一种芯片的封装结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片封装结构及制备方法，其中芯片封装结构，包括：转接基板，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，在第一表面上设有至少一个向第二表面延伸的凹槽，在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；芯片，设置在所述凹槽内，具有至少一个伸出引脚，伸出引脚与所述凹槽内的预埋线路互连。本发明专利技术提供的制备方法，采用interposer工艺预先将线路埋置，可以有效避免现有技术采用TSV背面引线的高温高压工艺时，产生的高温高压使得芯片封装中多种材料的热膨胀系数不匹配带来的翘曲问题，可以采用多种永久键合工艺，可靠性更高。转接基板可以采用12吋的晶圆或12吋方板，相比现有技术一般小于6吋的晶圆，能够大幅增加产能。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的封装结构及制备方法
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种芯片的封装结构及制备方法。
技术介绍
现有的滤波器封装结构是在芯片的功能面键合基板，然后在基板上进行硅通孔(ThroughSiliconVias，TSV)互联结构，将芯片功能面的电性引出至基板上，由于硅是热的良导体，可以明显改善导热性能，从而延长了器件的寿命。但是，将芯片功能面的电性引出至基板上需要采用TSV背面引线工艺，其对于键合片工艺要求较高，需高温高压工艺，工艺不稳定，该封装结构为了保证后续薄片加工需要做临时键合以及拆键合动作，而且由于芯片衬底材质的热膨胀系数较硅基板而言，高了很多，在后段晶圆级加工过程中容易出现因为多种材料的热膨胀系数不匹配带来的翘曲问题，甚至更严重的是对最终产品自身的结构强度带来隐患。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种芯片的封装结构及制备方法，有效避免了现有技术对滤波器芯片进行封装时，采用TSV背面引线的高温高压工艺制作过程中带来质量缺陷隐患的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种芯片封装结构，包括：转接基板，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，在第一表面上设有至少一个向第二表面延伸的凹槽，在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；芯片，设置在所述凹槽内，具有至少一个伸出引脚，所述伸出引脚与所述凹槽内的预埋线路互连。在一实施中，所述芯片封装结构，还包括：塑封层，所述塑封层塑封所述转接基板的第一表面及所述芯片。在一实施中，所述预埋线路贯穿所述凹槽至所述第二表面。在一实施中，所述芯片封装结构，还包括：引脚层，形成于所述转接基板的第二表面上，与所述预埋线路互连。在一实施中，引脚，扇出在所述引脚层的表面。在一实施中，所述转接基板为12吋晶圆或12吋方板。在一实施中，所述芯片为滤波器芯片。第二方面，本专利技术实施例提供了一种芯片封装结构的制备方法，包括如下步骤：提供一转接基板，所述转接基板具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面；在所述转接基板的第一表面上开设至少之一向第二表面延伸的凹槽，并在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；将芯片安装在所述凹槽内，所述芯片具有至少一个伸出引脚，所述伸出引脚与所述预埋线路互连。在一实施中，上述芯片封装结构的制备方法，还包括：将所述转接基板的第二表面进行减薄，露出所述预埋线路。在一实施中，上述芯片封装结构的制备方法，，还包括：将所述转接基板的第一表面及所述芯片进行塑封。在一实施中，上述的芯片封装结构的制备方法，还包括：在所述转接基板的第二表面上形成引脚层，所述引脚层包括引脚，扇出所述引脚层表面。本专利技术技术方案，具有如下优点：1、本专利技术实施例提供的芯片封装结构及制备方法，其中芯片封装结构，包括：转接基板，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，在第一表面上设有至少一个向第二表面延伸的凹槽，在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；芯片，设置在所述凹槽内，具有至少一个伸出引脚，伸出引脚与所述凹槽内的预埋线路互连。本专利技术实施例提供的制备方法采用在转接基板预先将线路埋置，在封装的过程中，无需TSV背面引线工艺，可以有效避免现有技术采用TSV背面引线工艺时，产生的高温高压使得芯片封装中多种材料的热膨胀系数不匹配带来的翘曲问题。2、本专利技术实施例提供的芯片封装结构及制备方法，可以采用多种永久键合工艺，可靠性更高。