一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件制造技术

技术编号:20829421 阅读:26 留言:0更新日期:2019-04-10 09:51
本实用新型专利技术公开了一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于,所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极,在所述阴极和电子注入层/电子传输层之间设置阻挡层,所述阻挡层的厚度为

【技术实现步骤摘要】
一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件
本技术涉及一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)主要包含电极、空穴注入、空穴传输、发光层、电子注入和电子传输等功能层,为了得到更佳的器件效率以及更低的驱动电压,需要将金属以及有机材料做合适的搭配,使电子以及空穴更加顺利的注入,发光层更加高效的发射光谱。在商业应用中,顶发射微腔结构由于效率高,光谱窄化,色纯度较高等优点普遍被广泛应用。一般来讲,顶发射微腔器件结构采用Mg:Ag合金作为阴极,并且充当半透明电极的目的。有文献(Appl.Phys.Lett.86,024104(2005))表明,在一定条件下(比如100℃烘烤80min),Ag会向OLED的有机层扩散,且扩散与温度、有机层的分子间距和原子半径等因素密切相关。扩散会产生以下危害:①破坏器件的稳定性;②有机材中掺杂金属原子,淬灭发光,或形成陷阱中心。在利用Ag金属或者合金作为电极的器件中,比如量子点发光器件、太阳能电池器件等,都会不可避免的会发生金属迁移的现象,特别是在高温的情况下,金属迁移更加明显。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题,本技术的目的在于提供一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件。为达上述目的,本技术采用以下技术方案:一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极,在所述阴极和电子注入层/电子传输层之间设置阻挡层,所述阻挡层的厚度为本技术中,所述“Ag金属电极和/或含Ag合金电极”例如可以是Ag金属电极,或者Mg:Ag合金等。所述阻挡层的厚度为例如或等。所述“在所述阴极和电子注入层/电子传输层之间”可以指在阴极和电子注入层之间,也可以指在阴极和电子传输层之间。本技术中,阴极和阻挡层共同构成一种新的阴极结构,即复合阴极。本技术通过在阴极和电子注入层/电子传输层之间设置合适厚度的阻挡层,可以达到阻挡Ag迁移的目的。作为本技术所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件的优选技术方案,可以在OLED器件或量子点发光器件的阴极和电子注入层之间设置阻挡层,或者在太阳能电池器件的阴极和电子传输层之间设置阻挡层。优选地,所述阻挡层为一层、双层或者多层。优选地,所述阻挡层为镧系金属层,或含镧系金属的合金层。优选地,所述阻挡层为Yb金属层或含Yb的合金层。优选地,所述阻挡层为Ca层或Ba层中的任意一种。优选地,所述阻挡层为低功率函数金属层。优选地,所述阻挡层与所述阴极形成复合双层金属或者复合多层金属。本技术中所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件可以是白光器件、蓝光器件、绿光器件或红光器件等。为了获得更好地提升OLED器件信赖性,针对OLED蓝光器件,阻挡层厚度优选为之间;针对OLED绿光器件,阻挡层厚度优选为之间;针对OLED红光器件,阻挡层厚度优选为作为本技术所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件的一个优选技术方案,所述器件为有机发光二极管,所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极,在所述阴极和有机发光二极管的电子注入层之间设置阻挡层,所述有机发光二极管还包括光学提取层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层和反射电极。在有机发光二极管中,空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层和发光层等构成有机材料层,这些层顺序可根据实际需要以及能级差异做调整,让器件获得更佳的器件效率或者寿命。在有机发光二极管中,光学提取层一般是有机材料或无机半导体材料;半反射电极一般采用一层比较薄的金属(Al、Au等金属)或者金属合金(如目前常用的Mg:Ag合金);反射电极一般采用反射金属(比如Ag、Al、Au等金属或合金),或者采用反射金属加上一层透明导电材质(比如ITO、IZO等);发光层可以选择掺杂体系或者非掺杂体系,可以选择荧光体系或者磷光体系,同时包含延迟荧光体系或者超荧光体系;RGB器件的腔长因发光光谱的不同而不同,RGB因共振波长不同,RGB总腔长不一致。