一种GIS绝缘气室制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GIS绝缘气室，包括与盆式绝缘子连接的绝缘气室，所述气室外设置盖板，所述盖板外侧安装三通截止阀，所述三通截止阀上连接密度继电器，所述盖板内侧安装分子筛，所述盖板上开设连接孔，所述分子筛内设置与连接孔以及三通截止阀联通的气体通道，所述气体通道侧壁开设与分子筛联通的气体通孔，本实用新型专利技术所公开的GIS绝缘气室结构简单紧凑，可将进入气室的气体进行二次吸附处理，可以有效的减少气室内SF6气体的水分含量，避免了因水分超标造成的绝缘下降及其他质量隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种GIS绝缘气室
本技术涉及一种全封闭式组合电器，特别涉及一种GIS绝缘气室。
技术介绍
随着高压开关技术的发展，全封闭组合电器金属开关设备GIS应用领域越来越广，设备的性能也得到大大的提高，GIS开关设备的建设需求量变得越来越多，运行过程中对GIS内部的产品性能指标也越来越高。SF6气体微水含量、SF6气体杂质成为考验GIS设备的重要性能指标。如图1所示，常规GIS组合电器内部气室所用微水含量处理方式为将分子筛放置于盛放装置内，固定于母线盖板上。母线盖板留有单独的充放气通道，盖板外部的三通截止阀进行气体的充放操作。SF6气体充放过程中，气体与F03分子筛不直接接触，待气体充满密封空间内压力达到额定压力后分子筛再进行水分吸附及杂质处理过程，会导致SF6气体水分处理不彻底造成组合电器气室内的水分超标等异常情况。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种GIS绝缘气室，以达到在充放气过程中使气体能够与分子筛直接接触，降低气室内水分和杂质含量，减少绝缘容量下降隐患的目的。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种GIS绝缘气室，包括与盆式绝缘子连接的绝缘气室，所述气室外设置盖板，所述盖板外侧安装三通截止阀，所述三通截止阀上连接密度继电器，所述盖板内侧安装分子筛，所述盖板上开设连接孔，所述分子筛内设置与连接孔以及三通截止阀联通的气体通道，所述气体通道侧壁开设与分子筛联通的气体通孔。上述方案中，所述分子筛通过盛放装置安装于盖板内侧壁上，所述盛放装置上开设可供气体通过的孔道。通过上述技术方案，本技术提供的GIS绝缘气室将原来的充放气通道与分子筛连接在一起，在分子筛内部开设气体通道，这样在充放气过程中，气体可直接进入分子筛内部进行吸附处理，进入气室之后，待密度继电器检测到气室内气体达到额定压力后，气体再次与分子筛接触，进行二次水分吸附处理。通过这种方式可以有效的减少气室内SF6气体的水分含量，避免了因水分超标造成的绝缘下降及其他质量隐患。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为现有技术中GIS绝缘气室结构示意图；图2为本技术实施例所公开的GIS绝缘气室结构示意图；图3为图2中A部分放大示意图。图中，1、盆式绝缘子；2、绝缘气室；3、盖板；4、三通截止阀；5、密度继电器；6、分子筛；7、连接孔；8、气体通道；9、盛放装置。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。本技术提供了一种GIS绝缘气室，如图2所示，该气室结构简单紧凑，绝缘效果好。如图2所示的GIS绝缘气室，包括与盆式绝缘子1连接的绝缘气室2，气室2外设置盖板3，盖板3外侧安装三通截止阀4，三通截止阀4上连接密度继电器5，盖板3内侧安装分子筛6，盖板3上开设连接孔7，分子筛6内设置与连接孔7以及三通截止阀4联通的气体通道8，气体通道8侧壁开设与分子筛6联通的气体通孔。分子筛6通过盛放装置9安装于盖板3内侧壁上，盛放装置9上开设可供气体通过的孔道。密度继电器5与三通截止阀4的其中一个端口连接，可检测到气室内的压力。SF6充气过程通过充气接头(未示意)与三通截止阀4的右侧端口连接，SF6气体通过盖板3上的连接孔7进入分子筛6内的气体通道8，通过气体通道8侧壁的气体通孔直接与分子筛6接触，从而将气体内的水分进行吸附处理。待密度继电器5指针显示达到额定压力后，SF6气体通过盛放装置9上的孔道再次与分子筛进行接触，进行二次水分吸附处理。通过上述的水分吸附过程可以有效的减少气室内SF6气体的水分含量，避免了因水分超标造成的绝缘下降及其他质量隐患。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GIS绝缘气室，包括与盆式绝缘子连接的绝缘气室，所述气室外设置盖板，其特征在于，所述盖板外侧安装三通截止阀，所述三通截止阀上连接密度继电器，所述盖板内侧安装分子筛，所述盖板上开设连接孔，所述分子筛内设置与连接孔以及三通截止阀联通的气体通道，所述气体通道侧壁开设与分子筛联通的气体通孔。

【技术特征摘要】
1.一种GIS绝缘气室，包括与盆式绝缘子连接的绝缘气室，所述气室外设置盖板，其特征在于，所述盖板外侧安装三通截止阀，所述三通截止阀上连接密度继电器，所述盖板内侧安装分子筛，所述盖板上开设连接孔，所述分子筛内设置与连...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈东明，姜猛，钟朝丕，
申请(专利权)人：青岛特锐德电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37