非给定电压的标准单元库的构建方法和装置制造方法及图纸

技术编号:20655186 阅读:60 留言:0更新日期:2019-03-23 06:51
本发明专利技术提供一种非给定电压的标准单元库的构建方法和装置。所述方法包括:获取与所述非给定电压相邻近的两个给定电压的标准单元库,并选择所述两个给定电压中与所述非给定电压最邻近的给定电压的标准单元库作为参考库;根据所述两个给定电压的标准单元库计算所述非给定电压的标准单元库的库参数;将所述参考库原有的库参数替换为所述非给定电压的标准单元库的库参数。本发明专利技术能够利用给定电压的标准单元库,构建出需要的非给定电压的标准单元库,满足不同的芯片设计需求。

【技术实现步骤摘要】
非给定电压的标准单元库的构建方法和装置
本专利技术涉及集成电路设计
,尤其涉及一种非给定电压的标准单元库的构建方法和装置。
技术介绍
集成电路的设计可以分为全定制设计和半定制设计。全定制设计是一种基于晶体管级的设计方法,电路的所有器件、互连和版图都采用直接设计,半定制设计又分为基于门阵列的设计和基于标准单元库的设计。基于标准单元库的设计是指把电路设计中的一些基本逻辑单元(如门电路、多路开关、触发器等),按照最佳设计的原则设计,并作为标准单元存入标准单元库中,在进行集成电路设计时,根据电路要求从标准单元库中调用所需的标准单元,进行自动逻辑综合及自动布局布线,完成电路的设计。因此构建合适的标准单元库是非常重要的。现阶段的标准单元库基本都是由晶圆代工厂提供,但是厂家一般只提供几个给定电压的标准单元库。但是在实际的芯片设计中,为了降低功耗,芯片有时候需要设计工作在一些非给定的电压下,而这些非给定的电压下的标准单元库,厂家是不会提供的,只能自行设计,但是目前还没有针对这些非给定的电压下的标准单元库的行之有效的设计方法。
技术实现思路
本专利技术提供的非给定电压的标准单元库的构建方法和装置,能够利用给定电压的标准单元库,构建出需要的非给定电压的标准单元库,满足不同的芯片设计需求。第一方面,本专利技术提供一种非给定电压的标准单元库的构建方法,包括:获取与所述非给定电压相邻近的两个给定电压的标准单元库,并选择所述两个给定电压中与所述非给定电压最邻近的给定电压的标准单元库作为参考库;根据所述两个给定电压的标准单元库计算所述非给定电压的标准单元库的库参数;将所述参考库原有的库参数替换为所述非给定电压的标准单元库的库参数。可选地,所述库参数包括时延、漏电流功耗、动态功耗及最大电容。可选地,所述根据所述两个给定电压的标准单元库计算所述非给定电压的标准单元库的库参数包括:根据所述两个给定电压的标准单元库的时延,计算所述非给定电压的标准单元库的时延;根据所述两个给定电压的标准单元库的漏电流功耗,计算所述非给定电压的标准单元库的漏电流功耗;根据所述两个给定电压的标准单元库的动态功耗,计算所述非给定电压的标准单元库的动态功耗;根据所述两个给定电压的标准单元库的最大电容,计算所述非给定电压的标准单元库的最大电容。第二方面,本专利技术提供一种非给定电压的标准单元库的构建装置,包括:获取模块,用于获取与所述非给定电压相邻近的两个给定电压的标准单元库;参考库选择模块,用于选择所述两个给定电压中与所述非给定电压最邻近的给定电压的标准单元库作为参考库;计算模块,用于根据所述两个给定电压的标准单元库计算所述非给定电压的标准单元库的库参数;替换模块,用于将所述参考库原有的库参数替换为所述非给定电压的标准单元库的库参数。可选地,所述库参数包括时延、漏电流功耗、动态功耗及最大电容。可选地,所述计算模块包括:第一计算单元,用于根据所述两个给定电压的标准单元库的时延,计算所述非给定电压的标准单元库的时延;第二计算单元,用于根据所述两个给定电压的标准单元库的漏电流功耗,计算所述非给定电压的标准单元库的漏电流功耗;第三计算单元,用于根据所述两个给定电压的标准单元库的动态功耗,计算所述非给定电压的标准单元库的动态功耗;第四计算单元,用于根据所述两个给定电压的标准单元库的最大电容,计算所述非给定电压的标准单元库的最大电容。本专利技术提供的非给定电压的标准单元库的构建方法和装置,利用两个给定电压的标准单元库,分别使用不同的差值算法计算得到非给定电压的标准单元库的时延、漏电流功耗、动态功耗及最大电容,计算结果精度高,计算过程简单快速,并以其中一个给定电压的标准单元库为参考库,通过替换参考库的对应参数从而得到非给定电压的标准单元库,该标准单元库可以用来分析非给定电压下的芯片性能,从而满足不同的芯片设计需求。附图说明图1为本专利技术一实施例中一种非给定电压的标准单元库的构建方法的流程图;图2为本专利技术一实施例中一种非给定电压的标准单元库的构建装置的结构示意图;图3为图2中计算模块的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种非给定电压的标准单元库的构建方法,如图1所示,所述方法包括:S11、获取与非给定电压相邻近的两个给定电压的标准单元库,并选择两个给定电压中与非给定电压最邻近的给定电压的标准单元库作为参考库。