一种器件封装方法及柔性器件技术

技术编号:20626806 阅读:32 留言:0更新日期:2019-03-20 16:26
本发明专利技术实施例提供一种器件封装方法及柔性器件,用以提高器件的封装性能,包括:步骤1、将基片置于生长装置中,生长装置包含上电极和下电极;步骤2、控制生长装置的生长条件,在上电极和下电极的作用下,将反应物生成位于基片之上的凹凸层;其中,反应物与凹凸层的材质相匹配,凹凸层的形状由下电极设置的介质阵列所决定;步骤3、重复步骤2直至生成满足封装要求的封装层,封装层中相接触的凹凸面相互结合。采用本技术方案能够获得包含多个凹凸层的封装层,封装层中的凹凸层可以充分释放封装层中的应力,从而提高了封装层的挠曲性,因此采用本发明专利技术实施例所提供的技术方案进行封装,可以提高器件的封装性能。

A Device Packaging Method and Flexible Devices

The embodiment of the present invention provides a device encapsulation method and a flexible device for improving the encapsulation performance of the device, including: step 1, placing the substrate in the growth device, the growth device comprises the upper and lower electrodes; step 2, controlling the growth conditions of the growth device, and forming a concave-convex layer on the substrate under the action of the upper and lower electrodes; and in which, the reaction is carried out. The shape of the concave-convex layer is determined by the dielectric array set by the lower electrode. Step 3, repeat step 2 until the encapsulation layer meets the encapsulation requirements is generated. The concave-convex surfaces in the encapsulation layer are combined with each other. By adopting the technical scheme, a package layer containing multiple concave and convex layers can be obtained, and the stress in the package layer can be fully released by the concave and convex layers in the package layer, thereby improving the flexibility of the package layer. Therefore, the package performance of the device can be improved by adopting the technical scheme provided in the embodiment of the present invention.

