新型非接触式应答器接收电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种新型非接触式应答器接收电路，包括谐振电路和解调电路，谐振电路包括第一电感器和第一电容器，第一电感器的一端连接第一电容器的一端，第一电感器的另一端与第一电容器的另一端相连接；解调电路包括电阻器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第五电容器、第六电容器、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第四比较器和第一迟滞比较器。本实用新型专利技术的解调电路引入第二比较器和第四比较器，增加了恢复出副载波信号驱动能力，降低高频信号干扰；而且，本实用新型专利技术的接收电路，结构简单，易于集成，迟滞比较器输出信号稳定。

【技术实现步骤摘要】
新型非接触式应答器接收电路
本技术涉及射频识别技术中的非接触式应答器
，尤其涉及新型非接触式应答器接收电路。
技术介绍
射频识别技术是一种非接触式的自动识别技术（RadioFrequencyIdentification，RFID），它的基本原理就是利用无线射频信号在读写器和应答器之间进行数据传输，实现目标识别和信息交换。近年来，ISOIEC14443标准应答器用在了许多服务领域，例如货物采购和分配、生物制造、公交交通、商业贸易和物流跟踪等领域得到了快速普及和推广，这些都离不开应答器和读写器数据传输的快捷、安全和低成本。非接触式应答器与读写器要进行数据传输，非接触式应答器就必须要有相应的接收电路，接收电路是13.56MHz非接触式应答器中的关键电路，它关系到非接触式应答器与读写器数据传输的性能，而且，接收电路的性能直接关系到非接触式应答器能否准确解答读写器发出的指令。因此，非接触式应答器接收电路的设计和研究具有非常重要的意义。参看图1，为现在常用的非接触式应答器接收电路结构图，其工作原理如下：非接触式应答器感应天线L1捕获读写器天线发射地载波信号，当读写器发送副载波信号时，通过由第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第一电阻器R1、第二电容器C2和第三电容器C3组成的检波电路将副载波信号恢复出来，并输入到迟滞比较器COMP的正输入端，第二电阻器R2为其提供直流偏值VREF，恢复出的副载波信号经过迟滞比较器COMP与VREF比较后输出副载波数字信号VOUT，副载波数字信号VOUT再经过数字电路正确解读后，非接触式应答器就会给读写器相应的回答。但上述非接触应答器接收电路还存在一些不足：1.由第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第一电阻器R1、第二电容器C2和第三电容器C3组成的检波电路恢复出的副载波信号电压幅度会随场强变化而变化，使得迟滞比较器COMP的判断阈值很难设计。2.由于读写器发送高速率（如847.5KBPS）和低速率（如106KBPS）副载波时的调制系数变化比较大，传统应答器接收电路很难兼容高低速率的通信。3.迟滞比较器COMP的输入信号的直流电压会比较高，使得迟滞比较器COMP的电源往往是应答器整流输出电压，但应答器整流输出的电压会不稳定，这会降低迟滞比较器COMP的输出信号的稳定性。针对上述问题，设计一种新型非接触式应答器接收电路就成了本专利技术的目标。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的不足，本技术的目的是提供新型非接触式应答器接收电路，包括谐振电路和解调电路，能够有效提高接收电路的稳定性。为了达到上述技术目的，本技术所采用的技术方案是：一种新型非接触式应答器接收电路，所述新型非接触式应答器接收电路包括谐振电路和解调电路，其中，谐振电路包括第一电感器和第一电容器，第一电感器的一端连接第一电容器的一端，第一电感器的另一端与第一电容器的另一端相连接；解调电路包括电阻器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第五电容器、第六电容器、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第四比较器和第一迟滞比较器，其中，第一NMOS晶体管的栅端、第二NMOS晶体管的漏端、第三NMOS晶体管的栅端、第三NMOS晶体管的漏端与谐振电路中一端相连接，第二NMOS晶体管的栅端、第一NMOS晶体管的漏端、第四NMOS晶体管的栅端、第四NMOS晶体管的漏端与谐振电路中另一端相连接，第三NMOS晶体管的源端、第四NMOS晶体管的源端、第二电容器的一端与电阻器的一端相连接，第二电容器的另一端、第三电容器的一端、第四电容器的一端、第五电容器的一端相连接，第一NMOS晶体管的源端、第二NMOS晶体管的源端、电阻器的另一端、第三电容器的另一端、第六电容器的一端接地端，第四电容器的另一端、第一比较器的负输入端、第一比较器的输出端与第二比较器的正输入端相连接，第五电容器的另一端、第三比较器的负输入端、第三比较器的输出端与第四比较器的正输入端相连接，第一比较器的正输入端、第三比较器的正输入端与参考电压相连接，第二比较器的负输入端、第二比较器的输出端、迟滞比较器的正输入端相连接，第四比较器的负输入端、第四比较器的输出端、迟滞比较器的负输入端、第六电容器的另一端相连接，迟滞比较器的输出端为输出信号。本技术的新型非接触式应答器接收电路，由于采用了上述的谐振电路和解调电路结构，与现有的技术方案相比，所获得的有益效果是：（1）本技术的解调电路中的第四电容器和第五电容器的引入，能够隔断天线上的直流电平输入到第一比较器和第三比较器的负输入端，降低了第一比较器和第三比较器对输入电器件的耐压要求。