例如设计时需要0.72V电压下的标准单元库,而厂家已经提供了0.7V和0.8V的标准单元库,这时通过一个脚本程序读入0.7V和0.8V的标准单元库,并将0.7V的标准单元库作为参考库,通过对参考库进行改造,得到需要的0.72V电压下的标准单元库。S12、根据两个给定电压的标准单元库计算非给定电压的标准单元库的库参数。集成电路设计时,通常需要考虑一个标准单元库的时延、漏电流功耗、动态功耗及最大电容等参数,在本专利技术实施例中,按照以下方法计算非给定电压的标准单元库的时延、漏电流功耗、动态功耗及最大电容。假设与非给定电压V相邻近的两个给定电压分别为第一给定电压V1和第二给定电压V2,且V1<V<V2,则针对时延,按照公式(1)计算非给定电压的标准单元库的时延T,公式(1)中,T为非给定电压V的标准单元库的时延,T1为第一给定电压V1的标准单元库的时延,T2为第二给定电压V2的标准单元库的时延。针对漏电流功耗,按照公式(2)计算非给定电压的标准单元库的漏电流功耗Pleak,公式(2)中,Pleak为非给定电压V的标准单元库的漏电流功耗,Pleak1为第一给定电压V1的标准单元库的漏电流功耗,Pleak2为第二给定电压V2的标准单元库的漏电流功耗。该公式(2)利用了指数插值算法。针对动态功耗,按照公式(3)计算非给定电压的标准单元库的动态功耗Pd,公式(3)中,Pd为非给定电压V的标准单元库的动态功耗,Pd1为第一给定电压V1的标准单元库的动态功耗,Pd2为第二给定电压V2的标准单元库的动态功耗。该公式(3)利用了二阶插值算法。针对最大电容,按照公式(4)计算非给定电压的标准单元库的最大电容Cmax,公式(4)中,Cmax为非给定电压V的标准单元库的最大电容,Cmax1为第一给定电压V1的标准单元库的最大电容,Cmax2为第二给定电压V2的标准单元库的最大电容。该公式(4)利用了线性插值算法。S13、将参考库原有的库参数替换为非给定电压的标准单元库的库参数。假设第一给定电压V1的标准单元库作为参考库,使用计算出的时延T替换原来的时延T1,使用计算出的漏电流功耗Pleak替换原来的漏电流功耗Pleak1,使用计算出的动态功耗Pd替换原来的动态功耗Pd1,使用计算出的最大电容Cmax替换原来的最大电容Cmax1,参考库中的其他要素不变,就可以得到非给定电压V的标准单元库。得到的非给定电压V的标准单元库可以供后续设计流程中使用,满足不同的芯片设计需求。本专利技术实施例提供的非给定电压的标准单元库本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非给定电压的标准单元库的构建方法,其特征在于,包括:获取与所述非给定电压相邻近的两个给定电压的标准单元库,并选择所述两个给定电压中与所述非给定电压最邻近的给定电压的标准单元库作为参考库;根据所述两个给定电压的标准单元库计算所述非给定电压的标准单元库的库参数;将所述参考库原有的库参数替换为所述非给定电压的标准单元库的库参数。

【技术特征摘要】
1.一种非给定电压的标准单元库的构建方法,其特征在于,包括:获取与所述非给定电压相邻近的两个给定电压的标准单元库,并选择所述两个给定电压中与所述非给定电压最邻近的给定电压的标准单元库作为参考库;根据所述两个给定电压的标准单元库计算所述非给定电压的标准单元库的库参数;将所述参考库原有的库参数替换为所述非给定电压的标准单元库的库参数。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述库参数包括时延、漏电流功耗、动态功耗及最大电容。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述两个给定电压的标准单元库计算所述非给定电压的标准单元库的库参数包括:根据所述两个给定电压的标准单元库的时延,计算所述非给定电压的标准单元库的时延;根据所述两个给定电压的标准单元库的漏电流功耗,计算所述非给定电压的标准单元库的漏电流功耗;根据所述两个给定电压的标准单元库的动态功耗,计算所述非给定电压的标准单元库的动态功耗;根据所述两个给定电压的标准单元库的最大电容,计算所述非给定电压的标准单元库的最大电容。4.一种非给定电压的标准单元库的构...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝志刚陆炳华孙一郑国忠
申请(专利权)人:展讯通信上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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