转接基板可以采用12吋晶圆或12吋方板，相比现有技术一般小于6吋的晶圆，能够大幅增加产能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的一个具体示例的结构图；图2为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的另一个具体示例的结构图；图3为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的另一个具体示例的结构图；图4为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的另一个具体示例的结构图；图5为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的另一个具体示例的结构图；图6为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的另一个具体示例的结构图；图7为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的另一个具体示例的结构图；图8为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的制备方法的一个具体示例的流程图；图9为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的制备方法中执行步骤S2形成的结构；图10为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的制备方法的另一个具体示例的流程图；图11为本专利技术实施例提供的芯片封装结构的制备方法的另一个具体示例的流程图。附图标记：1、转接基板；11、第一表面；12、第二表面；13、凹槽；14、预埋线路；2、芯片；3、伸出引脚；4、塑封层；5、引脚层；51、引脚。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。实施例1本专利技术实施例提供一种芯片封装结构，如图1所示，该结构包括：转接基板1，具有第一表面11及与第一表面11相对立的第二表面12，在第一表面11上设有至少一个向第二表面12延伸的凹槽13，在凹槽13内埋置至少一个预埋线路14；芯片2，设置在凹槽13内，具有至少一个伸出引脚3，伸出引脚3与凹槽13内的预埋线路14电连接。在本实施例中，图1所示的芯片封装结构中的芯片2为具有两个伸出引脚的滤波器芯片，但是并不限于此，在其他实施例中，可以为具有其他伸出引脚数量的芯片。本实施例提供的种芯片封装结构，采用interposer工艺(转接基板工艺)预先将用于导电的预埋线路埋置，可以有效避免现有技术中采用TSV背面引线的高温高压工艺时，产生的高温高压使得芯片衬底材质的热膨胀系数较硅基板等材料的热膨胀系数不匹配带来的翘曲问题。并且可以采用多种永久键合工艺，可靠性更高。在一较佳实施例中，转接基板为12吋晶圆或12吋方板。现有技术中通常采用转接基板的晶圆一般小于6吋，本实施例通过倒焊重组形成12吋晶圆或12吋方板，能够大幅增加产能。在一实施例中，如图2所示，上述芯片封装结构还包括：塑封层4，塑封层4塑封转接基板1的第一表面11及芯片2，通过塑封材料形成的塑封层4将转接基板1的第一表面11及芯片2进行塑封，能够形成的密闭空间能更好的保护芯片2，使得芯片2使用的使用寿命更长。在一实施例中，如图3或图4所示的结构，可以通过减薄或者光刻工艺实现预埋线路14贯穿凹槽13至第二表面12，通过预埋线路14将芯片2的功能转出。在一较佳实施例中，如图5所示，上述芯片封装结构还包括：引脚层5，形成于转接基板1的第二表面12上，与预埋线路14电连接。通过引脚层5预埋线路14电连接，来增大芯片2的扇出面积。在一较佳实施例中，如图6或图7所示，引脚层5包括：引脚51，扇出在引脚层5表面。引脚51可以为焊球，焊点等其他导电引脚，方便连接其他电子器件。本专利技术实施例提供的芯片封装结构，包括：转接基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：转接基板，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，在第一表面上设有至少一个向第二表面延伸的凹槽，在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；芯片，设置在所述凹槽内，具有至少一个伸出引脚，所述伸出引脚与所述凹槽内的预埋线路互连。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：转接基板，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，在第一表面上设有至少一个向第二表面延伸的凹槽，在所述凹槽内埋置至少一个预埋线路；芯片，设置在所述凹槽内，具有至少一个伸出引脚，所述伸出引脚与所述凹槽内的预埋线路互连。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层塑封所述转接基板的第一表面及所述芯片。3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述预埋线路贯穿所述凹槽至所述第二表面。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：引脚层，形成于所述转接基板的第二表面上，与所述预埋线路互连。5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引脚层包括：引脚，扇出在所述引脚层的表面。6.根据权利要求1-5任一所述的芯片封装结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：任玉龙，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32