包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置及利用其的基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置及利用其的基板处理方法。本发明专利技术的包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置包括：腔室，其供用于进行等离子处理的基板搬入；旋转轴，其贯通所述腔室的一侧而设置；静电夹盘，其以能够与所述旋转轴的旋转联动而旋转的方式结合于所述旋转轴的一端而位于所述腔室的内部空间，且被施加偏置电源以使所述基板能够贴附；气体供应部，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向腔室内部供应工程气体；以及天线线圈，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向所述工程气体供应高频电源来产生等离子。

A plasma substrate processing device including a rotating electrostatic chuck and a substrate processing method utilizing the device

The invention provides a plasma substrate processing device including a rotating electrostatic chuck and a substrate processing method utilizing the device. The invention includes a plasma substrate processing device capable of rotating an electrostatic chuck, which comprises a chamber for carrying a substrate for plasma treatment, a rotating shaft which is arranged through one side of the chamber, and an electrostatic chuck which is located in the inner space of the chamber by combining one end of the rotating shaft with the rotating linkage of the rotating shaft. A bias power supply is applied to enable the substrate to be attached; a gas supply part is provided to supply engineering gas to the chamber in a manner located at the lower part of the electrostatic chuck; and an antenna coil is provided to supply high frequency power supply to the engineering gas in a manner located at the lower part of the electrostatic chuck to generate plasma.

【技术实现步骤摘要】
包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置及利用其的基板处理方法
本专利技术涉及一种等离子基板处理装置。
技术介绍
等离子基板处理装置是对安放于夹盘的基板进行等离子处理的装置。此时，等离子处理可以意指蚀刻或蒸镀。此外，基板可以意指晶圆或安装有晶圆的托盘。通常，就这种等离子基板处理装置而言，安放基板的夹盘位于腔室的下部，供应工程气体的气体供应部和天线线圈位于腔室的上部。另外，通过天线线圈向工程气体供应高频电源而产生的等离子对基板进行等离子处理。然而，这种等离子基板处理装置所存在的问题是，会产生副产物，而这种副产物降落至基板的表面，从而发生不良。为解决这种问题，可以使夹盘位于腔室上部，并使供应工程气体的气体供应部和天线线圈位于下部来防止副产物降落至基板的表面。然而，就这种解决问题的方法而言，需要用夹具将基板固定于夹盘，而由于夹具支撑着基板的一部分，等离子与夹具碰撞，因而存在基板的夹具周围区域无法被等离子处理，或与夹具碰撞而导致等离子处理集中于基板的其他区域，从而基板被不均匀地等离子处理的问题。此外，当用夹具固定大面积基板或多个基板时，所存在的问题是，因荷重，基板的中央部从夹盘的表面悬浮，从而导致基板被不均匀地等离子处理的问题。上述作为
技术介绍
说明的事项仅用于增进对本专利技术的背景的理解，不应视为认可其相当于已公知于本领域技术人员的现有技术。现有技术文献专利文献专利文献0001：韩国注册专利第10-1209298号。
技术实现思路
