一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法，第一基板块、第二基板块、芯片和保护层，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；所述芯片设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；所述导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块。本发明专利技术能够实现减小产品误差，且不会有废水产生，以及可百分之百阻隔模压胶渗入背电极，甚至在切割刀片上的损耗也能获得改善。

A Diode Device Based on Laser Machining and Its Manufacturing Method

The invention discloses a diode device based on laser processing and its manufacturing method. The first substrate block, the second substrate block, the chip and the protective layer are located on the same horizontal plane as the second substrate block, and are spaced from the first substrate block. The chip is arranged on the first substrate block, and the bottom surface of the chip is attached to the top surface of the first substrate block. One end of the line is connected with the top surface of the chip, and the other end is connected with the top surface of the second substrate. The protective layer covers the chip and the wire, and partially covers the first substrate and the second substrate. The invention can reduce product error without waste water generation, and 100% barrier moulding glue penetrates into the back electrode, even the loss on the cutting blade can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法
本专利技术属于电子元器件制造
，具体涉及一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法。
技术介绍
现有传统的二极管制作工艺中，所需的基板通常是采用湿式蚀刻的方式，即采用腐蚀性液体对其基板进行线路图形的制作。湿式蚀刻制程需在基板正背面经过曝光显影的前处理，该制程虽然属于成熟技术，但设备的精准度严重影响蚀刻面的公差，进而导致产品外观及电性不良。传统的湿式蚀刻制程，会有大量的蚀刻废水需要处理，对于环保意识崛起的地区，废水的处理将是笔额外且巨大的开销。传统的二极管封装制程，其基板底部是利用高温胶带阻挡模压胶渗入背电极，这种设计很难百分之百保证完全阻挡，很可能会造成部分不良品产生，甚至影响产品焊锡性，另外，传统的二极管封装制程，其基板选用金属框架，而在切割作业上对刀片的损耗较为剧烈。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法，能够实现减小产品误差，且不会有废水产生，以及可百分之百阻隔模压胶渗入背电极，甚至在切割刀片上的损耗也能获得改善。实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：第一方面，本专利技术提供了一种基于激光加工的二极管器件，包括：第一基板块，第二基板块，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；芯片，所述芯片设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；导线，所述导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；保护层，所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块；第一基板块和第二基板块上外露在保护层之外的部分作为背电极。优选地，所述保护层包覆了第一基板块和第二基板块厚度的一半。优选地，所述导线的材质为金、铜、铝、银中任一种。优选地，所述保护层由环氧树脂制成。优选地，所述第一基板块和第二基板块来自于同一块基板，由铜材料制成。第二方面，本专利技术提供了一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，包括：(1)在基板的正面进行蚀刻，形成若干个蚀刻区；(2)在基板上位于所述蚀刻区的一侧点胶，然后将芯片放置于该点胶处；(3)将导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与基板上位于蚀刻区上与所述芯片相对的一侧的顶表面相连；(4)在所述基板的正面、芯片和导线上制作保护层；(5)在基板背面对所述蚀刻区进行加工形成背电极，得到半成品；(6)对所述半成品进行切割，完成二极管器件的制造。优选地，所述蚀刻区的蚀刻深度为基板厚度的一半。优选地，所述导线材质为金、铜、铝、银中的任一种。优选地，所述在基板背面对所述蚀刻区进行加工形成背电极，得到半成品，具体为：在基板背面利用激光将所有蚀刻区进行烧除形成背电极，得到半成品。优选地，所述在所述基板的正面、芯片和导线上制作保护层，具体为：将经过步骤(3)的基板放置模压机的模具中，向模具中注入液态的环氧树脂胶，将基板正面的区域覆盖，完成后使用烤箱烘烤；其中，所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：1、本专利技术的激光加工对位精度高，相较传统蚀刻的曝光显影，有较小的尺寸公差；2、本专利技术的激光加工属于干式蚀刻，因此不存在湿式蚀刻产生的废水处理问题；3、本专利技术中基板的特殊设计可完全阻隔封装胶渗透到基板背电极的问题；4、本专利技术在激光加工后，切割道上的金属已被蚀刻掉，所以切割的路径上没有金属，可有效改善刀片的损耗。