边发射激光器耦合结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种边发射激光器耦合结构，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。通过本实用新型专利技术，设置在布线结构上的边发射激光器的侧向出光面便可以不经反射而直接射向待耦合器件的入光面，无需精确贴装反光器件，降低了工艺复杂度。

【技术实现步骤摘要】
边发射激光器耦合结构
本技术涉及硅光和光电集成
，具体涉及边发射激光器耦合结构。
技术介绍
边发射激光器的发光区被限制在很小的部分，能够改善光纤、集成光路的耦合效率。边发射激光器朝向侧面出光，其焊盘设置于顶面或底面，往往与基板表面的线路电连接。为了能够大批量生产边发射激光器耦合结构，现有的制作方法都是采用在基板上贴装边发射激光器、反光面(或者反光镜)、透镜等常规器件的方式。例如，先在第一基板表面贴装边发射激光器及透镜，再在第二基板表面开设侧壁为斜面的槽，在斜面上形成反光面，然后再将表面凹槽内设有反光面的顶罩倒扣并贴装在第一基板上，得到如图1所示的边发射激光器。图1中，边发射激光器110固定设置在基板120的表面，边发射激光器110的焊盘115通过键合线与基板120表面的焊盘122连接；边发射激光器从右侧面出光，经顶罩表面凹槽内的反光面150反射后，再经透镜160聚焦，然后聚焦后的激光射向基板120表面或另一侧的待耦合器件的入光面(如光栅、波导器件等)。然而，现有边发射激光器耦合结构需精确贴装反光器件，才能使得边发射激光器的出射光经反射射向待耦合器件的入光面，对工艺要求较高。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种边发射激光器耦合结构，以解决现有边发射激光器耦合结构需精确贴装反光器件，才能使得边发射激光器的出射光经反射射向待耦合器件的入光面，对工艺要求较高的问题。本技术第一方面提供了一种边发射激光器耦合结构，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。可选地，所述布线结构延伸至所述块体的第二表面。可选地，位于所述块体第二表面的布线结构上设置有第一焊点，所述第二基板第一表面上与所述第一焊点相对应的位置设置有第二焊点，所述第一焊点和所述第二焊点通过焊球实现电连接。可选地，所述布线结构延伸至所述块体的第三表面，所述块体的第三表面与所述块体的第二表面相对设置。可选地，位于所述块体第三表面的布线结构设置有第三焊点，所述第三焊点与所述第二基板第一表面上的第四焊点通过键合线实现电连接。可选地，所述布线结构包括柔性基板，所述柔性基板上设置有布线层。可选地，所述边发射激光器耦合结构还包括：透镜，设置于所述块体的第一表面，并且位于所述边发射激光器的激光出射方向上。可选地，在所述块体的第一表面并且在所述边发射激光器的出光面一侧开设有孔，所述透镜卡接在所述孔的开口。可选地，所述第二基板上第一表面的法向与所述块体的第一表面之间的夹角角度为5°到15°。本技术实施例所提供的边发射激光器耦合结构，待耦合器件设置在第二基板的第一表面或第二表面一侧，块体设置在第二基板的第一表面并且块体的第二表面朝向第二基板的第一表面，布线结构设置在与块体第二表面相邻的块体第一表面，则设置在该布线结构上的边发射激光器的侧向出光面便可以不经反射而直接射向待耦合器件的入光面，无需精确贴装反光器件，降低了工艺复杂度。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本技术进行任何限制，在附图中：图1示出了现有边发射激光器耦合结构的示意图；图2A示出了根据本技术实施例提供了一种边发射激光器耦合结构的制作方法的流程图；图2B示出了根据本技术实施例提供了另一种边发射激光器耦合结构的制作方法的流程图；图3A示出了在第一基板表面开设凹槽之后的结构示意图；图3B为图3A所示结构的纵向截面示意图；图3C示出了制作好的柔性基板的示意图；图3D示出了在凸起的第一表面设置布线结构之后的结构示意图；图3E为图3D所示结构的纵向截面示意图；图3F示出了在布线结构上贴装边发射激光器之后的结构示意图；图3G为图3F所示结构的纵向截面示意图；图4A示出了根据本技术实施例提供了一种边发射激光器耦合结构的纵向剖面示意图；图4B示出了根据本技术实施例提供了另一种边发射激光器耦合结构的纵向剖面示意图；图4C示出了根据本技术实施例提供了又一种边发射激光器耦合结构的纵向剖面示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、优点、制备方法更加清楚，下面将结合附图对本技术的实施示例进行详细描述，所述实施例的示例在附图中示出，其中附图中部分结构直接给出了优选的结构材料，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。需要说明的是，参考附图描述的实施例是示例性的，实施例中表明的结构材料也是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制，本技术各个实施例的附图仅是为了示意的目的，因此没有必要按比例绘制。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一图2A示出了根据本技术实施例提供了一种边发射激光器耦合结构的制作方法的流程图。如图2A所示，该制作方法包括如下步骤：S101：在第一基板表面开设至少一个凹槽，相应地，凹槽两侧形成凸起。图3A示出了在第一基板表面开设凹槽之后的结构示意图，图3B为图3A所示结构的纵向截面示意图。其中，10为第一基板，11为凹槽，12为凸起。该步骤中的凹槽11可以是如图3A所示的沿第一基板表面延伸的长条形凹槽，且凹槽11的横截面为U形；也可以是槽口为长方形、或多边形的凹槽，并且槽口位于该第一基板表面一侧。开设凹槽的具体方法可以是通过钻孔、铣槽等工艺，本申请对开设凹槽的具体工艺不做限定。S102：在至少一个凸起的第一表面设置布线结构及边发射激光器，其中，该凸起的第一表面为槽口所在的一侧表面。可以是先在凸起的第一表面设置布线结构，再在布线结构上贴装边发射激光器；或者，也可以先单独制作布线结构，再将布线结构贴装至凸起的第一表面，在布线结构贴装至凸起第一表面的之前或之后，将边发射激光器贴装至布线结构上。图3F示出了在布线结构上贴装边发射激光器之后的结构示意图，图3G为图3F所示结构的纵向截面示意图。其中，30为边发射激光器。图3D示出了在凸起的第一表面设置布线结构之后的结构示意图，图3E为图3D所示结构的纵向截面示意图。其中，40为布线结构。布线结构可以是在硅基板上设置至少一层布线层，还可以设置TSV结构；或者，也可以是在柔性基板上设置至少一层布线层。如图3E所示，凸起A的A1表面为第一表面，A2表面为第二表面，A3表面为第三表面。该步骤可以仅在第一表面设置布线结构，也可以在第一表面和第二表面设置布线结构，或者在第一表面和第三表面设置布线结构，或者在第一表面、第二表面、第三表面均设置布线结构。可选地，不同表面之间的布线结构是电连接的。S103：将该至少一个凸起从第一基板上切割下来，得到块体。相应地，凸起的第一表面对应为块体的第一表面，凸起上与凸起的第一表面相邻的第二表面对应为块体的第二表面。如图3G所示，可以沿图3G中的虚线B1和B2所示的方向切割第一基板。S104：将块体贴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种边发射激光器耦合结构，其特征在于，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。

【技术特征摘要】
1.一种边发射激光器耦合结构，其特征在于，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。2.根据权利要求1所述的边发射激光器耦合结构，其特征在于，所述布线结构延伸至所述块体的第二表面；位于所述块体第二表面的布线结构上设置有第一焊点，所述第二基板第一表面上与所述第一焊点相对应的位置设置有第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：何慧敏，孙瑜，刘丰满，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32