一种异质结太阳电池及其制备方法技术

技术编号:20823185 阅读:18 留言:0更新日期:2019-04-10 06:48
本申请公开了一种异质结太阳电池,包括衬底层、第一掺杂层、第一导电层、第一电极、第二掺杂层、第四导电层和第二电极,其中第一导电层包括位于第一掺杂层背离衬底层的表面的第二导电层和位于第二导电层背离第一掺杂层的表面的第三导电层,第四导电层包括位于第二掺杂层背离衬底层的表面的第五导电层和位于第五导电层背离第二掺杂层的表面的第六导电层,第二导电层和第五导电层均为热蒸发法形成的导电层,不会对第一掺杂层和第二掺杂层造成损伤,进一步的,第二导电层和第五导电层还分别作为形成第三导电层和第六导电层时的缓冲层,因此,消除对第一掺杂层和第二掺杂层造成的损伤。此外,本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳电池制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结太阳电池及其制备方法
本申请涉及太阳电池
,特别是涉及一种异质结太阳电池及其制备方法。
技术介绍
异质结太阳电池采用非晶硅薄膜实现晶体硅表面钝化和选择性接触功能,拥有光电转换效率高、温度系数低、无电势诱导衰减和光致衰减等优点,成为近年来光伏行业研究的热点。在异质结太阳电池的制备过程中,透明导电层通常采用溅射法进行沉积,但是在沉积过程中,由于从靶材表面溅射出来的粒子具有较高的能量,会对非晶硅薄膜造成轰击和损伤,导致复合增加,影响异质结太阳电池光电转换性能。现有的技术中,在溅射沉积透明导电层时将溅射沉积过程分为两步,即分别采用第一溅射法和第二溅射法。在采用第一溅射法时,通过减小溅射粒子能量,减弱对非晶硅薄膜的轰击力,从而缓减对非晶硅薄膜的损伤。但是这种方法仅能缓减透明导电层沉积过程中对非晶硅薄膜造成的损伤,并不能消除。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种异质结太阳电池及其制备方法,以消除透明导电层溅射沉积过程中对非晶硅薄膜造成的损伤。为解决上述技术问题,本申请提供一种异质结太阳电池,包括:衬底层;位于所述衬底层第一表面的第一掺杂层;位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第一导电层,其中,第一导电层包括位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第二导电层和位于所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面的第三导电层;位于所述第一导电层背离所述第一掺杂层的表面的第一电极;位于所述衬底层第二表面的第二掺杂层;位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第四导电层,其中,第四导电层包括位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第五导电层和位于所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面的第六导电层;位于所述第四导电层背离所述第二掺杂层的表面的第二电极;其中,所述第二导电层和所述第五导电层均为热蒸发法形成的导电层,所述第一表面与所述第二表面相对。可选的,还包括:位于所述衬底层与所述第一掺杂层之间的第一本征层;和位于所述衬底层与所述第二掺杂层之间的第二本征层。可选的,所述第三导电层和所述第六导电层均为溅射法形成的导电层。可选的,所述第二导电层的厚度取值范围为0.1nm-50nm,包括端点值;所述第五导电层的厚度取值范围为0.1nm-50nm,包括端点值。可选的,所述第三导电层的厚度取值范围为0.1nm-500nm,包括端点值;所述第六导电层的厚度取值范围为0.1nm-500nm,包括端点值。可选的,所述第一导电层和所述第四导电层均为透明导电层。本申请还一种异质结太阳电池制备方法,包括:在衬底层的第一表面形成第一掺杂层;利用热蒸发法,在所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面形成第二导电层;在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层;在所述第三导电层背离所述第二导电层的表面形成第一电极;在所述衬底层第二表面形成第二掺杂层;利用热蒸发法,在所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面形成第五导电层;在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层;在所述第六导电层背离所述第五导电层的表面形成第二电极;其中,所述第一表面与所述第二表面相对。可选的,还包括:在所述衬底层与所述第一掺杂层之间形成第一本征层;和在所述衬底层与所述第二掺杂层之间形成第二本征层。可选的,所述在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层包括:利用溅射法,在所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面形成第三导电层;所述在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层包括:利用溅射法,在所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面形成第六导电层。可选的,在所述在衬底层的第一表面形成第一掺杂层之前还包括:对所述衬底层的第一表面进行制绒。本申请所提供的异质结太阳电池,包括衬底层;位于所述衬底层第一表面的第一掺杂层;位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第一导电层,其中,第一导电层包括位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第二导电层和位于所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面的第三导电层;位于所述第一导电层背离所述第一掺杂层的表面的第一电极;位于所述衬底层第二表面的第二掺杂层;位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第四导电层,其中,第四导电层包括位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第五导电层和位于所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面的第六导电层;位于所述第四导电层背离所述第二掺杂层的表面的第二电极;其中,所述第二导电层和所述第五导电层均为热蒸发法形成的导电层,所述第一表面与所述第二表面相对。本申请中的第二导电层和第五导电层均为待沉积材料蒸发为气态分别形成在第一掺杂层背离衬底层的表面和第二掺杂层背离衬底层的表面的导电层,不会对第一掺杂层和第二掺杂层造成损伤,进一步的,第二导电层和第五导电层还可以分别作为形成第三导电层和第六导电层时的缓冲层,因此,消除了对第一掺杂层和第二掺杂层造成的损伤。此外,本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳电池制备方法。附图说明为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请所提供的异质结太阳电池的一种结构示意图;图2为本申请所提供的异质结太阳电池的另一种结构示意图;图3为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的一种流程图;图4为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的另一种流程图;图5为本申请所提供的异质结太阳电池制备方法的另一种流程图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案,下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术,但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广,因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述,现有的技术中在形成导电层时,导电层分为两层,分别采用第一溅射法和第二溅射法。虽然在采用第一溅射法时,通过减小溅射粒子能量,可以减弱对非晶硅薄膜的轰击力,从而缓减对非晶硅薄膜的损伤,但是这种方法仅能缓减透明导电层沉积过程中对非晶硅薄膜造成的损伤,并不能消除。有鉴于此,本申请提供了一种异质结太阳电池,请参考图1,图1为本申请所提供的异质结太阳电池的一种结构示意图,该异质结太阳电池包括:衬底层1;位于所述衬底层1第一表面的第一掺杂层2;位于所述第一掺杂层2背离所述衬底层1的表面的第一导电层3,其中,第一导电层3包括位于所述第一掺杂层2背离所述衬底层1的表面的第二导电层31和位于所述第二导电层31背离所述第一掺杂层2的表面的第三导电层32;位于所述第一导电层3背离所述第一掺杂层2的表面的第一电极4;位于所述衬底层1第二表面的第二掺杂层5;位于所述第二掺杂层5背离所述衬底层1的表面的第四导电层6,其中,第四导电层6包括位于所述第二掺杂层5背离所述衬底层1的表面的第本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种异质结太阳电池,其特征在于,包括:衬底层;位于所述衬底层第一表面的第一掺杂层;位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第一导电层,其中,第一导电层包括位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第二导电层和位于所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面的第三导电层;位于所述第一导电层背离所述第一掺杂层的表面的第一电极;位于所述衬底层第二表面的第二掺杂层;位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第四导电层,其中,第四导电层包括位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第五导电层和位于所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面的第六导电层;位于所述第四导电层背离所述第二掺杂层的表面的第二电极;其中,所述第二导电层和所述第五导电层均为热蒸发法形成的导电层,所述第一表面与所述第二表面相对。

