A semiconductor device includes: an insulator on a substrate with relative first and second sides, each of the first and second sides extending in the first direction; a first fin pattern extending in the first direction from the third side of the insulator; a second fin pattern extending in the first direction from the fourth side of the insulator; and a first gate structure extending in the first side of the insulator. Extend horizontally in the second direction of the first direction. The device also includes: a second gate structure extending in the second direction from the second side of the insulator; a third fin pattern overlapping with the first grid structure, separated from the first side of the insulator and extending along the first direction; and a fourth fin pattern overlapping with the second grid structure, separated from the second side, and extending in the direction extending on the second side. The upper surface of the insulator is higher than the upper surface of the first fin pattern and the second fin pattern.
【技术实现步骤摘要】
具有绝缘的源极/漏极跳线结构的半导体装置[相关申请的交叉参考]本申请要求于韩国知识产权局于2017年9月11日提交的韩国专利申请第10-2017-0116018号的权益,所述申请的公开内容整体并入本文中作为参考。
本专利技术概念涉及半导体装置,更具体地涉及半导体装置中的连接结构。
技术介绍
半导体装置的尺寸越来越小,效率越来越高。为了变得更小,半导体装置需要更高的集成度。因此,半导体装置正在按比例缩小。由于半导体装置按比例缩小,晶体管的栅极与形成于晶体管的源极/漏极上的接触件之间的间隙迅速缩小。
技术实现思路
专利技术概念的一方面可以通过包括隔离栅极结构的绝缘体而提供具有改进的集成密度和可靠度的半导体装置。专利技术概念的一方面还可以通过包括形成在隔离栅极结构的绝缘体上的源极/漏极接触件而提供具有改进的集成密度和可靠度的半导体装置。然而,专利技术概念的这些方面不限于这里所述的一个。通过参考下面给出的专利技术概念的详细描述,专利技术概念所属领域的普通技术人员将更清楚专利技术概念的上述和其它方面。根据专利技术概念的一些实施例,半导体装置包括:绝缘体,在衬底上并具有相对的第一侧和第二侧,每一侧都沿第一方向延伸;第一鳍图案,从绝缘体的第三侧沿第一方向延伸;第二鳍图案,从绝缘体的第四侧沿第一方向延伸;以及第一栅极结构,从绝缘体的第一侧沿横向于第一方向的第二方向延伸。所述装置还包括:第二栅极结构,从绝缘体的第二侧沿第二方向延伸;第三鳍图案,与第一栅极结构交叠,与绝缘体的第一侧隔开,并且沿第一方向延伸;以及第四鳍图案,与第二栅极结构交叠,与第二侧隔开,并且在第二侧延伸的方向上 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:绝缘体,在衬底上并具有相对的第一侧和第二侧,所述第一侧和所述第二侧中的每一个沿第一方向延伸;第一鳍图案,从所述绝缘体的第三侧沿所述第一方向延伸;第二鳍图案,从所述绝缘体的第四侧沿所述第一方向延伸;第一栅极结构,从所述绝缘体的所述第一侧沿横向于所述第一方向的第二方向延伸;第二栅极结构,从所述绝缘体的所述第二侧沿所述第二方向延伸;第三鳍图案,与所述第一栅极结构交叠,与所述绝缘体的所述第一侧隔开,并且沿所述第一方向延伸;以及第四鳍图案,与所述第二栅极结构交叠,与所述第二侧隔开,并且在所述第二侧延伸的方向上延伸,其中所述绝缘体的上表面高于所述第一鳍图案的上表面和所述第二鳍图案的上表面。
【技术特征摘要】
2017.09.11 KR 10-2017-01160181.一种半导体装置,其特征在于,包括:绝缘体,在衬底上并具有相对的第一侧和第二侧,所述第一侧和所述第二侧中的每一个沿第一方向延伸;第一鳍图案,从所述绝缘体的第三侧沿所述第一方向延伸;第二鳍图案,从所述绝缘体的第四侧沿所述第一方向延伸;第一栅极结构,从所述绝缘体的所述第一侧沿横向于所述第一方向的第二方向延伸;第二栅极结构,从所述绝缘体的所述第二侧沿所述第二方向延伸;第三鳍图案,与所述第一栅极结构交叠,与所述绝缘体的所述第一侧隔开,并且沿所述第一方向延伸;以及第四鳍图案,与所述第二栅极结构交叠,与所述第二侧隔开,并且在所述第二侧延伸的方向上延伸,其中所述绝缘体的上表面高于所述第一鳍图案的上表面和所述第二鳍图案的上表面。2.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括在所述绝缘体之下并设置在所述第一鳍图案和所述第二鳍图案之间的绝缘图案。3.根据权利要求2所述的所述半导体装置,还包括设置在所述衬底上并部分覆盖所述第一鳍图案、所述第二鳍图案、所述第三鳍图案和所述第四鳍图案的场绝缘层,其中所述绝缘图案包括与所述场绝缘层相同的材料,并且其中所述绝缘图案的上表面高于所述场绝缘层的上表面。4.根据权利要求1所述的所述半导体装置,还包括在所述绝缘体之下并设置在所述第一鳍图案和所述第二鳍图案之间且连接所述第一鳍图案和所述第二鳍图案的连接鳍图案。5.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:第一源极/漏极区,设置在于所述绝缘体的至少一侧附近;以及源极/漏极接触件,设置在所述绝缘体上并连接到所述第一源极/漏极区。6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述源极/漏极接触件包括直接接触所述第一源极/漏极区的第一部分和在所述绝缘体之上并连接到所述源极/漏极接触件的所述第一部分的第二部分。7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述绝缘体的部分插入所述源极/漏极接触件的所述第二部分中。8.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:第一源极/漏极区,设置在所述第一栅极结构的一侧上;以及第二源极/漏极区,设置在所述第一栅极结构的第二侧上并连接到所述第一源极/漏极区。9.一种半导体装置,其特征在于,包括:场绝缘层,设置在衬底上,隔开从所述场绝缘层的上表面突出的第一鳍图案和第二鳍图案;绝缘图案,设置在所述第一鳍图案和所述第二鳍图案之间,并从所述场绝缘层的上表面突出;第一栅极结构,设置在所述第一鳍图案上;第二栅极结...
【专利技术属性】
技术研发人员:席德哈斯·瑞斯托吉,沙布哈许·克查尼利,梁在锡,千宽永,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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