通式化合物及有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种如下式(I)所示通式化合物：

【技术实现步骤摘要】
通式化合物及有机电致发光器件
本专利技术涉及一种有机化合物，其可以用作有机电致发光器件发光层主体材料；本专利技术还涉及该化合物在有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
目前随着OLED技术在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于其核心材料的研究更加关注，一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果，这就为化学家们设计开发各种结构的功能化材料提供了极大地机遇和挑战。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。为了制备性能更好的发光器件，业界一直致力于开发新的有机电致发光材料以进一步提高器件的发光效率和寿命。有机电致发光器件具有驱动电压低、响应速度快、视角范围宽以及可通过化学结构微调改变发光性能使色彩丰富，容易实现分辨率高、重量轻、大面积平板显示等优点，成为材料、信息、物理等学科和平板显示领域研究的热点。高效的商业化有机发光二极管将很可能会含有有机金属磷光体，因为它们可以将单线态和三线态激子均捕获，从而实现100％的内量子效率。然而，由于过渡金属配合物的激发态激子寿命相对过长，导致三线态-三线态(T1-T1)在器件实际工作中淬灭。为了克服这个问题，研究者们常将三线态发光物掺杂到有机主体材料中。因此，对于高效有机发光二极管来说，开发高性能的主体材料和客体材料至关重要。作为三基色之一，红光对于全色显色和固态照明非常关键。然而高效的红光器件却很少，主要原因是缺乏合适的主体材料。目前，广泛应用于红色磷光器件的主体材料为CBP，但是它要求的驱动电压较高、Tg＝62℃，易于结晶。另外，CBP是一种p-型材料，空穴迁移率远高于电子迁移率，不利于载流子注入和传输平衡。然而，现有的有机电致发光材料在发光性能方面还有很大改进余地，业界亟需开发新的有机电致发光材料。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种性能良好的新型通式化合物。同时提供一种采用此类新型化合物的有机电致发光器件。本专利技术提供了一种通式化合物，具有如式(I)所示的结构式：式(I)中，R选自下式(II)或(III)：式(II)中：P和Q分别独立地选自C或N，且至少有1个为N；Ra表示单、二、三、四取代或无取代，且任何相邻的Ra任选地连接，且R1与相邻的Ra任选的连接；Ra与R1分别独立选自氢、C1～C10的烷基、C6～C30的芳胺基、C6～C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C3～C30的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团；式(III)中：X、Y和Z分别独立地选自C或N，其中至少有1个为N；R2和R3分别独立地选自氢、C1～C10的烷基、卤素、C6～C30的芳胺基、C6～C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C3～C30的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团；上述当Ra、R1、R2和R3分别独立选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时，所述其上的取代基团独立选自氰基、硝基，或选自C1～C10的烷基或环烷基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基基团，或选自C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团，或者选自Si(R4)3，该R4选自C1～C6的烷基。具体说，当定义上述Ra、R1、R2和R3分别独立选自芳基或亚芳基时，是指选自具有一定数目环骨架碳原子的芳族环系，包括单环结构取代基团例如苯基等，也包括共价连接结构的芳环取代基团例如联苯基、三联苯基等。具体说，当定义上述Ra、R1、R2和R3分别独立选自稠环芳烃或亚稠环芳烃基团时是指具有一定数目环骨架碳原子的芳族环系，包括稠环结构取代基团例如萘基、蒽基等，也包括稠环结构取代基团与单环结构芳基相连接的结构基团例如苯联萘基、萘联苯基、联苯联蒽基等，还包括共价连接结构的稠芳环取代基团例如联萘基等。具体说，当定义上述Ra、R1、R2和R3分别独立选自杂芳基或稠杂环芳烃基团时是指包含一个或多个选自B、N、O、S、P(＝O)、Si和P的杂原子且具有环碳原子的单环或稠环芳基。进一步的，式(Ⅱ)和式(Ⅲ)中，Ra、R1、R2和R3分别独立选自C1～C5的烷基、C6～C10的芳胺基、C6～C15的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C4～C15的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团；当Ra、R1、R2和R3选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时，所述其上的取代基独立优选自氰基，或选自C1～C5的烷基或环烷基、Si(CH3)3、烯基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或选自C6～C15的单环芳烃或稠环芳烃基团、含有选自N或O的杂原子且C6～C15的单环芳烃或稠环芳烃基团。更进一步的，式(Ⅱ)和式(Ⅲ)中，Ra、R1、R2和R3选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时，所述其上的取代基独立优选自氰基、甲基、乙基、异丙基、烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、吡咯基。