技术问题如上所述的现有技术存在如前所述的问题，而旨在解决这样的问题即是本专利技术的课题。本专利技术的目的在于，提供一种静电夹盘能够被旋转的等离子基板处理装置及利用其的基板处理方法。技术方案用于达成这种目的的本专利技术的包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置包括：腔室，其供用于进行等离子处理的基板搬入；旋转轴，其贯通所述腔室一的侧而设置；静电夹盘，其以能够与所述旋转轴的旋转联动而旋转的方式结合于所述旋转轴的一端而位于所述腔室的内部空间，且被施加偏置电源以使所述基板能够贴附；气体供应部，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向腔室内部供应工程气体；以及天线线圈，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向所述工程气体供应高频电源来产生等离子。所述静电夹盘形成为半球形状，在所述腔室内部形成有空的空间，以使所述夹盘能够旋转，且包括净化气体供应部，其以位于所述静电夹盘的上部的方式设置，且向腔室内部供应净化气体。所述腔室包括：第一腔室，其在一侧贯通有所述旋转轴，在另一侧设置有能够搬入或搬出所述基板的通道口；以及第二腔室，其供所述基板被等离子处理，并且所述等离子基板处理装置包括流入防止罩，该流入防止罩位于所述第一腔室与第二腔室之间，且以能够限制等离子流入所述第一腔室的方式形成有所述静电夹盘部分地插入的孔。所述腔室包括：第一腔室，其在一侧贯通有所述旋转轴，在另一侧设置有能够搬入或搬出所述基板的通道口；以及第二腔室，其供所述基板被等离子处理，所述第一腔室通过开闭隔壁和固定隔壁被密闭或开放。在所述第一腔室，所述开闭隔壁的下端面和所述固定隔壁的上端面倾斜地形成，所述开闭隔壁的下端面和所述固定隔壁的上端面相接触或分离而开闭，所述旋转轴贯通所述开闭隔壁的一侧，所述通道口设置于所述固定隔壁的另一侧。所述等离子基板处理装置包括：高频电极，其突出形成于所述旋转轴的一侧；缸体，其向所述高频电极方向伸长；以及插头，其设置于所述缸体的一端而选择性地连接所述高频电极。所述插头包括：绝缘体，其结合于所述缸体的一端；以及一对弹力部，其以能够夹紧所述高频电极的方式在所述绝缘体的一侧面的上端和下端相互隔开规定间距地结合于绝缘体的一端。所述腔室包括：第三腔室；排气部，其以位于所述第三腔室的方式设置，且排出废气；升降板，其位于所述第三腔室与所述排气部之间，控制所述第三腔室与排气部之间的气体流动，且具有大于所述排气部的大小的直径；以及升降缸体，其结合于所述升降板而升降所述升降板。此外，本专利技术还提供一种利用包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置的基板处理方法，所述包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置包括：腔室，其供用于进行等离子处理的基板搬入；旋转轴，其贯通所述腔室的一侧而设置；静电夹盘，其以能够与所述旋转轴的旋转联动而旋转的方式结合于所述旋转轴的一端而位于所述腔室的内部空间，且被施加偏置电源以使所述基板能够贴附；气体供应部，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向腔室内部供应工程气体；以及天线线圈，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向所述工程气体供应高频电源来产生等离子，所述基板处理方法包括：(1)将基板安放于静电夹盘的步骤；(2)向所述静电夹盘施加偏置电源来将所述基板固定于所述静电夹盘的步骤；(3)在所述基板固定于所述静电夹盘的状态下，所述旋转轴旋转，使固定于所述静电夹盘的所述基板表面朝向所述腔室的下部的步骤；(4)对所述基板进行等离子处理的步骤；(5)所述旋转轴旋转，使固定于所述静电夹盘的所述基板朝向所述腔室的上部的步骤；以及(6)解除向所述静电夹盘施加的偏置电源的步骤。在所述静电夹盘的上部设置有向腔室内部供应净化气体的净化气体供应部，在所述第(4)步骤与第(5)步骤之间的步骤，包括：从所述净化气体供应部向所述腔室供应净化气体来去除残留于所述腔室的残留气体的步骤。专利技术的效果本专利技术具有如下优点，即，在基板表面朝向腔室的上部的状态下将基板固定于静电夹盘，在旋转静电夹盘，使基板的表面朝向腔室的下部的状态下对基板进行等离子处理，因而不需要夹具，且由于以基板荷重朝向下部的状态固定于静电夹盘，因而防止基板的中央部悬浮。附图说明图1是示出本专利技术的等离子基板处理装置的结构的图。图2是示出本专利技术的等离子基板处理装置的被密闭的状态的图。图3是示出本专利技术的等离子基板处理装置被开放的状态的图。图4是示出解除作为本专利技术的一主要部分的高频电极和插头的结合的状态的图。图5是示出作为本专利技术的一主要部分的高频电极和插头被结合的状态的图。图6是示出本专利技术中搬入基板的过程的图。图7是示出本专利技术中基板被等离子处理的过程的图。图8是示出本专利技术中搬出基板的过程的图。符号说明10：基板，100：腔室，110：第一腔室，111：通道口，112：开闭隔壁，113：固定隔壁，114：连接机构，120：第二腔室，130：第三腔室，131：排气部，132：挡板，133：升降板，134：升降缸体，200：静电夹盘，210：旋转轴，211：旋转轴密封部件，212：高频电极，213：缸体，214：插头，215：绝缘体，216：一对弹力部，220：偏置电源，310：工程气体供应部，311：工程气体储存部，312：流入防止罩，320：天线线圈，321：第一高频电源，331：电介质板，332：喷淋板，410：净化气体供应部，411：净化气体储存部，500：第二高频电源。