A solution method for preparing p_i_n low voltage driven organic light emitting diode (OLED) is described. The OLED device consists of a transparent ITO glass substrate, a p-doped transport layer, a luminescent layer, an n-doped transport layer, an electronic buffer layer and a metal back electrode superposition. By introducing composite material PTAA:AgNWs into OLED devices, the transmission performance of the hole transport layer can be effectively improved, and the hole injection barrier can be reduced, thereby reducing the driving voltage of the device; PEI:SnS2_QDs is prepared by solution method as the electronic transmission layer of OLED devices, which further improves the injection and transmission ability of electrons in the device. At the same time, the driving voltage of OLED device is reduced, and the luminous efficiency of OLED device is improved effectively.
【技术实现步骤摘要】
一种溶液法制备p-i-n结构的低压驱动有机发光二极管的方法
本专利技术属于有机电致发光
,特别涉及一种溶液法制备p-i-n结构的低压驱动有机发光二极管的方法。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)以其广视角、自发光、响应时间快、可柔性化等优点在显示和照明领域得到了广泛的应用。在p-i-n结构的OLED中,电子和空穴分别通过n型掺杂和p型掺杂的传输层可有效地传输至发光层内,大幅提高了载流子的复合几率,因而器件的发光效率较高。但传统p-i-n结构的OLED均是基于真空热蒸镀的工艺来制备器件。然而利用真空热蒸镀方法来制备掺杂型功能薄膜的工艺非常复杂,成本较高,尤其是很难精确控制低浓度主客体的掺杂比例,从而制约了多层结构OLED的进一步发展。相比于传统真空热蒸镀工艺,采用溶液法制备p-i-n结构的OLED具有制备工艺简单、成本低、低浓度掺杂比例可控等许多优点,若通过溶液法制备出成膜性好、载流子迁移率高的复合传输材料,并应用于p-i-n结构的OLED中,将有望进一步提高溶液法制备OLED的发光性能。
技术实现思路
本专利技术目的是解决现有技术中存在的溶液法制备的传输层中载流子迁移率不高,成膜性不好导致器件驱动电压较高,发光性能差的问题,提供一种溶液法制备p-i-n结构的有机发光二极管(OLED)的方法,通过将复合材料PTAA:AgNWs引入到OLED器件中,能够有效提高空穴传输层的传输性能,并降低空穴注入势垒,从而降低了器件的驱动电压;通过溶液法制备出PEI:SnS2-QDs作为OLED器件的电子传输层,进一步改善了器件中电子的注入和传输能力。最终在降低器件驱动 ...
【技术保护点】
1.一种溶液法制备p‑i‑n结构的低压驱动有机发光二极管的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)利用紫外臭氧对表面清洗后的透明ITO玻璃衬底进行处理,将ITO玻璃衬底转移至充满氩气氛围的手套箱中,在ITO玻璃衬底上采用溶液法依次旋涂制备p型掺杂传输层、发光层和n型掺杂传输层;其中p型掺杂传输层所用材料为PTAA:AgNWs复合材料;发光层所用材料为PVK:Ir(ppy)3:PBD复合材料;n型掺杂传输层所用材料为PEI:SnS2‑QDs复合材料;(2)最后采用真空蒸镀沉积的方法制备电子缓冲层和金属背电极。
【技术特征摘要】
1.一种溶液法制备p-i-n结构的低压驱动有机发光二极管的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)利用紫外臭氧对表面清洗后的透明ITO玻璃衬底进行处理,将ITO玻璃衬底转移至充满氩气氛围的手套箱中,在ITO玻璃衬底上采用溶液法依次旋涂制备p型掺杂传输层、发光层和n型掺杂传输层;其中p型掺杂传输层所用材料为PTAA:AgNWs复合材料;发光层所用材料为PVK:Ir(ppy)3:PBD复合材料;n型掺杂传输层所用材料为PEI:SnS2-QDs复合材料;(2)最后采用真空蒸镀沉积的方法制备电子缓冲层和金属背电极。2.根据权利要求1所述溶液法制备p-i-n结构的低压驱动有机发光二极管的方法,其特征在于,p型掺杂传输层制备步骤如下:用电子天平称取聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)粉末溶解在甲苯溶液中,配制浓度为10mg/ml的PTAA溶液;银纳米线(AgNWs)分散在乙醇溶液中,浓度为10mg/ml;将PTAA溶液与AgNWs溶液以体积比为10~30:1混合均匀,制得PTAA:AgNWs混合溶液;将ITO玻璃衬底放置在匀胶机上,取PTAA:AgNWs混合溶液滴加在ITO玻璃衬底上,以1500rpm的转速旋涂30s,将制备好的涂有PTAA:AgNWs薄膜的衬底置于100℃的热台上退火处理15min,从而在ITO玻璃衬底上制备出膜层厚度为60nm的p型掺杂传输层薄膜。3.根据权利要求2所述溶液法制备p-i-n结构的低压驱动有机发光二极管的方法,其特征在于,发光层制备步骤如下:将绿光磷光材料三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)和具有电子传输性质的2-(4’-联苯基)-5-(4’-叔丁苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)掺入聚合物主体聚乙烯咔唑(...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴晓明,李元侠,张楠,田桂辉,芮红松,高思明,李琳,张国辉,华玉林,印寿根,
申请(专利权)人:天津理工大学,
类型:发明
国别省市:天津,12
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