更进一步的，式(Ⅱ)和式(Ⅲ)中，Ra、R1、R2和R3选自下述芳基或稠环芳基基团：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、荧蒽基、9,9-二甲基芴基、芴基、茚并芴基、三亚苯基、芘基、苝基、基或并四苯基；被呋喃基、噻吩基、吡咯基和/或吡啶基取代的苯基。上述联苯基优选为2-联苯基、3-联苯基和4-联苯基，上述三联苯基优选为对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基和间-三联苯基-2-基；上述萘基优选为1-萘基和/或2-萘基；上述蒽基优选为1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基；上述芘基优选为1-芘基、2-芘基或4-芘基；上述并四苯基优选为1-并四苯基、2-并四苯基或9-并四苯基。更进一步的，式(Ⅱ)和式(Ⅲ)中，Ra、R1、R2和R3选自下述杂芳基或稠杂芳基基团：呋喃基、苯基呋喃基、噻吩基、苯基噻吩基、吡咯基、苯基吡咯基、吡啶基、苯基吡啶基、吡嗪基、喹啉、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并三嗪、苯并吡嗪、异苯并呋喃基、吲哚基、苯并喹啉、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并吡咯基、咔唑基及其衍生物、苯基取代的二唑、啡啉基、啡啉并噻唑基和苯并间二氧杂环戊烯基中的至少一种，其中，所述咔唑基衍生物可以包括但不限于9-苯基咔唑、9-萘基咔唑苯并咔唑、二苯并咔唑、和吲哚并咔唑中的至少一种。再进一步的，作为本专利技术的新型通式化合物的优选例子，可举出选用下述代表性化合物P1-P90：本专利技术的含咔唑-荧蒽类红光主体类化合物可以作为有机电致发光器件的发光层主体材料，也可作为空穴注入层的材料，还可作为空穴传输层的材料。本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的一层或多层有机层，所述有机层中至少包括发光层，所述发光层中包含至少一种由式(I)所示的化合物：式(I)中，R选自下式(II)或(III)：式(II)中：P和Q分别独立地选自C或N，且至少有1个为N；Ra表示单、二、三、四取代或无取代，且任何相邻的Ra任选地连接，且R1与相邻的Ra任选的连接；Ra与R1分别独立选自氢、C1～C10的烷基、C6～C30的芳胺基、C6～C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C3～C30的取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通式化合物具有如下式(I)所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种通式化合物具有如下式(I)所示的结构：式(I)中，R选自下式(II)或(III)：式(II)中：P和Q分别独立地选自C或N，且至少有1个为N；Ra表示单、二、三、四取代或无取代，且任何相邻的Ra任选地连接，且R1与相邻的Ra任选的连接；Ra与R1分别独立选自氢、C1～C10的烷基、C6～C30的芳胺基、C6～C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C3～C30的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团；式(III)中：X、Y和Z分别独立地选自C或N，其中至少有1个为N；R2和R3分别独立地选自氢、C1～C10的烷基、C6～C30的芳胺基、C6～C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C3～C30的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团；上述当Ra、R1、R2和R3分别独立选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时，所述其上的取代基团独立选自氰基、硝基，或选自C1～C10的烷基或环烷基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基基团，或选自C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团，或者选自Si(R4)3，该R4选自C1～C6的烷基。2.根据权利要求1所述的通式化合物，所述式(II)和式(III)中：Ra、R1、R2和R3分别独立选自C1～C5的烷基、C6～C10的芳胺基、C6～C15的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C4～C15的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团；当Ra、R1、R2和R3选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时，所述其上的取代基独立优选自氰基，或选自C1～C5的烷基或环烷基、Si(CH3)3、烯基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或选自C6～C15的单环芳烃或稠环芳烃基团、含有选自N或O的杂原子且C6～C15的单环芳烃或稠环芳烃基团。3.根据权利要求1所述的通式化合物，所述式(II)和式(III)中：Ra、R1、R2和R3分别独立选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、基或并四苯基；被呋喃基、噻吩基、吡咯基和/或吡啶基取代的苯基；2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基、间-三联苯基-2-基、苯联萘...

【专利技术属性】
技术研发人员：高文正，张春雨，任雪艳，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，固安鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11