【技术实现步骤摘要】
可挠性芯片封装
本专利技术涉及一种芯片封装,且特别是涉及一种可挠性芯片封装。
技术介绍
随着科技的进步,电子产品无不朝向轻量化与微型化的趋势发展。以智能型穿戴式电子装置方面的应用为例,若所使用的多芯片封装或系统级封装具备可挠曲特性及/或耐冲击特性将可确保封装结构的可靠度,进而提升智能型穿戴式电子装置的使用寿命。据此,如何制造出可兼顾可靠度、可挠曲特性及耐冲击特性的封装结构,实为目前业界研发的重点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种使用可挠性基板以对半导体芯片进行封装的可挠性芯片封装。依据本专利技术的一实施例,可挠性芯片封装包括:第一可挠性基板;第一重布线层,配置于所述第一可挠性基板上;第二可挠性基板;第二重布线层,配置于所述第二可挠性基板上;半导体芯片,配置于所述第一重布线层与所述第二重布线层之间,其中所述半导体芯片电连接至所述第一重布线层及所述第二重布线层至少其中一者;以及第一接合层,配置于所述第一重布线层与所述第二重布线层之间并且包覆所述半导体芯片,其中所述第一接合层、所述第一重布线层及所述第二重布线层位于所述第一可挠性基板与所述第二可挠性基板之间。依据本专利技术的另一实施例,可挠性芯片封装包括:第一可挠性基板;重布线层,配置于所述第一可挠性基板上;第二可挠性基板;应力调整层,配置于所述第二可挠性基板上;半导体芯片,配置于所述重布线层与所述应力调整层之间并且电连接至所述重布线层;以及接合层,配置于所述重布线层与所述应力调整层之间并且包覆所述半导体芯片,其中所述接合层、所述重布线层及所述应力调整层位于所述第一可挠性基板与所述第二可挠性基板之间。依据 ...
【技术保护点】
1.一种可挠性芯片封装,其特征在于,包括:第一可挠性基板;第一重布线层,配置于所述第一可挠性基板上;第二可挠性基板;第二重布线层,配置于所述第二可挠性基板上;半导体芯片,配置于所述第一重布线层与所述第二重布线层之间,其中所述半导体芯片电连接至所述第一重布线层及所述第二重布线层至少其中一者;以及第一接合层,配置于所述第一重布线层与所述第二重布线层之间并且包覆所述半导体芯片,其中所述第一接合层、所述第一重布线层及所述第二重布线层位于所述第一可挠性基板与所述第二可挠性基板之间。
【技术特征摘要】
2017.09.30 US 62/566,3341.一种可挠性芯片封装,其特征在于,包括:第一可挠性基板;第一重布线层,配置于所述第一可挠性基板上;第二可挠性基板;第二重布线层,配置于所述第二可挠性基板上;半导体芯片,配置于所述第一重布线层与所述第二重布线层之间,其中所述半导体芯片电连接至所述第一重布线层及所述第二重布线层至少其中一者;以及第一接合层,配置于所述第一重布线层与所述第二重布线层之间并且包覆所述半导体芯片,其中所述第一接合层、所述第一重布线层及所述第二重布线层位于所述第一可挠性基板与所述第二可挠性基板之间。2.如权利要求1所述的可挠性芯片封装,还包括多个导电材料,其中所述多个导电材料贯穿所述第一接合层以电连接至所述第一重布线层与所述第二重布线层。3.如权利要求1所述的可挠性芯片封装,还包括多个支撑柱体,其中所述多个支撑柱体贯穿所述第一接合层以与所述第一重布线层及所述第二重布线层接触。4.如权利要求1所述的可挠性芯片封装,还包括侧向阻障元件,其中所述侧向阻障元件嵌于所述第一接合层中以环绕所述半导体芯片。5.如权利要求1所述的可挠性芯片封装,还包括至少一第一元件,配置于所述第一重布线层与所述第二重布线层之间,其中所述至少一第一元件电连接至所述第一重布线层及所述第二重布线层至少其中一者。6.如权利要求5所述的可挠性芯片封装,其中所述至少一第一元件包括传感器、无源元件、静电放电防护元件、电池、天线、连接器或前述元件的组合。7.如权利要求1所述的可挠性芯片封装,还包括:第一覆盖层,配置于所述第一可挠性基板上,其中所述第一覆盖层及所述第一重布线层分别位于所述第一可挠性基板的两对侧;以及第二覆盖层,配置于所述第二可挠性基板上,其中所述第二覆盖层及所述第二重布线层分别位于所述第二可挠性基板的两对侧。8.如权利要求7所述的可挠性芯片封装,还包括:至少一第二元件,配置于所述第二覆盖层与所述第二可挠性基板之间,且所述至少一第二元件电连接至所述第二重布线层;以及第二接合层,配置于所述第二覆盖层与所述第二可挠性基板之间并且包覆所述至少一第二元件。9.如权利要求8所述的可挠性芯片封装,其中所述至少一第二元件包括传感器、无源元件、静电放电防护元件、电池、天线、连接器或前述元件的组合。10.如权利要求1所述的可挠性芯片封装,还包括至少一第三元件,其中所述至少一第三元件嵌于所述第一重布线层及所述第二重布线层至少其中一者内,且所述至少一第三元件包括传感器、无源元件、静电放电防护元件、电池、天线、连接器或前述元件的组合。11.一种可挠性芯片封装,其特征在于,包括:第一可挠性基板;重布线层,配置于所述第一可挠性基板上;第二可挠性基板;应力调整层,配置于所述第二可挠性基板上;半导体芯片,配置于所述重布线层与所述应力调整层之间并且电连接至所述重布线层;以及接合层,配置于所述重布线层与所述应力调整层之间并且包覆所述半导体芯片,其中所述接合层、所述重布线层及所述应力调整层位于所述第一可挠性基板与所述第二可挠性基板之间。12.如权利要求11所述的可挠性芯片封装,还包括多个支撑柱体,其中所述多个支撑柱体贯穿所述接合层以与所述重布线层及所述应力调整层接触。13.如权利要求11所述的可挠性芯片封装,还包括侧向阻障元件,其中所述侧向阻障元件嵌于所述接合层中以环绕所述半导体芯片。14.如权利要求11所述的可挠性芯片封装,还包括至少一元件,配置于...
【专利技术属性】
技术研发人员:游政煌,王泰瑞,冯捷威,邱世冠,杨明桓,
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院,创智智权管理顾问股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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