加工良率。

【技术实现步骤摘要】
一种超微小孔的去毛刺表处工艺
本专利技术属于半导体关键零部件匀气盘的去毛刺表处工艺，具体说是一种超微小孔的精密加工技术，适用于半导体领域的等离子刻蚀,化学气相沉积等关键工艺制程。
技术介绍
随着近年来半导体领域的高速发展，对匀气盘，这个半导体晶圆加工关键零部件的技术要求越来越高，在刻蚀和沉积等工艺中，对进气的流速有着严格的要求，进气的均匀程度决定了芯片的质量，而决定进气匀气的关键机械零部件就是匀气盘，因此，对匀气盘上成千上万的小孔表面是否有微小毛刺，及孔径一致性有极高的要求，通过专用去毛刺的加工工艺，保证匀气盘功能性流量测试的要求。
技术实现思路
针对上述存在的问题，为了达到超微小孔的使用要求，通过设计不同的表面处理去毛刺参数，基于产品技术要求及流量测试等功能性要求，实现了匀气盘高效高良率加工的可能性。本专利技术的目的是提供了一种超微小的去毛刺加工工艺。本专利技术是主要通过如下方案实现的：一种超微小孔的去毛刺表处工艺，步骤如下：(1)采用顺纹抛光+高压水枪清洗验证；(2)采用乱纹抛光+高压水枪清洗验证；(3)采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证；(4)采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(5)采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(6)采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证。所述第(1)步骤中采用顺纹抛光和高压水枪清洗，采用抛光机抛光和高压水枪清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(2)步骤中采用乱纹抛光和高压水枪清洗，设计专用抛光和高压水枪清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(3)步骤中采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证，设计专用抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(4)步骤中采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证，采用抛光机抛光，高压水枪清洗和化学清洗，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(5)步骤中采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证，采用抛光机抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(6)步骤中采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证，设计专用抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。本专利技术的有益效果是：1.通过专有表面处理参数的选择，实现超微小孔表面无微小毛刺要求，保证匀气盘的超微小孔表面超高粗糙度和小孔直径的一致性。2.设计不同DOE加工参数，得出最优的去毛刺表面处理制程为：顺纹+高压水枪+化洗。3.通过实验确立的表面处理参数的设计，提高了生产良率。附图说明图1是DOE1后表面处理后的小孔毛刺状况。图2是DOE2后表面处理后的小孔毛刺状况。图3是DOE3后表面处理后的小孔毛刺状况。图4是DOE6后表面处理后的小孔毛刺状况。具体实施方式下面结合附图1-4及实施例对本专利技术进一步详细说明。一种超微小孔的去毛刺表处工艺，步骤如下：(1)采用顺纹抛光+高压水枪清洗验证；(2)采用乱纹抛光+高压水枪清洗验证；(3)采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证；(4)采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(5)采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(6)采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证。所述第(1)步骤中采用顺纹抛光和高压水枪清洗，采用抛光机抛光(抛光机：5英寸偏心打磨机，厂商和型号：3M20457,参数：500RPM/min,顺时针抛光)和高压水枪清洗参数(压强：100psi，清洗路径：每个盲孔、缝隙、螺纹采用柱状喷水，时间为1s，表面采用散状喷水，移动速度为1-2cm/s，保湿进入洁净间)，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(2)步骤中采用乱纹抛光和高压水枪清洗，采用抛光机抛光抛光(抛光机：5英寸偏心打磨机。厂商和型号：3M20457,参数：500RPM/min,顺时针抛光)和高压水枪清洗参数(压强：30psi，清洗路径：每个盲孔、缝隙、螺纹采用柱状喷水，时间为1s，表面采用散状喷水，移动速度为1-2cm/s，保湿进入洁净间)，通过洁净间来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(3)步骤中采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证，设计专用抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数(试剂：5％硝酸和2.4％氢氟酸，参数：温度120℃(110-125℃)，时间30min(20-45min)。清洗流程：A5脱脂(10',10-15'，60℃，60-65℃)-A6水洗(60",60-90")-A9酸蚀(10",10-30")-A10水洗(60",60-90")-A11酸洗(4',3-5')-高压水清洗-A13水洗(60",60-90")-喷水洗(2’-3’)-A15热水洗(3',2-5'，42℃，38-46℃)-CDA吹干)，通过洁净间来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(4)步骤中采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光，电化学抛光温度：60℃(58-65℃)，电压：10V制程流程:B13脱脂(10',10-15'，60℃，60-65℃)-B14水洗(60",60-90")-B3电抛(120",110"-130",60℃，58-65℃)-B4水洗(60",60-90")-B7酸洗(2’,2-3’)-B6水洗(60",60-90")-保湿进入洁净间验证，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(5)步骤中采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证，设计专用抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。所述第(6)步骤中采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证，设计专用抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。使用专业的OGP检测仪放大100倍观察小孔内部毛刺状况及测量前后的孔径变化情况如下：(1)DOE1后，放大100倍观察，小孔边缘仍有微小毛刺。(2)DOE2后，放大100倍观察，小孔内侧壁有微小毛刺。(3)DOE3后，放大100倍观察，小孔边缘及内侧壁无毛刺。(4)DOE4后，放大100倍观察，小孔边缘及内侧壁无毛刺，但是部分孔径超出图纸公差要求。(5)DOE5后，放大100倍观察，小孔边缘及内侧壁无毛刺，但是部分孔径超出图纸公差要求。(6)DOE6后，放大100倍观察，小孔内侧壁有微小毛刺。通过放大观察小孔表面实际毛刺状况，及去除毛刺后，小孔直径是否满足图纸要求，得到最优的去毛刺加工方案。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超微小孔的去毛刺表处工艺，其特征在于，步骤如下：(1)采用顺纹抛光+高压水枪清洗验证；(2)采用乱纹抛光+高压水枪清洗验证；(3)采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证；(4)采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(5)采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(6)采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证。

【技术特征摘要】
1.一种超微小孔的去毛刺表处工艺，其特征在于，步骤如下：(1)采用顺纹抛光+高压水枪清洗验证；(2)采用乱纹抛光+高压水枪清洗验证；(3)采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证；(4)采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(5)采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(6)采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证。2.如权利要求1所述超微小孔的去毛刺加工工艺，其特征在于，所述第(1)步骤中采用顺纹抛光和高压水枪清洗，采用抛光机抛光和高压水枪清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。3.如权利要求1所述超微小孔的去毛刺加工工艺，其特征在于，所述第(2)步骤中采用乱纹抛光和高压水枪清洗，设计专用抛光和高压水枪清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。4.如权利要求1所述超微小孔的去毛刺加工工艺，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许国庆，张琳琳，
申请(专利权)人：沈阳富创精密设备有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21