（2）本技术的解调电路中的第一比较器和第三比较器的引入，为第一比较器和第三比较器提供直流偏值，而不再使用电阻器提供直流偏值，减小了面积，降低了流片成本。（3）本技术的解调电路中的第二比较器和第四比较器的引入，增加了恢复出的副载波信号驱动能力，降低高频信号干扰。（4）本技术的解调电路中的第六电容器引入，使得第四比较器输出信号比第三比较器输出信号慢，两信号的差异作为后一级迟滞比较器的判断阈值。（5）本技术的接收电路能够兼容高低速率的数据传输。（6）本技术的接收电路结构简单，易于集成，迟滞比较器输出信号稳定。下面结合附图和具体实施方式对本技术做进一步说明。附图说明图1为传统非接触式应答器接收电路结构图。图2为本技术具体实施的新型非接触式应答器接收电路结构图。图3为本技术具体实施的新型非接触式应答器接收电路工作原理图。具体实施方式下面结合附图，对本技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。参看图2，为本技术具体实施的非接触式应答器接收电路结构图。该新型非接触式应答器接收电路包括谐振电路101和解调电路102，其中，谐振电路包括第一电感器L1和第一电容器C1，第一电感器L1的一端VA连接第一电容器C1的一端，第一电感器L1的另一端VB与第一电容器C1的另一端相连接；接收电路包括电阻器R1、第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第二电容器C2、第三电容器C3、第四电容器C4、第五电容器C5、第六电容器C6、第一比较器COMP1、第二比较器COMP2、第三比较器COMP3、第四比较器COMP4和第一迟滞比较器COMP0，其中，第一NMOS晶体管NM1的栅端、第二NMOS晶体管NM2的漏端、第三NMOS晶体管NM3的栅端、第三NMOS晶体管NM3的漏端与谐振电路中VA端相连接，第二NMOS晶体管NM2的栅端、第一NMOS晶体管NM1的漏端、第四NMOS晶体管NM4的栅端、第四NMOS晶体管NM4的漏端与谐振电路中VB端相连接，第三NMOS晶体管NM3的源端、第四NMOS晶体管NM4的源端、第二电容器C2的一端与电阻器R1的一端相连接，第二电容器C2的另一端、第三电容器C3的一端、第四电容器C4的一端、第五电容器C5的一端相连接，第一NMOS晶体管NM1的源端、第二NMOS晶体管NM2的源端、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型非接触式应答器接收电路，其特征在于，所述新型非接触式应答器接收电路包括谐振电路和解调电路，其中，谐振电路包括第一电感器和第一电容器，第一电感器的一端连接第一电容器的一端，第一电感器的另一端与第一电容器的另一端相连接；解调电路包括电阻器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第五电容器、第六电容器、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第四比较器和第一迟滞比较器，其中，第一NMOS晶体管的栅端、第二NMOS晶体管的漏端、第三NMOS晶体管的栅端、第三NMOS晶体管的漏端与谐振电路中一端相连接，第二NMOS晶体管的栅端、第一NMOS晶体管的漏端、第四NMOS晶体管的栅端、第四NMOS晶体管的漏端与谐振电路中另一端相连接，第三NMOS晶体管的源端、第四NMOS晶体管的源端、第二电容器的一端与电阻器的一端相连接，第二电容器的另一端、第三电容器的一端、第四电容器的一端、第五电容器的一端相连接，第一NMOS晶体管的源端、第二NMOS晶体管的源端、电阻器的另一端、第三电容器的另一端、第六电容器的一端接地端，第四电容器的另一端、第一比较器的负输入端、第一比较器的输出端与第二比较器的正输入端相连接，第五电容器的另一端、第三比较器的负输入端、第三比较器的输出端与第四比较器的正输入端相连接，第一比较器的正输入端、第三比较器的正输入端与参考电压相连接，第二比较器的负输入端、第二比较器的输出端、迟滞比较器的正输入端相连接，第四比较器的负输入端、第四比较器的输出端、迟滞比较器的负输入端、第六电容器的另一端相连接，迟滞比较器的输出端为输出信号。...

【技术特征摘要】
1.一种新型非接触式应答器接收电路，其特征在于，所述新型非接触式应答器接收电路包括谐振电路和解调电路，其中，谐振电路包括第一电感器和第一电容器，第一电感器的一端连接第一电容器的一端，第一电感器的另一端与第一电容器的另一端相连接；解调电路包括电阻器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第五电容器、第六电容器、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第四比较器和第一迟滞比较器，其中，第一NMOS晶体管的栅端、第二NMOS晶体管的漏端、第三NMOS晶体管的栅端、第三NMOS晶体管的漏端与谐振电路中一端相连接，第二NMOS晶体管的栅端、第一NMOS晶体管的漏端、第四NMOS晶体管的栅端、第四NMOS晶体管的漏端与谐振电路中另一端相连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙志亮，霍俊杰，朱永成，况立雪，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11