一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，包括取电子元器件，用盐酸浸泡后，清洗，化学抛光，清洗，中和，装夹，清洗，除油；活化，去离子水清洗；冲击镀镍，冲击镀镍温度为(10～30)℃，电流密度为(1～8)A/dm

【技术实现步骤摘要】
一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺
本专利技术涉及一种电子元器件镀镍打底后无氰镀金的工艺，解决通用镀镍打底后无氰镀金结合力问题。
技术介绍
作为电子元件高可靠产品的引出脚，一直以来均氰化镀银打底，然后氰化镀金。随着航空航天领域要求的不断拓展，特别是宇航产品质量要求的不断升级，逐渐将高可靠产品引出脚的镀层要求参照美国MIL标准，必须镀镍镀金。国家产业政策的调整，全面推行清洁生产，确保绿色生态发展的要求，国内镀金镀银等均开展无氰电镀工艺研发。但高可靠电子元件引出脚须满足镀镍打底镀金要求。目前的工艺存在无氰镀金工艺在镀镍层上镀金结合力差的问题，镀层性能很难满足要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种电子元器件零件镀镍打底镀金的工艺。本专利技术工艺工艺中镀镍层上无氰镀金镀层结合力好，镀层性能好。本专利技术的技术方案：一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，具体包括以下步骤：①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗30～60s，清洗，常温下化学抛光2～3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗60～90s；然后用10％～15％碳酸氢钠溶液浸泡10～20s中和，随及用自来水清洗30～60s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡10～15s后，100～110℃干燥25-35min；②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗30～60s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度3～5A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗30-60s,反复清洗2-5次；③将步骤②处理后的电器元器件用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗15～30s；④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为1～8A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为0.1～1A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，再用去离子水清洗2～4次；⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为0.1～0.3A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；⑨将步骤⑧处理后的电器元件在200±5℃热处理2h，然后用15～20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min后，即可。前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤④中，冲击镀镍时，所用的镀镍液为：每升镀镍液含氯化镍30～300g和盐酸40～80ml；所述镀镍液这样制作：将氯化镍加入盐酸水溶液中，充分搅拌后，加入活性炭，吹气下放置12h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得；所述盐酸的比重为1.14。前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升镀镍液含氯化镍150g和盐酸60ml。前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤⑤中，电镀镍时，所用的电镀液为：每升电镀液含氨基磺酸镍220～350g、氯化镍15～35g和硼酸35-45g；所述电镀液的制作方法为：取氨基磺酸镍、氯化镍，用600mL去离子水将其溶解，混匀，取硼酸加入250mL55～65℃的热水中，搅拌溶解后，倒入前面的混合液中，搅拌混匀后，加活性炭，在吹气下放置24h以上，过滤，取滤液，补充去离子水至一升，即得。前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升电镀液含氨基磺酸镍300g、氯化镍25g和硼酸40g。前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，步骤⑦中，镀金时，所用的镀金电镀液为：每升镀金电镀液含三氯化金5～12g、无水亚硫酸钠120～180g、一水柠檬酸钾50～100g、氯化钾40～100g和EDTA2～15g；所述镀金电镀液这样制作：取800mL去离子水加热80～90℃，称量需要的无水亚硫酸钠倒入加热水中不停搅拌至清泽透明，得亚硫酸钠溶液；将三氯化金5～12g倒入亚硫酸钠溶液中，不断搅拌直至清泽透明后，加入一水柠檬酸钾和氯化钾、EDTA，在60～70℃下充分搅拌至完全溶解，得已络合的镀金金液；然后用25～30％的氢氧化钾溶液调整PH值至10-11，充分搅拌1～2h后补充去离子水至一升，即得。前述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，每升镀金电镀液含三氯化金8-11g、无水亚硫酸钠160g、一水柠檬酸钾75g、氯化钾70g和EDTA9g。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1.本专利技术开拓一种新的镀镍层上无氰镀金工艺方法，在镀镍工艺中增加冲击镀镍打底，镀金后电子元器件的200℃左右进行焙烘，提高了整体镀金效果。2.工艺保障方面：(1)电镀液稳定性：采用改进的工艺，本专利技术经申请人长期使用试验，稳定性良好。(2)溶液成分比例范围宽泛，每升镀金电镀液含三氯化金5～12g都可以进行电镀，减少电镀过程中溶液补充次数，生产效率大大提升。3.技术提升方面：响应了清洁生产要求的无氰电镀，保障了国内高可靠电子元件引出脚镀镍打底镀金要求。盐雾试验：按照GJB360《电子及电子元器件试验方法》试验，时间96h。按一般工艺流程进行镀镍打底后无氰镀金，其盐雾试验结果(见图1)；按本专利技术工艺流程进行镍打底后无氰镀金，其盐雾试验结果(见图2)，对比结果可知，本专利技术镀金表面不起泡，更加光滑。