电路板的制造方法以及应用于制造其的堆叠结构技术

本发明专利技术公开了一种电路板的制造方法以及应用于制造其的堆叠结构，电路板的制造方法包含：在转印层上形成多个凹陷结构；在转印层上形成介电层，以形成堆叠结构，其中介电层至少与凹陷结构互嵌；在基板上压合堆叠结构，使得介电层接触基板；图案化介电层，且前述的图案化介电层包含隔着转印层对堆叠结构进行曝光工艺；以及于曝光工艺完成之后移除转印层。借此，本发明专利技术通过转印层的突起结构控制凹陷结构的粗糙面积比，因而可增加导电线路与介电层之间的接触面积进而提高导电线路与介电层之间的结合力以微缩其线宽，并避免导电线路与介电层分离而于后续的工艺中使得电路板产生起泡的问题。

【技术实现步骤摘要】
电路板的制造方法以及应用于制造其的堆叠结构
本专利技术是关于一种电路板，特别是关于一种应用转印层的电路板。
技术介绍
线路板是目前手机、电脑以及数码相机等电子装置(electronicdevice)及/或电视、洗衣机以及冰箱等家电用品所需要的零件。详细而言，线路板能承载以及供晶片(chip)、被动元件(passivecomponent)、主动元件(activecomponent)以及微机电系统元件(MicroelectromechanicalSystems，MEMS)等多种电子元件(electroniccomponent)装设于其上。如此，电流可以经由线路板而传输至前述的电子元件，进而运作电子装置及/或家电用品。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可增加导电线路与介电层之间的接触面积进而提高导电线路与介电层之间的结合力以微缩其线宽，并避免导电线路与介电层分离而于后续的工艺中使得电路板产生起泡问题的电路板的制造方法。依据本专利技术的一实施方式，一种电路板的制造方法，包含在转印层上形成多个凹陷结构；在转印层上形成介电层，以形成堆叠结构，其中介电层至少与凹陷结构互嵌；在基板上压合堆叠结构，使得堆叠结构的介电层接触基板；图案化介电层，且前述的图案化介电层包含隔着转印层对堆叠结构进行曝光工艺；以及在曝光工艺完成之后移除转印层。在本专利技术的一或多个实施方式中，前述的形成多个凹陷结构于转印层上包含：形成薄膜结构于基材上以形成转印层；以及利用转印工艺将图案形成于薄膜结构上以形成多个凹陷结构。在本专利技术的一个或多个实施方式中，电路板的制造方法还包含：在转印层的薄膜结构上形成图案之后，固化薄膜结构。在本专利技术的一个或多个实施方式中，前述的形成介电层在转印层上是使得多个凹陷结构转印形成多个突起结构于介电层靠近转印层的一侧。在本专利技术的一个或多个实施方式中，电路板的制造方法还包含：于压合堆叠结构于基板上之前，在基板上形成第一线路层。压合堆叠结构于基板是使得第一线路层嵌入于堆叠结构的介电层。在本专利技术的一个或多个实施方式中，前述的图案化介电层包含：在移除转印层之前，曝光工艺使得堆叠结构的介电层上形成曝光区以及非曝光区。在移除转印层之后，对经曝光的介电层进行显影工艺。在本专利技术的一个或多个实施方式中，电路板的制造方法还包含：在经图案化的介电层上形成第二线路层。第二线路层至少与介电层的曝光区互嵌。在本专利技术的一个或多个实施方式中，前述的介电层的折射率与转印层具的折射率实质上相同。在本专利技术的一个或多个实施方式中，前述的形成多个凹陷结构于转印层上是以多维排列的方式形成多个凹陷结构于转印层上。依据本专利技术的另一实施方式，一种堆叠结构应用于制造电路板。堆叠结构包含转印层以及介电层。转印层包含基材以及薄膜结构。薄膜结构设置于基材上，且具有多个多维排列的凹陷结构。介电层设置于转印层上，且至少位于薄膜结构的多个凹陷结构中，使得介电层至少与薄膜结构上的多个凹陷结构互崁。综上所述，本专利技术由于介电层的突起结构通过转印工艺而与转印层的凹陷结构互补，因此突起结构具有与凹陷结构实质上相同的粗糙面积比(RoughnessSurfaceAreaRatio,RSAR)。因此，通过转印层的突起结构控制凹陷结构的粗糙面积比，因而可增加导电线路与介电层之间的接触面积进而提高导电线路与介电层之间的结合力以微缩其线宽，并避免导电线路与介电层分离而于后续的工艺中使得电路板产生起泡(Blister)的问题。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，现结合附图说明如下：图1至图12分别绘示依据本专利技术一实施方式的电路板于不同中间制造阶段下的剖视图。图13至图14分别绘示依据本专利技术另一实施方式的电路板于不同中间制造阶段下的剖视图。具体实施方式以下的说明将提供许多不同的实施方式或实施例来实施本专利技术的主题。元件或排列的具体范例将在以下讨论以简化本专利技术。当然，这些描述仅为部分范例且本专利技术并不以此为限。例如，将第一特征形成在第二特征上或上方，此一叙述不但包含第一特征与第二特征直接接触的实施方式，也包含其他特征形成在第一特征与第二特征之间，且在此情形下第一特征与第二特征不会直接接触的实施方式。此外，本专利技术可能会在不同的范例中重复标号或文字。重复的目的是为了简化及明确叙述，而非界定所讨论的不同实施方式及配置间的关系。