一种金属溅射系统中的阻隔式控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种金属溅射系统中的阻隔式控制装置，包括挡板单元、棒状金属、电源、电源控制器、频率计和多个石英晶片，其特征在于，所述挡板单元与所述电源通过导线相连，所述电源与所述频率计分别通过导线与所述电源控制器相连；所述多个石英晶片设置于同一条直线上，所述棒状金属与所述多个石英晶片的位置相对固定,且所述棒状金属与所述石英晶片互相平行；所述挡板单元设置在所述棒状金属与所述石英晶片之间；所述频率计用于获取所述石英晶片的频率数据，并通过所述电源控制器指示所述挡板单元在所述棒状金属与所述石英晶片之间移动。本实用新型专利技术通过改变挡板方向来调整金属离子溅射量，从而增加石英晶片频率的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种金属溅射系统中的阻隔式控制装置
本技术属于离子流流量控制
，尤其涉及一种金属溅射系统中的阻隔式控制装置。
技术介绍
在石英晶体谐振器和振荡器用的石英晶片电极的形成过程中，需要在真空状态下给晶片的两面各镀上一层金属膜形成电极以便导电。金属真空溅射系统则是在真空状态下同时给大量晶片的两面各镀上一层金属电极膜的极佳系统。通常情况下，金属真空溅射系统是在真空状态、高电压和高温下将金属材料融解后形成带电荷的金属离子流，然后金属离子流在真空空间的单向强电磁场的作用下冲向并附在大量石英晶片的表面，同时形成大量的金属电极膜。由于同时对大量晶片进行溅射镀膜，离棒状金属离子源中间部位近的石英晶片要比离棒状金属离子源中间部位远的石英晶片获得更多的金属离子，从而增加了这些获得更多金属离子的晶片的有效厚度。这样就使得大量在同时溅射电极膜时候的晶片于晶片之间的频率相差较大，变差较大，频率特性的一致性较差。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于在溅射电极膜时候的晶片与晶片之间的频率相差较大，变差较大导致频率特性的一致性较差。为解决上述技术问题，本技术是这样实现的，一种金属溅射系统中的阻隔式控制装置，包括挡板单元、棒状金属、电源、电源控制器、频率计和多个石英晶片，其特征在于，所述挡板单元与所述电源通过导线相连，所述电源与所述频率计分别通过导线与所述电源控制器相连；所述多个石英晶片设置于同一条直线上，所述棒状金属与所述多个石英晶片的位置相对固定,且所述棒状金属与所述石英晶片互相平行；所述挡板单元设置在所述棒状金属与所述石英晶片之间；所述频率计用于获取所述石英晶片的频率数据，并通过所述电源控制器指示所述挡板单元在所述棒状金属与所述石英晶片之间移动。进一步地，所述挡板单元包括挡板主体、转轴、方向控制器和微型电机；所述挡板主体与所述方向控制器通过转轴相连，所述方向控制器通过导线与所述微型电机相连，所述微型电机通过导线与所述电源相连；所述方向控制器可通过所述转轴变换所述挡板主体的角度来对所述挡板主体进行移动。进一步地，所述挡板主体的结构为网状结构。进一步地，所述棒状金属的材质包括：银、铬、铁或铜。本技术中的金属溅射系统中的阻隔式控制装置与现有技术相比，有益效果在于：通过挡板来减少棒状金属的金属离子溅射量，通过调整金属离子溅射量来使得石英晶片的金属镀膜平均，从而增加石英晶片频率的一致性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例中金属溅射系统中的阻隔式控制装置的示意图。在附图中，各附图标记表示：10-挡板单元；20-电源；30-电源控制器；40-频率计；50-石英晶片；60-棒状金属。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。下面结合具体实施例，对本技术进行详细阐述。图1为本技术实施例提供的金属溅射系统中的阻隔式控制装置的示意图。如图1所示，本实施例所提供的金属溅射系统中的阻隔式控制装置，包括包括挡板单元10、棒状金属60、电源20、电源控制器30、频率计40和多个石英晶片50。所述挡板单元10与所述电源20通过导线相连，所述电源20与所述频率计40分别通过导线与所述电源控制器30相连；所述多个石英晶片50设置于同一条直线上，所述棒状金属60与所述多个石英晶片50的位置相对固定,且所述棒状金属60与所述石英晶片50互相平行；所述挡板单元10设置在所述棒状金属60与所述石英晶片50之间；所述频率计40用于获取所述石英晶片50的频率数据，并通过所述电源控制器30指示所述挡板单元10在所述棒状金属60与所述石英晶片50之间移动。本实施例提供的金属溅射系统中的阻隔式控制装置通过可移动的挡板来调整金属离子溅射量，通过调整金属离子溅射量来使得石英晶片的金属镀膜平均，从而增加石英晶片频率的一致性。在上述实施例的基础上，具体的，所述挡板单元10包括挡板主体、转轴、方向控制器和微型电机；所述挡板主体与所述方向控制器通过转轴相连，所述方向控制器通过导线与所述微型电机相连，所述微型电机通过导线与所述电源20相连；所述方向控制器可通过所述转轴变换所述挡板主体的角度来对所述挡板主体进行移动。可选地，当频率计40接收到各个部位石英晶片50的频率时，频率计40将所述频率输出给电源控制器30。电源控制器30在接收到频率计40输出的所述石英晶片50的频率数据后，若发现某位置的石英晶片50频率偏低，则会启动电源20开动所述微型电机来驱动所述方向控制器，所述方向控制器通过转轴改变挡板的方向，增加挡板挡住棒状金属60溅射的金属离子流的量，从而减少金属离子流到达这些石英晶片50表面的量，从而提升这些石英晶片50的厚度切变谐振频率，使得各个部位石英晶片50的频率趋于一致。在上述实施例的基础上，具体的，本技术的挡板结构可以是网状结构，网状结构可以更平均地过滤金属离子流，从而较平均地调整棒状金属60溅射的金属离子流的通过率，使得各个部位石英晶片50的频率较为平均。需要说明的是，本技术中的挡板的形状、尺寸和结构由具体的金属溅射系统的设计要求来决定，所述挡板可以通过金属离子流的挡板，而不是全封闭挡板。在上述实施例的基础上，可选的，所述棒状金属60可以是银、铬、铁或铜等较活泼金属，此处不做限定。所述金属溅射系统中的阻隔式控制装置设置于真空环境中。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属溅射系统中的阻隔式控制装置，包括挡板单元(10)、棒状金属(60)、电源(20)、电源控制器(30)、频率计(40)和多个石英晶片(50)，其特征在于，所述挡板单元(10)与所述电源(20)通过导线相连，所述电源(20)与所述频率计(40)分别通过导线与所述电源控制器(30)相连；所述多个石英晶片(50)设置于同一条直线上，所述棒状金属(60)与所述多个石英晶片(50)的位置相对固定,且所述棒状金属(60)与所述石英晶片(50)互相平行；所述挡板单元(10)设置在所述棒状金属(60)与所述石英晶片(50)之间；所述频率计(40)用于获取所述石英晶片(50)的频率数据，并通过所述电源控制器(30)指示所述挡板单元(10)在所述棒状金属(60)与所述石英晶片(50)之间移动。

【技术特征摘要】
1.一种金属溅射系统中的阻隔式控制装置，包括挡板单元(10)、棒状金属(60)、电源(20)、电源控制器(30)、频率计(40)和多个石英晶片(50)，其特征在于，所述挡板单元(10)与所述电源(20)通过导线相连，所述电源(20)与所述频率计(40)分别通过导线与所述电源控制器(30)相连；所述多个石英晶片(50)设置于同一条直线上，所述棒状金属(60)与所述多个石英晶片(50)的位置相对固定,且所述棒状金属(60)与所述石英晶片(50)互相平行；所述挡板单元(10)设置在所述棒状金属(60)与所述石英晶片(50)之间；所述频率计(40)用于获取所述石英晶片(50)的频率数据，并通过所述电源控制器(30)指...

【专利技术属性】
技术研发人员：岑永富，刘青健，蒋振声，覃觉平，
申请(专利权)人：应达利电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44