具体实施方式如图1所图示，本专利技术包括腔室100、静电夹盘200、工程气体供应部310以及天线线圈320。以腔室100为基准，静电夹盘200位于上部，工程气体供应部310和天线线圈320位于下部。腔室100是供基板10搬入，且用于用等离子处理基板10的空间。此时，等离子处理可以意指蚀刻或蒸镀。此外，基板10可以意指晶圆或安装晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，其供用于进行等离子处理的基板搬入；旋转轴，其贯通所述腔室的一侧而设置；静电夹盘，其以能够与所述旋转轴的旋转联动而旋转的方式结合于所述旋转轴的一端而位于所述腔室的内部空间，且被施加偏置电源以使所述基板能够贴附；气体供应部，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向腔室内部供应工程气体；天线线圈，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向所述工程气体供应高频电源来产生等离子；净化气体供应部，其以位于所述静电夹盘的上部的方式设置，且向腔室内部供应净化气体；以及排气部，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置，且排出所述工程气体和所述净化气体，在基板表面朝向所述腔室的上部的状态下，将搬入的基板固定在所述静电夹盘，在通过所述旋转轴的180°旋转，所述静电夹盘在原位反转，基板表面朝向所述腔室的下部的状态下，对基板进行等离子处理。

【技术特征摘要】
2017.09.14 KR 10-2017-0117862;2018.04.03 KR 10-2011.一种包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，其供用于进行等离子处理的基板搬入；旋转轴，其贯通所述腔室的一侧而设置；静电夹盘，其以能够与所述旋转轴的旋转联动而旋转的方式结合于所述旋转轴的一端而位于所述腔室的内部空间，且被施加偏置电源以使所述基板能够贴附；气体供应部，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向腔室内部供应工程气体；天线线圈，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置而向所述工程气体供应高频电源来产生等离子；净化气体供应部，其以位于所述静电夹盘的上部的方式设置，且向腔室内部供应净化气体；以及排气部，其以位于所述静电夹盘的下部的方式设置，且排出所述工程气体和所述净化气体，在基板表面朝向所述腔室的上部的状态下，将搬入的基板固定在所述静电夹盘，在通过所述旋转轴的180°旋转，所述静电夹盘在原位反转，基板表面朝向所述腔室的下部的状态下，对基板进行等离子处理。2.根据权利要求1所述的包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置，其特征在于，所述静电夹盘形成为半球形状，在所述腔室内部形成有空的空间，以使所述静电夹盘能够旋转。3.根据权利要求1所述的包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置，其特征在于，所述腔室包括：第一腔室，其在一侧贯通有所述旋转轴，在另一侧设置有能够搬入或搬出所述基板的通道口；以及第二腔室，其供所述基板被等离子处理，并且所述等离子基板处理装置包括流入防止罩，该流入防止罩位于所述第一腔室与第二腔室之间，且以能够限制等离子流入所述第一腔室的方式形成有所述静电夹盘部分地插入的孔。4.根据权利要求1所述的包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置，其特征在于，高频电极，其突出形成于所述旋转轴的一侧；缸体，其向所述高频电极方向伸长；以及插头，其设置于所述缸体的一端而选择性地连接所述高频电极，所述缸体在所述旋转轴以固定于所述静电夹盘的所述基板表面朝向所述腔室的下部的方式旋转了的状态下，将所述插头连接至所述高频电极，在所述旋转轴以所述基板表面朝向所述腔室的上部的方式旋转之前，解除所述插头的连接。5.根据权利要求4所述的包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置，其特征在于，所述插头包括：绝缘体，其结合于所述缸体的一端；以及一对弹力部，其以能够夹紧所述高频电极的方式在所述绝缘体的一侧面的上端和下端相互隔开规定间距地结合于绝缘体的一端。6.根据权利要求1所述的包括能够旋转的静电夹盘的等离子基板处理装置，其特征在于，所述腔室包括：第一腔室，其在一侧贯通有所述旋转轴，在另一侧设置有能够搬入或搬出所述基板的通道口；第二腔室，其供所述基板被等离子处理；第三腔室，其连通有所述排气部而设置；挡板，其位于所述第二腔室与所述第三腔室之间，且形成有多个孔；升降板，其位于所述第三腔室与所述排气部之间，控制所述第三腔室与所述排气部之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑相坤，金亨源，权赫俊，
申请(专利权)人：吉佳蓝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR