光源模块以及光源模块的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光源模块以及光源模块的制造方法，包括以下步骤：设置发光二极管芯片于承载基板上，且电性连接发光二极管芯片以及承载基板、设置保护胶于发光二极管芯片以及承载基板上、以及裁切承载基板而形成一光源模块。本发明专利技术方法不需利用承载体，所以可省略现有技术的移除承载体操作以及接合工艺，因此，本发明专利技术方法可提升光源模块的制造品质。

【技术实现步骤摘要】
光源模块以及光源模块的制造方法
本专利技术涉及一种光源模块，尤其涉及高发光效率的光源模块以及其光源模块的制造方法。
技术介绍
常见的光源利用发光二极管(LightEmittingDiode，LED)来产生光束，其发光原理为，于III-V族半导体材料，例如：氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)等材料上施加电流，利用电子与电洞的互相结合，使多余的能量于多层量子阱(MultipleQuantumWell，MQW)处以光子的形式释放出来，成为我们眼中所见的光线。接下来说明传统发光二极管芯片的结构。请参阅图1，其为传统发光二极管芯片的结构剖面示意图。图1中显示出传统发光二极管芯片1为多层堆叠的结构，其包括基板11、P极披覆层12、多层量子阱13、N极披覆层14、导电薄膜层(ITO)15、分别设置于发光二极管芯片1的上表面上的具有P极接点16以及N极接点17，而P极接点16以及N极接点17可供进行打线程序(此将于稍后说明)，而多层量子阱13设置于该多层堆叠的结构之中。由于前述已提到发光二极管芯片1由多层量子阱13出光，因此从多层量子阱13向上方输出的光束势必被位于多层量子阱13上方的P极披覆层12、导电薄膜层15、P极接点16以及N极接点17所遮挡而耗损，进而显著影响整体向上出光的发光效率。换句话说，传统发光二极管芯片1的整体发光亮度大部分只能依赖从多层量子阱13向侧边出光的光线部分，导致发光效率不佳。因此，传统发光二极管芯片1的发光效率仍有改善的空间。请参阅图2，其为应用传统发光二极管芯片的光源模块的结构剖面示意图。光源模块2包括有电路板21以及设置于电路板21上的多个发光二极管22(为了清楚表示，图2仅示出单一个发光二极管22)，且每一发光二极管22电性连接于电路板21，故可接收来自电路板21的电流而输出光束。其中，光源模块可被设置于电子装置(未显示于图中)内，令电子装置可提供输出光束的功能。一般而言，光源模块可分为下列二种：第一，电路板21仅负责有关发光二极管22的电路操作，而电子装置所主要提供的电子功能的相关电子讯号处理则透过另一电路板进行。第二、电路板21能够负责有关发光二极管22的电路操作，也能够对有关于电子装置所主要提供的电子功能的相关电子讯号进行处理。光源模块2中，每一发光二极管22皆为单一个传统发光二极管芯片1被封装后所形成者，且发光二极管芯片1的P极接点16以及N极接点17经由打线18而连接至电路板21的电性接脚211，借此发光二极管22才能接收来自电路板21的电流。然而，于发光二极管芯片1的封装过程中，发光二极管芯片1通常要被设置于一载板19上，但载板19所占据的体积以及预留打线18所需的高度皆是发光二极管芯片1被封装后的整体厚度会增加的主因，故应用传统发光二极管芯片1的光源模块十分不利于薄型化，当然，也不利于欲设置该光源模块的电子装置朝轻、薄、短小的方向发展。根据以上的说明可知，传统光源模块具有改善的空间，因此，需要一种可降低厚度且可提升发光效率的光源模块。此外，传统光源模块的制造方法先将发光二极管芯片设置于一承载体上以进行封胶工艺，于移除承载体之后，再进行发光二极管芯片与电路板的接合工艺。其中，该接合工艺需要高精密度的操作，造成光源模块的制造良率以及品质低落。因此，也需要一种可改善上述问题的光源模块的制造方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可降低厚度且可提升发光效率的光源模块以及其光源模块的制造方法。于一较佳实施例中，本专利技术提供一种光源模块的制造方法，包括以下步骤：设置一发光二极管芯片于一承载基板上、电性连接该发光二极管芯片以及该承载基板、设置一保护胶于该发光二极管芯片以及该承载基板上、以及、裁切该承载基板而形成一光源模块。于一较佳实施例中，设置该保护胶于该发光二极管芯片以及该承载基板上，包括以下步骤：以喷胶方式设置该保护胶于该发光二极管芯片以及该承载基板上、以及、固化该保护胶，使该保护胶包覆该发光二极管芯片以及部分该承载基板。于一较佳实施例中，本专利技术也提供一种光源模块，包括一发光二极管芯片、一承载基板以及一保护胶。该发光二极管芯片用以输出一光束。该承载基板电性连接于该发光二极管芯片且承载该发光二极管芯片。其中，该承载基板可反射投射至该承载基板的该光束，使该光束穿过该发光二极管芯片而往外投射。