【技术实现步骤摘要】
一种器件封装方法及柔性器件
本专利技术涉及电子科学
,尤其涉及一种器件封装方法及柔性器件。
技术介绍
封装是半导体制造工艺中的重要一步,封装性能能够严重影响到器件产品的性能。而且,对于大多数半导体电子器件,都需要封装为其提供一个与外界隔离的相对稳定的工作环境,因此,封装也是对半导体电子器件的一种保护,例如,隔绝空气中的水汽和空气对器件的氧化,延缓器件老化,又或者,抵御外界温度变化,既能延缓器件老化,又能保证器件的工作性能稳定。然而,对应柔性材料制成的期间,现有的封装工艺封装效果差强人意,尤其是对于柔性有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED),对薄膜封装技术(ThinFilmEquipment,TFE)的可靠性要求很高,封装的好坏直接影响OLED显示器的寿命。目前常用的封装技术主要有单层膜封装技术、有机无机复合薄膜封装技术和无机复合薄膜封装技术。图1为现有技术中的一种单层膜封装结构示意图,如图1所示,在待封装的OLED上直接覆盖一单层材料薄膜,这种封装方式虽然简便但封装效果不理想,单层材料薄膜中的应力较大,封装性能不能满足柔性器件的封装要求。图2为现有技术中的一种有机无机复合薄膜封装结构示意图,图3为现有技术中的一种无机复合薄膜封装结构示意图,这种结构对应力释放的作用比较有限,因此也限制了封装性能的提高。综上所述,现有的柔性器件封装结构存在着封装性能较低的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种器件封装方法及柔性器件,用以提高器件的封装性能。本专利技术实施例提供一种器件封装方法,包括:步骤1、将基片置于生长装置中,生长装置包含上电极和下电极;步骤2、控制生长装置的生长条件,在上电极和下电极的作用下,将反应物生成位于基片之上的凹凸层;其中,反应物与凹凸层的材质相匹配,凹凸层的形状由下电极上设置的介质阵列所决定;步骤3、重复步骤2直至生成满足封装要求的封装层,封装层中相接触的凹凸面相互结合。可选的,控制生长装置的生长条件,包括:下电极设置有第一介质阵列,第一介质阵列由多个介质按照第一规则排列构成;控制生长装置的第一生长条件,从而生成位于基片之上的第一凹凸层;去除第一介质阵列;控制生长装置的第二生长条件,从而生成位于第一凹凸层之上的第二凹凸层,第二凹凸层的凸起位填充第一凹凸层的凹陷位。可选的,控制生长装置的生长条件,包括:下电极设置有第一介质阵列,第一介质阵列由多个介质按照第一规则排列构成;控制生长装置的第一生长条件,从而生成位于基片之上的第一凹凸层;下电极设置有第二介质阵列;第二介质阵列由多个介质按照第二规则排列构成,第二规则与第一规则相反;控制生长装置的第二生长条件,从而生成位于第一凹凸层之上的第二凹凸层。可选的,下电极设置有第二介质阵列,包括:第一介质阵列和第二介质阵列位于同一模板上;通过改变基片的位置以实现第一介质阵列和第二介质阵列的切换。可选的,控制生长装置的生长条件,包括:确定满足封装要求的凹凸层的厚度比;厚度比为凹凸层最小厚度与最大厚度的比值;根据凹凸层的厚度比,确定凹凸层的生长条件。可选的,生长装置为等离子体增强化学气相沉积装置PECVD。本专利技术实施例提供一种柔性器件,包括:基片和封装层;封装层位于基片之上;封装层包含多个凹凸层;封装层中相接触的两个凹凸面相互结合。可选的,凹凸层远离凹凸面的一面为平面;凹凸层与相邻凹凸层之间通过凹凸面或平面相结合。可选的,凹凸层的厚度比根据封装要求确定,厚度比为凹凸层最小厚度与最大厚度的比值。可选的,凹凸层为无机层。综上所述,本专利技术实施例提供一种器件封装方法及柔性器件,包括:步骤1、将基片置于生长装置中,生长装置包含上电极和下电极;步骤2、控制生长装置的生长条件,在上电极和下电极的作用下,将反应物生成位于基片之上的凹凸层;其中,反应物与凹凸层的材质相匹配,凹凸层的形状由下电极设置的介质阵列所决定;步骤3、重复步骤2直至生成满足封装要求的封装层,封装层中相接触的凹凸面相互结合。采用本专利技术实施例所提供的技术方案能够在基片上获得包含多个凹凸层的封装层,封装层中相接触的两个凹凸面相互结合。封装层中的凹凸层可以充分释放封装层中的应力,从而提高了封装层的挠曲性,因此采用本专利技术实施例所提供的技术方案进行封装,可以提高器件的封装性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中的一种单层膜封装结构示意图;图2为现有技术中的一种有机无机复合薄膜封装结构示意图;图3为现有技术中的一种无机复合薄膜封装结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的一种柔性器件结构示意图;图5a为本专利技术实施例所提供的一种器件受到压应力时凹凸层结构形变示意图;图5b为本专利技术实施例所提供的一种器件受到拉应力时凹凸层结构形变示意图;图6为本专利技术实施例提供的一种基于本实施例柔性器件的水氧入侵路径示意图;图7为本专利技术实施例提供的一种凹凸层厚度比定义示意图;图8为本专利技术实施例所提供的一种器件封装方法流程示意图;图9为本专利技术实施例提供的一种第一介质阵列结构示意图;图10为本专利技术实施例提供的一种生长装置结构侧切图;图11为本专利技术实施例提供的一种与图9对应的第二介质阵列结构示意图;图12为本专利技术实施例提供的一种封装层生长过程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部份实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。图4为本专利技术实施例提供的一种柔性器件结构示意图,如图4所示,柔性器件,包括:基片和封装层;封装层位于基片之上;封装层包含多个凹凸层;封装层中相接触的两个凹凸面相互结合。具体实施过程中,基片是已经生长了原始器件结构的基片,例如,对于半导体激光器,这里的基片指的是已经生长了包括激光器有源区在内的基片。对器件的封装,便是在基片上加盖封装层,将基片上的原始器件结构覆盖在封装层之下。如图4所示的柔性器件,在基片之上的封装层由多个凹凸层构成,每个凹凸层都有一个凹凸面,其中,封装层中相接处的两个凹凸面相互结合。当柔性器件产生形变时,凹凸层的结构更有利于应力释放。图5a为本专利技术实施例所提供的一种器件受到压应力时凹凸层结构形变示意图,如图5a所示,当器件受到向下的压应力时,凹凸面向下的凹凸叠层产生了形变,其凹凸面将向下的压应力释放了出去。图5b为本专利技术实施例所提供的一种器件受到拉应力时凹凸层结构形变示意图,如图5b所示,当器件受到向上的拉应力时,凹凸面向上的凹凸叠层产生了形变,其凹凸面将向上的拉应力释放了出去。由图5a和图5b可见,本专利技术实施例所提供的凹凸面结构更有力于应力的释放,因此更适用于易发生较大形变的柔性器件,因此,本专利技术实施例所提供的柔性器件具有更好的封装性能。除了应力释放外,本专利技术实施例所提供的柔性器件还可以更好地抵御外界杂质入侵。以水氧为例,图6为本专利技术实施例提供的一种基于本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件封装方法,其特征在于,包括:步骤1、将基片置于生长装置中,所述生长装置包含上电极和下电极;步骤2、控制所述生长装置的生长条件,在所述上电极和所述下电极的作用下,将反应物生成位于所述基片之上的凹凸层;其中,所述反应物与所述凹凸层的材质相匹配,所述凹凸层的形状由所述下电极上设置的介质阵列所决定;步骤3、重复步骤2直至生成满足封装要求的封装层,所述封装层中相接触的凹凸面相互结合。

【技术特征摘要】
1.一种器件封装方法,其特征在于,包括:步骤1、将基片置于生长装置中,所述生长装置包含上电极和下电极;步骤2、控制所述生长装置的生长条件,在所述上电极和所述下电极的作用下,将反应物生成位于所述基片之上的凹凸层;其中,所述反应物与所述凹凸层的材质相匹配,所述凹凸层的形状由所述下电极上设置的介质阵列所决定;步骤3、重复步骤2直至生成满足封装要求的封装层,所述封装层中相接触的凹凸面相互结合。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,控制所述生长装置的生长条件,包括:所述下电极设置有第一介质阵列,所述第一介质阵列由多个介质按照第一规则排列构成;控制所述生长装置的第一生长条件,从而生成位于所述基片之上的第一凹凸层;去除所述第一介质阵列;控制所述生长装置的第二生长条件,从而生成位于所述第一凹凸层之上的第二凹凸层,所述第二凹凸层的凸起位填充所述第一凹凸层的凹陷位。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,控制所述生长装置的生长条件,包括:所述下电极设置有第一介质阵列,所述第一介质阵列由多个介质按照第一规则排列构成;控制所述生长装置的第一生长条件,从而生成位于所述基片之上的第一凹凸层;所述下电极设置有第二介质阵列;所述第二介质阵列由多个介质按照第二规则排列构成,所述第二规则与所述第一规则相反...

【专利技术属性】
技术研发人员:欧阳攀
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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