在目前的主动式有机发光微腔结构中(参见图1、图2和图3),半反射电极与电子注入层直接接触,因此在器件的使用过程中,尤其是在高温情况下,金属Ag容易发生迁移现象,从而进入到电子注入层中,影响OLED器件的寿命以及信赖性。此优选技术方案通过在半反射电极和电子注入层之间设置阻挡层,可以有效减少Ag的迁移。作为本技术所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件的另一个优选技术方案,所述器件为量子点发光器件,所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极,在所述阴极和量子点发光器件的电子注入层之间设置阻挡层,所述量子点发光器件还包括电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。量子点发光器件与OLED器件相比,其主要变化是将薄膜晶体管(TFT结构)上的OLED材料换成电致发光的QLED材料,其他结构几乎不变,这样制造出来的显示面板就是QLED显示器件,其具有媲美OLED面板的色彩、对比度、亮度、分辨率等特点。在目前的量子点发光器件的结构中(参见图4),阴极与电子注入层直接接触,因此在器件的使用过程中,尤其是在高温情况下,金属Ag容易发生迁移现象,从而进入到电子注入层中,影响量子点发光器件的寿命以及信赖性。此优选技术方案通过在阴极和电子注入层之间设置阻挡层,可以有效减少Ag的迁移。作为本技术所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件的又一个优选技术方案,所述器件为太阳能电池器件,所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极,在所述阴极和太阳能电池器件的电子传输层之间设置阻挡层。在目前的太阳能电池器件的结构中(参见图5),阴极与电子传输层直接接触,因此在器件的使用过程中,尤其是在高温情况下,金属Ag容易发生迁移现象,从而进入到电子传输层中,影响太阳能电池器件的寿命以及信赖性。此优选技术方案通过在阴极和电子传输层之间设置阻挡层,可以有效减少Ag的迁移。与已有技术相比,本技术具有如下有益效果:本技术提供了一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极,通过在阴极和电子注入层/电子传输层之间设置特定厚度的阻挡层,可以有效减少金属的迁移现象,提升OLED、量子点发光器件或太阳能电池器件的器件信赖性。附图说明图1、图2和图3是目前主动式有机发光微腔结构示意图;图4是目前量子点发光器件的结构示意图;图5是目前太阳能电池器件的结构示意图;图6是实施例1的OLED器件的结构示意图;图7是实施例2的OLED器件的结构示意图;图8是实施例2的OLED器件在高温(85℃)下的衰减曲线;图9是实施例2的OLED器件在高温(85℃)下的电压变化曲线;图10是实施例3的OLED器件的结构示意图;图11是实施例4的OLED器件的结构示意图;图12是实施例5的OLED器件的结构示意图;图13是实施例6蓝光器件中不同Yb厚度对光电性质的影响图;图14是实施例7绿光器件中不同Yb厚度对光电性质的影响图;图15是实施例8红光器件中不同Yb厚度对光电性质的影响图;图16是实施例9量子点发光器件的结构示意图;本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于,所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极,在所述阴极和电子注入层/电子传输层之间设置阻挡层,所述阻挡层的厚度为

【技术特征摘要】
1.一种包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于,所述Ag金属电极和/或含Ag合金电极作为阴极,在所述阴极和电子注入层/电子传输层之间设置阻挡层,所述阻挡层的厚度为2.根据权利要求1所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于,所述阻挡层为镧系金属层,或含镧系金属的合金层。3.根据权利要求2所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于,所述阻挡层为Yb金属层或含Yb的合金层。4.根据权利要求1所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于,所述阻挡层为Ca层或Ba层中的任意一种。5.根据权利要求1所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于,所述阻挡层为低功率函数金属层。6.根据权利要求1所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于,所述阻挡层与所述阴极形成复合双层金属或者复合多层金属。7.根据权利要求1所述的包含Ag金属电极和/或含Ag合金电极的器件,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:李艳虎何志江梁逸南徐亮
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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