孔隙率检测：常用工艺流程镀镍打底后氰化镀金，电镜4000倍扫描，孔隙率情况(见图3)；使用专利技术工艺流程镀镍后无氰镀金，电镜4000倍扫描，孔隙率情况(见图4)，对比结果可知，本专利技术孔隙率更低。4.社会效益方面：降低环境污染问题，提高废水处理效率，符合《清洁生产》要求。附图说明附图1是现有工艺镀金后的盐雾试验结果；附图2是本专利技术工艺镀金后的盐雾试验结果；附图3是现有工艺镀金后的孔隙率情况；附图4是本专利技术工艺镀金后的孔隙率情况。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步的说明，但并不作为对本专利技术限制的依据。电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，具体包括以下步骤：①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗30～60s，清洗，常温下化学抛光2～3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗60～90s；然后用10％～15％碳酸氢钠溶液浸泡10～20s中和，随及用自来水清洗30～60s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡10～15s后，100～110℃干燥25-35min；②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗30～60s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度3～5A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗30-60s,反复清洗2-5次；③将步骤②处理后的电器元器件用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗15～30s；④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于具体包括以下步骤：①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗30～60s，清洗，常温下化学抛光2～3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗60～90s；然后用10％～15％碳酸氢钠溶液浸泡10～20s中和，随及用自来水清洗30～60s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡10～15s后，100～110℃干燥25‑35min；②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗30～60s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度3～5A/dm2,温度60‑80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80‑90℃热水清洗30‑60s,反复清洗2‑5次；③将步骤②处理后的电器元器件用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗15～30s；④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为1～8A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为0.1～1A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，再用去离子水清洗2～4次；⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为0.1～0.3A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；⑨将步骤⑧处理后的电器元件在200±5℃热处理2h，然后用15～20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min后，即可。...

【技术特征摘要】
1.一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于具体包括以下步骤：①取电子元器件，用30％浓度的盐酸浸泡后，自来水冲洗30～60s，清洗，常温下化学抛光2～3min，化学抛光液为磷酸：双氧水的体积比＝2:1的混合液，自来水清洗60～90s；然后用10％～15％碳酸氢钠溶液浸泡10～20s中和，随及用自来水清洗30～60s后抖去多余水分，用蒸馏酒精浸泡10～15s后，100～110℃干燥25-35min；②将步骤①处理后的电器元器件装夹于导电夹具，自来水清洗30～60s，电解除油，所述电解除油是；在电流密度3～5A/dm2,温度60-80℃，正向时间2min、反向时间1min，随及80-90℃热水清洗30-60s,反复清洗2-5次；③将步骤②处理后的电器元器件用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，然后去离子水清洗15～30s；④将步骤③处理后的电器元器件冲击镀镍，冲击镀镍温度为10～30℃，电流密度为1～8A/dm2；镀层厚度0.5～1.5μm；⑤将步骤④处理后的电器元器件进行电镀镍，电镀镍温度为40～55℃，电流密度为0.1～1A/dm2；镀层厚度1.5～3μm；⑥将步骤⑤处理后的电器元件上带出的镀镍液回收，去离子水清洗后，用15％～20％的分析纯盐酸浸泡10s～15s,浸泡时左右上下移动，再用去离子水清洗2～4次；⑦将步骤⑥处理后的电器元件镀金，镀金温度为38～45℃，电流密度为0.1～0.3A/dm2；带电下槽、镀层厚度1.5～3.5μm；⑧将步骤⑦处理后的电器元件上带出的镀金液回收，去离子水清洗，卸夹，无水乙醇脱水，在100～110℃下干燥30min；⑨将步骤⑧处理后的电器元件在200±5℃热处理2h，然后用15～20％分析纯盐酸浸泡、去离子水清洗、无水乙醇脱水、100～110℃下干燥30min后，即可。2.如权利要求1所述的电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，其特征在于：步骤④中，冲击镀镍时，所用的镀镍液为：每升镀镍...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思醇，刘春涛，杨琼，
申请(专利权)人：贵州振华群英电器有限公司国营第八九一厂，
类型：发明
国别省市：贵州,52