附图说明图1是本专利技术实施例1中的基板结构示意图；图2是本专利技术实施例1中完成固晶、打线后的产品结构示意图；图3是本专利技术实施例1中模压步骤后的产品结构示意图；图4是本专利技术实施例1的激光加工步骤后的产品结构示意图；图5是本专利技术实施例2中的二极管器件结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。下面结合附图对本专利技术的应用原理作详细的描述。实施例1本专利技术实施例中提供了一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，包括：(1)在基板1的正面进行蚀刻，形成若干个蚀刻区；所述基板1的背面为实心不穿透结构；在本专利技术实施例的优选实施方式中，所述蚀刻区的蚀刻深度为基板1厚度的一半，具体参见图1；(2)在基板1上位于所述蚀刻区的一侧(即芯片2放置区)点胶，然后将芯片2放置于该点胶处，即固晶步骤；在本实施例的优选实施方式中，具体为：使用固晶机在基板1正面位于所述蚀刻区的一侧点上银胶，然后将芯片2放置于银胶上，完成后用烤箱烘烤，具体参见图2；(3)将导线3的一端与所述芯片2的顶表面相连，另一端与基板1上位于蚀刻区上与所述芯片2相对的一侧的顶表面相连，即打线步骤，具体参见图2；在本实施例的优选实施方式中，具体为：使用焊线机从基板1正面的焊线焊点设计区域(所述焊线焊点设计区域与芯片2放置区分别位于蚀刻区的相对两侧)焊接一条导线3连接至芯片2表面，导线3材质可为金、铜、铝、银；(4)在所述基板1的正面、芯片2和导线3上制作保护层4，即模压步骤，具体参见图3；在本实施例的优选实施方式中，具体为：将经过步骤(3)的基板1放置模压机的模具中，向模具中注入液态的环氧树脂胶，将基板1正面的区域覆盖，完成后使用烤箱烘烤；其中，所述保护层4将芯片2和导线3全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板1块和第二基板1块(5)在基板1背面对所述蚀刻区进行加工形成背电极5，得到半成品；在本实施例的优选实施方式中，具体为：在基板1背面利用激光将所有蚀刻区进行烧除，留下来的部分则成为背电极5，得到半成品，具体参见图4。(6)对所述半成品进行切割，完成二极管器件的制造；在本专利技术的一种具体实施方式中，具体为：对经过步骤(5)后的基板1进行切割，完成二极管的制程，形成若干个二极管器件，具体参见图5。实施例2本专利技术实施例提供了一种基于激光加工的二极管器件，包括：第一基板块，第二基板块，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；所述第一基板块和第二基板块来自于同一块基板1，所述第一基板块和第二基板块均采用可导电且适合激光加工的材料制成，在本专利技术实施例的优选实施方式中，所述第一基板块和第二基板块均由铜材料制成；芯片2，所述芯片2设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；导线3，所述导线3的一端与所述芯片2的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；所述导线3为金属线，其材质为金、铜、铝、银中任一种；保护层4，所述保护层4将芯片2和导线3全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块，第一基板块和第二基板块上外露在保护层4之外的部分作为背电极5；优选地，所述保护层4包覆了第一基板块和第二基板块厚度的一半；在本专利技术实施例的一种具体实施方式中，所述保护层4由环氧树脂制成，且芯片2的厚度加上所述导线3的高度小于或者等于所述保护层4的厚度。本专利技术实施例中的二极管器件可以由实施例1中所提到的制造方法制造而成。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于，包括：第一基板块，第二基板块，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；芯片，所述芯片设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；导线，所述导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；保护层，所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块；第一基板块和第二基板块上外露在保护层之外的部分作为背电极。

【技术特征摘要】
1.一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于，包括：第一基板块，第二基板块，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；芯片，所述芯片设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；导线，所述导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；保护层，所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块；第一基板块和第二基板块上外露在保护层之外的部分作为背电极。2.根据权利要求1所述的一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于：所述保护层包覆了第一基板块和第二基板块厚度的一半。3.根据权利要求1所述的一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于：所述导线的材质为金、铜、铝、银中任一种。4.根据权利要求1所述的一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于：所述保护层由环氧树脂制成。5.根据权利要求1所述的一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于：所述第一基板块和第二基板块来自于同一块基板，由铜材料制成。6.一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，其特征在于，包括：(1)在基板的正面进行蚀刻，形成若干个蚀刻区；(2)在基板上位于所述蚀刻区的一侧点胶，然后将芯片放...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓月忠，温国豪，褚宏深，宋旭官，黄正信，
申请(专利权)人：丽智电子昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32