该保护胶覆盖该发光二极管以及部分该承载基板，用以保护该发光二极管芯片。于一较佳实施例中，该发光二极管芯片包括一基板、一第一披覆层、一第二披覆层以及一发光层。该第一披覆层设置于该基板的一下表面上，用以供一第一电流通过，而该第二披覆层位于该第一披覆层的下方，用以供一第二电流通过。该发光层设置于该第一披覆层以及该第二披覆层之间，用以因应该第一电流以及该第二电流而产生一光束，且该光束穿过该基板而往外投射。于一较佳实施例中，该承载基板包括一电路板、一第一金属连结层、一第二金属连结层以及一保护层。该第一金属连结层设置于该电路板的一上表面上，而该第二金属连结层设置于该第一金属连结层上，可与该第一金属连结层结合且反射该光束。该保护层设置于该第二金属连结层上，用以保护该电路板、该第一金属连结层以及该第二金属连结层；其中，该保护层可反射投射至该承载基板的该光束，使该光束穿过该基板而往外投射。附图说明图1是传统发光二极管芯片的结构剖面示意图。图2是应用传统发光二极管芯片的光源模块的结构剖面示意图。图3是本专利技术光源模块于第一较佳实施例中的结构示意图。图4是本专利技术光源模块的发光层于第一较佳实施例中的结构上视示意图。图5是本专利技术光源模块于第一较佳实施例中的局部结构下视示意图。图6是本专利技术光源模块于第二较佳实施例中的结构示意图。图7是本专利技术光源模块于第三较佳实施例中的结构示意图。图8是本专利技术光源模块于第四较佳实施例中被封装后的结构示意图。图9是本专利技术光源模块的制造方法于第四较佳实施例中的方块流程图。附图标记说明：1、30、40、50、60：发光二极管芯片2、3、4、5、6：光源模块11、31、41、51：基板11：P极披覆层13：多层量子阱14：N极披覆层15：导电薄膜层16：P极接点17：N极接点18：打线19：载板22：发光二极管32、42、52：第一披覆层33、43、53：第二披覆层34、44、54：发光层35、45、55、65：承载基板36、46、56：第一保护层47：反射层57：齐纳二极管61：保护胶62：第三护层311、411、511：微结构321、421、521：第一接垫331、431、531：第二接垫332、432、532：透明导电层21、351、451：电路板352、452：第一金属连结层353、453：第二金属连结层354、454：第二保护层355、455：第一电极356、456：第二电极357、457：第一金属连结凸块358、458：第二金属连结凸块3511：铜箔B：光束S1～S12：步骤T1、T2：光源模块的厚度具体实施方式本专利技术提供一种光源模块以及光源模块的制造方法，以解决现有技术问题。首先说明光源模块的结构，请参阅图3，其为本专利技术光源模块于第一较佳实施例中的结构示意图。光源模块3包括基板31、第一披覆层32、第二披覆层33、发光层34、承载基板35本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光源模块的制造方法，包括以下步骤：设置一发光二极管芯片于一承载基板上；电性连接该发光二极管芯片以及该承载基板；设置一保护胶于该发光二极管芯片以及该承载基板上；以及裁切该承载基板而形成一光源模块。

【技术特征摘要】
2017.09.27 US 62/563,9541.一种光源模块的制造方法，包括以下步骤：设置一发光二极管芯片于一承载基板上；电性连接该发光二极管芯片以及该承载基板；设置一保护胶于该发光二极管芯片以及该承载基板上；以及裁切该承载基板而形成一光源模块。2.如权利要求1所述的光源模块的制造方法，其中，于设置该发光二极管芯片于该承载基板上之前，还包括以下步骤：清洗该承载基板。3.如权利要求1所述的光源模块的制造方法，其中，于电性连接该发光二极管芯片以及该承载基板之后，还包括以下步骤：对该发光二极管芯片以及该承载基板进行光电测试。4.如权利要求1所述的光源模块的制造方法，其中，设置该保护胶于该发光二极管芯片以及该承载基板上，包括以下步骤：以喷胶方式设置该保护胶于该发光二极管芯片以及该承载基板上；以及固化该保护胶，使该保护胶包覆该发光二极管芯片以及部分该承载基板。5.如权利要求1所述的光源模块的制造方法，其中，于裁切该承载基板而形成多个光源模块之后，还包括以下步骤：对该光源模块进行光电测试；对该光源模块进行光色调分选；以及包装该光源模块。6.一种光源模块，包括：一发光二极管芯片，用以输出一光束；一承载基板，电性连接于该发光二极管芯片且承载该发光二极管芯片；其中，该承载基板可反射投射至该承载基板的该光束，使该光束穿过该发光二极管芯片而往外投射；以及一保护胶，覆盖该发光二极管以及部分该承载基板，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仲渊，
申请(专利权)人：致伸科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71