多层电子组件及制造该多层电子组件的方法技术

本发明专利技术提供一种多层电子组件及制造该多层电子组件的方法，所述多层电子组件包括：电容器主体，所述电容器主体包括设置为分别通过相对的表面交替地暴露的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层和第二薄膜层包括氮化钛(TiN)、钌(Ru)、铂(Pt)、铱(Ir)和钛(Ti)中的至少一种，设置在所述电容器主体的表面上，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极和第二外电极分别形成在所述第一薄膜和所述第二薄膜层上。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。

【技术实现步骤摘要】
多层电子组件及制造该多层电子组件的方法本申请要求分别于2017年9月29日和2018年2月27日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0128096号和10-2018-0023564号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种多层电子组件及制造该多层电子组件的方法。
技术介绍
根据目前朝向更轻、更薄、更紧凑和更小的电子装置的趋势，各种电子组件已经变得更轻、更薄、更紧凑和更小，并且这样的趋势已经应用于多层电容器(多层陶瓷电容器(MLCC))。为了保持具有较小尺寸的多层电子组件的高容量，需要增大用作介电物质的陶瓷的可用体积与整个陶瓷电容器主体的体积的有效体积比。作为增大有效体积比的方法，已经开发了用于逐渐使内电极和外电极薄化的技术。然而，在使用形成通常的多层电容器的电极的方法来实现具有预定厚度或更小厚度的电极方面存在限制。另外，在现有方法中存在随着薄化而性能或可靠性降低的问题，因此，日益需要能够解决这样的问题的新方法。
技术实现思路
本公开的一个方面可提供一种用于增强防水可靠性的多层电子组件及制造该多层电子组件的方法。根据本公开的示例性实施例，一种多层电子组件可包括：电容器主体，所述电容器主体包括彼此面对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并彼此面对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和第二表面并且连接到所述第三表面和所述第四表面并彼此面对的第五表面和第六表面，并且包括设置为分别通过所述第三表面和所述第四表面交替地暴露的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包括氮化钛(TiN)、钌(Ru)、铂(Pt)、铱(Ir)和钛(Ti)中的至少一种，分别设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极和第二外电极分别形成在所述第一薄膜层和所述第二薄膜层上。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度偏差可小于或等于10％。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的拐角与中央的厚度比可以是0.9或更大。所述第一外电极和所述第二外电极可包括铜。所述第一外电极和所述第二外电极可具有包括铜层、镍层和锡层的多层结构。所述第一外电极和所述第二外电极可具有包括镍层和锡层的双层结构。所述第一薄膜层可从所述电容器主体的所述第三表面延伸到所述第一表面的一部分、所述第二表面的一部分、所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分，所述第二薄膜层可从所述电容器主体的所述第四表面延伸到所述第一表面的一部分、所述第二表面的一部分、所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分。根据本公开的另一示例性实施例，一种制造多层电子组件的方法可包括：使用薄膜原子层沉积(ALD)工艺在电容器主体的外表面上涂覆包括氮化钛(TiN)、钌(Ru)、铂(Pt)、铱(Ir)和钛(Ti)中的至少一种的材料以形成种子层并烧结所述种子层；使用镀覆工艺在所述种子层的表面上形成导电层；形成聚合物层以覆盖所述电容器主体的在长度方向上的相对的端部；蚀刻所述导电层的没有被所述聚合物层覆盖的部分，以形成彼此分开的第一外电极和第二外电极；去除形成在所述电容器主体的没有被所述第一外电极和所述第二外电极覆盖的部分上的所述种子层，以形成彼此分开的第一薄膜层和第二薄膜层；以及去除所述聚合物层。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度偏差可小于或等于10％。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的拐角与中央的厚度比可以是0.9或更大。所述导电层可包括铜。所述导电层可具有按照镀覆铜、镍和锡的顺序形成的铜层、镍层和锡层的多层结构。所述导电层可具有按照镀覆镍和锡的顺序形成的镍层和锡层的双层结构。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的上述和其他方面、特征和其他优点将被更加清楚地理解，在附图中：图1是根据本公开的实施例的多层电子组件的透视图；图2是沿图1的线I-I'截取的截面图；图3是图2中另外形成镀层的情况的截面图；图4是根据本公开的实施例的多层电子组件中包括形成为种子层的薄膜层的电容器主体的截面图；图5是图4中另外形成导电层的情况的截面图；图6是图5中另外形成聚合物层的情况的截面图；图7是从图6去除导电层一部分以设置第一外电极和第二外电极的情况的截面图；以及图8是从图7去除薄膜层的一部分的情况的截面图。具体实施方式在下文中，现将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。图1是根据本公开的实施例的多层电子组件的透视图。图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。图3是图2中另外形成镀层的情况的截面图。参照图1至图3，根据本公开的实施例的多层电子组件可包括电容器主体110、第一薄膜层151和第二薄膜层152以及第一外电极131和第二外电极132。电容器主体110可包括多个介电层111以及多个第一内电极121和多个第二内电极122，所述多个第一内电极121和所述多个第二内电极122交替地设置在多个介电层111之间。电容器主体110可包括在Z轴方向上彼此面对的第一表面1和第二表面2、在X轴方向上彼此面对并连接到第一表面1和第二表面2的第三表面3和第四表面4以及在Y轴方向上彼此面对并连接到第一表面1和第二表面2以及连接到第三表面3和第四表面4的第五表面5和第六表面6。第一内电极121的一端和第二内电极122的一端可分别通过电容器主体110的第三表面3和第四表面4暴露。第一薄膜层151和第二薄膜层152可分别设置在电容器主体110的第三表面3和第四表面4上，并且可分别接触并可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122的暴露部分。第一薄膜层151和第二薄膜层152可包括氮化钛(TiN)、钌(Ru)、铂(Pt)、铱(Ir)和钛(Ti)中的至少一种。在这种情况下，第一薄膜层151和第二薄膜层152可各自具有等于或小于60nm的厚度。当第一薄膜层151和第二薄膜层152中的每一个的厚度大于60nm时，会增大不必要的处理时间并且会增大镀覆失败率。第一薄膜层151和第二薄膜层152中的厚度偏差可等于或小于10％。这里，厚度偏差可指第一薄膜层151或第二薄膜层152的最大厚度值或最小厚度值与第一薄膜层151或第二薄膜层152的厚度平均值之间的差值相对于所述厚度平均值的百分比。第一薄膜层151和第二薄膜层152可具有0.9或更大的拐角与中央的厚度比。第一薄膜层151可从电容器主体110的第三表面3延伸到第一表面1的一部分、第二表面2的一部分、第五表面5的一部分和第六表面6的一部分。第二薄膜层152可以从电容器主体110的第四表面4延伸到第一表面1的一部分、第二表面2的一部分、第五表面5的一部分和第六表面6的一部分。第一外电极131和第二外电极132可分别形成在第一薄膜层151和第二薄膜层152上。第一外电极131和第二外电极132可以分别设置在电容器主体110的第三表面3和第四表面4上，并且可分别接触和可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122的暴露部分。在这种情况下，第一外电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层电子组件，包括：电容器主体，所述电容器主体包括彼此面对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并彼此面对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面并且连接到所述第三表面和所述第四表面并彼此面对的第五表面和第六表面，并且包括设置为分别通过所述第三表面和所述第四表面交替地暴露的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包括氮化钛、钌、铂、铱和钛中的至少一种，分别设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极和所述第二外电极分别形成在所述第一薄膜层和所述第二薄膜层上，其中，所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。

【技术特征摘要】
2017.09.29 KR 10-2017-0128096;2018.02.27 KR 10-2011.一种多层电子组件，包括：电容器主体，所述电容器主体包括彼此面对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并彼此面对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面并且连接到所述第三表面和所述第四表面并彼此面对的第五表面和第六表面，并且包括设置为分别通过所述第三表面和所述第四表面交替地暴露的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包括氮化钛、钌、铂、铱和钛中的至少一种，分别设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极和所述第二外电极分别形成在所述第一薄膜层和所述第二薄膜层上，其中，所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一薄膜层或第二薄膜层的厚度偏差小于或等于10％。3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的拐角与中央的厚度比为0.9或更大。4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和第二外电极包括铜。5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和第二外电极具有包括铜层、镍层和锡层的多层结构。6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和第二外电极具有包...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩昇勳，赵成珉，吴东俊，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR