低介电聚酰亚胺组合物、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜及覆铜板制造技术

一种低介电聚酰亚胺组合物，其包括脂肪族酸酐、长链二胺及酯类二胺。本发明专利技术的聚酰亚胺组合物制备的聚酰亚胺的主链上导入有具有低极化率的基团，可以使原子团的摩尔极化率下降而降低介电常数，使得聚酰亚胺可以具有较低的介电常数及介电损耗。另，本发明专利技术还提供一种应用该低介电聚酰亚胺组合物制得的聚酰亚胺，一种由该聚酰亚胺制得的聚酰亚胺膜，及一种应用该聚酰亚胺膜的覆铜板。

【技术实现步骤摘要】
低介电聚酰亚胺组合物、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜及覆铜板
本专利技术涉及一种聚酰亚胺组合物、应用该聚酰亚胺组合物制得的聚酰亚胺、应用该聚酰亚胺制得的聚酰亚胺膜、及应用该聚酰亚胺膜的覆铜板，尤其涉及一种低介电聚酰亚胺组合物、应用该低介电聚酰亚胺合物制得的聚酰亚胺、应用该低介电聚酰亚胺制得的聚酰亚胺膜、及应用该聚酰亚胺膜的覆铜板。
技术介绍
在大数据时代，电子产品的信息处理不断向着信号传输高频化和高速数字化的方向发展。若要保证电子产品在高频信号传输的条件下同时具有良好的信号传输质量，需要电路板的导电铜箔中的传输线与其所连接的电子组件之间处于阻抗匹配状态，避免造成信号反射、散射、衰减及延迟等现象。电路板中与导电线路相接触的绝缘层的材料的介电常数是影响高频传输阻抗匹配的其中一种因素。为了实现高频信号传输阻抗匹配，绝缘层通常需要选择介电常数较低的材料。现有技术中的聚酰亚胺中包含C＝O、C＝C、OH等高极性基团，使得其介电常数皆高于3.0。而传统的电路板以热固型聚酰亚胺为绝缘层，在其表面涂布热塑性聚酰亚胺，与铜箔高温(温度高达380℃以上)压合后形成，得到的电路板的介电常数Dk高达3.2以上，介电损耗Df高达0.008以上。传统的电路板也有以热固型聚酰亚胺为绝缘层，在其表面涂布接着剂(例如环氧树脂接着剂)，与铜箔低温压合后形成，得到的电路板的介电常数Dk高达3.5以上，介电损耗Df高达0.02以上。现有的聚酰亚胺已经不能满足电路板的信号传输高频化和高速数字化的要求。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种新的低介电聚酰亚胺组合物，以解决上述问题。另，还有必要提供一种应用所述低介电聚酰亚胺组合物制得的聚酰亚胺。另，还有必要提供一种应用所述聚酰亚胺制得的聚酰亚胺膜。另，还有必要提供一种应用所述聚酰亚胺膜的覆铜板。一种低介电聚酰亚胺组合物，其包括脂肪族酸酐、长链二胺及酯类二胺。一种聚酰亚胺，该聚酰亚胺由上述低介电聚酰亚胺组合物环化聚合形成。一种聚酰亚胺膜，该聚酰亚胺膜由聚酰亚胺制备而成，该聚酰亚胺由上述低介电聚酰亚胺组合物环化聚合形成。一种覆铜板，其包括基板及分别结合于该基板相对两表面的两个铜箔，该基板包括至少一绝缘层及结合于该绝缘层的至少一聚酰亚胺膜，该聚酰亚胺膜由聚酰亚胺制备而成，该聚酰亚胺由上述低介电聚酰亚胺组合物环化聚合形成。本专利技术的低介电聚酰亚胺组合物包括脂肪族酸酐、长链二胺及酯类二胺，由该低介电聚酰亚胺组合物制得的聚酰亚胺的主链上导入有C-C(碳碳单键)、C-H(碳氢单键)等具有低极化率的基团，可以使原子团的摩尔极化率下降而降低介电常数，使得本专利技术的聚酰亚胺可以具有较低的介电常数及介电损耗。此外，本专利技术的聚酰亚胺还具有较高的耐热性、耐化性、机械强度及电阻抗。由本专利技术的聚酰亚胺制得的覆铜板在具有低介电常数及低介电损耗的同时，还具有较强的铜剥离强度及漂锡耐热性。附图说明图1～5为本专利技术第一实施例的覆铜板的截面示意图。图6～9为本专利技术第二实施例的覆铜板的截面示意图。图10～13为本专利技术第三实施例的覆铜板的截面示意图。主要元件符号说明覆铜板100a、100b、100c基板10a、10b、10c绝缘层11聚酰亚胺膜12铜箔20第一中间体101第二中间体102第三中间体103如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本专利技术较佳实施方式提供一种低介电聚酰亚胺组合物，其主要用于制作聚酰亚胺。该低介电聚酰亚胺组合物包括脂肪族酸酐、长链二胺及酯类二胺。所述低介电聚酰亚胺组合物中，所述脂肪族酸酐的含量范围为1～20摩尔份，所述长链二胺的含量范围为1～10摩尔份，所述酯类二胺的含量范围为0.1～0.5摩尔份。所述脂肪族酸酐包括但不限于双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐(Bicyclo[2.2.2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylicaciddianhydride，BTA)、四氢-5,9-甲桥-1H-吡喃并[3,4-D]氧杂卓-1,3,6,8(4H)-四酮(3-(Carboxymethyl)-1,2,4-cyclopentanetricarboxylicacid1,4:2,3-dianhydride，TCA)、及1,2,3,4-环戊四羧酸二酐(1,2,3,4-Cyclopentanetetracarboxylicaciddianhydride，CPDA)中的一种或几种。所述双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐的化学结构式为：所述四氢-5,9-甲桥-1H-吡喃并[3,4-D]氧杂卓-1,3,6,8(4H)-四酮的化学结构式为：所述1,2,3,4-环戊四羧酸二酐的化学结构式为：所述长链二胺包括但不限于[双(3-氨丙基)]聚硅氧烷([Bis(3-aminopropy)]polydimethylsiloxane，KF8010)、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷(2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane，HFBAPP)、及聚醚胺(O,O'-Bis(2-aminopropyl)polypropyleneglycol，OOBP)中的一种或几种。所述[双(3-氨丙基)]聚硅氧烷的化学结构式为：其中，所述R为有机基团。所述2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷的化学结构式为：所述聚醚胺的化学结构式为：所述酯类二胺包括但不限于对氨基苯甲酸对氨基苯酯(4-Aminobenzoicacid4-aminophenylester，APAB)、及1,4-双(4-氨基苯氧基)苯(1,4-Bis(4-aminobenzo-yloxy)benzene，ABHQ)中的一种或两种。所述对氨基苯甲酸对氨基苯酯的化学结构式为：所述1,4-双(4-氨基苯氧基)苯的化学结构式为：一种低介电聚酰亚胺，该低介电聚酰亚胺主要由上述低介电聚酰亚胺组合物环化聚合制备而成。换言之，该低介电聚酰亚胺主要通过上述低介电聚酰亚胺组合物中的脂肪族酸酐、长链二胺及酯类二胺之间发生化学环化反应聚合而成。所述低介电聚酰亚胺的介电常数Dk小于3.0，介电损耗Df小于0.01。所述低介电聚酰亚胺的粘度范围优选为2000～5000CPS(厘帕·秒)。所述低介电聚酰亚胺具有热塑性，即所述低介电聚酰亚胺为低介电热塑性聚酰亚胺。所述低介电聚酰亚胺具有较高的耐热性、耐化性、机械强度及电阻抗。所述低介电聚酰亚胺的主链上导入有C-C(碳碳单键)、C-H(碳氢单键)等具有低极化率的基团，可以使原子团的摩尔极化率下降而降低介电常数。一种所述低介电聚酰亚胺的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低介电聚酰亚胺组合物，其特征在于：该低介电聚酰亚胺组合物包括脂肪族酸酐、长链二胺及酯类二胺。

【技术特征摘要】
1.一种低介电聚酰亚胺组合物，其特征在于：该低介电聚酰亚胺组合物包括脂肪族酸酐、长链二胺及酯类二胺。2.如权利要求1所述的低介电聚酰亚胺组合物，其特征在于：所述低介电聚酰亚胺组合物中，所述脂肪族酸酐的含量范围为1～20摩尔份，所述长链二胺的含量范围为1～10摩尔份，所述酯类二胺的含量范围为0.1～0.5摩尔份。3.如权利要求1所述的低介电聚酰亚胺组合物，其特征在于：所述脂肪族酸酐包括双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、四氢-5,9-甲桥-1H-吡喃并[3,4-D]氧杂卓-1,3,6,8(4H)-四酮、及1,2,3,4-环戊四羧酸二酐中的一种或几种。4.如权利要求1所述的低介电聚酰亚胺组合物，其特征在于：所述长链二胺包括[双(3-氨丙基)]聚硅氧烷、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、及聚醚胺中的一种或几种。5.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄楠昆，向首睿，高郁雯，苏赐祥，
申请(专利权)人：臻鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71