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳电池,其特征在于,包括:衬底层;位于所述衬底层第一表面的第一掺杂层;位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第一导电层,其中,第一导电层包括位于所述第一掺杂层背离所述衬底层的表面的第二导电层和位于所述第二导电层背离所述第一掺杂层的表面的第三导电层;位于所述第一导电层背离所述第一掺杂层的表面的第一电极;位于所述衬底层第二表面的第二掺杂层;位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第四导电层,其中,第四导电层包括位于所述第二掺杂层背离所述衬底层的表面的第五导电层和位于所述第五导电层背离所述第二掺杂层的表面的第六导电层;位于所述第四导电层背离所述第二掺杂层的表面的第二电极;其中,所述第二导电层和所述第五导电层均为热蒸发法形成的导电层,所述第一表面与所述第二表面相对。2.如权利要求1所述的异质结太阳电池,其特征在于,还包括:位于所述衬底层与所述第一掺杂层之间的第一本征层;和位于所述衬底层与所述第二掺杂层之间的第二本征层。3.如权利要求2所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述第三导电层和所述第六导电层均为溅射法形成的导电层。4.如权利要求3所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述第二导电层的厚度取值范围为0.1nm-50nm,包括端点值;所述第五导电层的厚度取值范围为0.1nm-50nm,包括端点值。5.如权利要求4所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述第三导电层的厚度取值范围为0.1nm-500nm,包括端点值;所述第六导电层的厚度取值范围为0.1nm...

【专利技术属性】
技术研发人员:张树德魏青竹倪志春钱洪强连维飞揭建胜张晓宏
申请(专利权)人:苏州腾晖光伏技术有限公司苏州大学
类型:发明
国别省市:江苏,32

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