此外，空间相对用语如“下面”、“下方”、“低于”、“上面”、“上方”及其他类似的用语，在此是为了方便描述图中的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。空间相对用语除了涵盖图中所描绘的方位外，该用语更涵盖装置在使用或操作时的其他方位。也就是说，当该装置的方位与附图不同(旋转90度或在其他方位)时，在本文中所使用的空间相对用语同样可相应地进行解释。请参照图1至图12。图1至图12分别绘示依据本专利技术一实施方式的电路板1(标示于图12中)于不同中间制造阶段下的剖视图。如图1所示，提供基材120。接着，薄膜结构122形成于基材120上，以形成转印层12。亦即，本实施方式的转印层12包含基材120以及薄膜结构122，并应用于制造电路板1。在本实施方式中，形成薄膜结构122于基材120上的方法可包含涂布工艺、沉积工艺或其他任何适合的工艺。举例而言，沉积工艺可包含旋转涂布(spincoating)工艺、槽缝式涂布(slotcoating)工艺、凹版涂布(Gravurecoating)工艺、滚轮涂布(CommaCoating)工艺、物理气相沉积(Physicalvapordeposition,PVD)工艺或其他任何适合的工艺。在本实施方式中，基材120的材质包含聚乙烯对苯二甲酸酯(Polyethyleneterephthalate,PET)，但本专利技术不以此材料为限。在本实施方式中，薄膜结构122绘示为单层结构。然而，在其他实施方式中，薄膜结构122可为多层结构。本专利技术的薄膜结构122的材质包含环氧树脂(expoxy)、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(Arcylicresin)或环烯烃(Cyclic-Olefin)，且其厚度实质上小于5微米(μm)，但本专利技术不以此材料以及厚度范围为限。本实施方式的薄膜结构122的折射率与基材120的折射率之间具有下述关系：1≥nPET/nA≥0.995；其中nPET定义为基材120的折射率，而nA定义为薄膜结构122的折射率。然而，本专利技术的基材120的折射率与薄膜结构122的折射率不以前述关系为限，其他任何适合的关系皆能应用在本在本专利技术。如图2所示，于形成转印层12之后，形成多个凹陷结构1220于转印层12的薄膜结构122上。具体来说，本实施方式利用转印工艺P1将图案P形成于薄膜结构122上以形成多个凹陷结构1220。举例而言，本实施方式的转印工艺P1是先制作具有图案P的微结构于母板(未绘示)上，进而将位于母板上图案P转印于薄膜结构122上以形成与母板的微结构互补的凹陷结构1220。本实施例的凹陷结构1220是以多维排列的形式均匀地具重复规律性地形成于转印层12的薄膜结构122上。前述多维排列的形式是指凹陷结构1220具有交错配置的底部位1222以及顶部位1224。凹陷结构1220的顶部位1224相对于基材120具有第一高度H1，而第一高度H1实质上小于5微米。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路板的制造方法，其特征在于，包含：在转印层上形成多个凹陷结构；在所述转印层上形成介电层，以形成堆叠结构，其中所述介电层至少与所述些凹陷结构互嵌；在基板上压合所述堆叠结构，使得所述介电层接触所述基板；以及图案化所述介电层，且所述图案化所述介电层包含：隔着所述转印层对所述堆叠结构进行曝光工艺；在所述曝光工艺完成之后移除所述转印层。

【技术特征摘要】
1.一种电路板的制造方法，其特征在于，包含：在转印层上形成多个凹陷结构；在所述转印层上形成介电层，以形成堆叠结构，其中所述介电层至少与所述些凹陷结构互嵌；在基板上压合所述堆叠结构，使得所述介电层接触所述基板；以及图案化所述介电层，且所述图案化所述介电层包含：隔着所述转印层对所述堆叠结构进行曝光工艺；在所述曝光工艺完成之后移除所述转印层。2.如权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，所述在所述转印层上形成所述多个凹陷结构包含：在基材上形成薄膜结构以形成所述转印层；以及利用转印工艺将图案形成于所述薄膜结构上以形成所述多个凹陷结构。3.如权利要求2所述的电路板的制造方法，其特征在于，还包含：在所述形成所述图案于所述薄膜结构上之后，利用固化工艺固化所述薄膜结构。4.如权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，所述在所述转印层上形成所述介电层是使得所述多个凹陷结构转印形成多个突起结构于所述介电层靠近所述转印层的一侧。5.如权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，还包含：在所述压合所述堆叠结构于所述基板上之前，在所述基板上形成第一线路层...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖伯轩，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71