The invention discloses a thin film transistor and its fabrication method, an array substrate and its fabrication method, and a display device, which relates to the display technology field to reduce the leakage current of the pixels where the thin film transistor is located. The preparation method of the thin film transistor includes: forming a polycrystalline silicon material layer on the surface of the substrate substrate, forming a first mask layer above the polycrystalline silicon material layer, and processing the polycrystalline silicon material layer to form a doping leakage region, forming a second mask layer above the doping leakage region and above the first mask layer, and forming an area where the doping leakage region is not covered by the second mask. Hole doping was carried out. The thin film transistor is fabricated by using the manufacturing method of the thin film transistor. The thin film transistor and its fabrication method, the array substrate and its fabrication method, and the display device provided by the invention are used to reduce the leakage current.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
液晶显示装置是一种显示分辨率很高的平面显示装置,其具有良好的显示效果,成为目前市场上的主流显示装置。现有低温多晶硅液晶显示装置所使用的薄膜晶体管在制作过程中,采用湿法刻蚀工艺在多晶硅材料层的表面形成栅极,此时在没有去除栅极表面所覆盖的光刻胶的前提下,以栅极表面的光刻胶为掩膜版,对多晶硅材料层进行空穴注入,形成空穴掺杂部,接着去除栅极表面的光刻胶,然后对多晶硅材料层进行轻掺杂漏(LightlyDopedDrain,缩写为LDD)处理,形成轻掺杂漏极(即LDD结构)。专利技术人发现,现有低温多晶硅液晶显示装置所使用的薄膜晶体管的LDD结构的线性长度比较短,使得薄膜晶体管所在像素的漏电流比较大,导致低温多晶硅显示装置的生产良率下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置,以降低薄膜晶体管所在像素的漏电流。为了实现上述目的,本专利技术提供一种薄膜晶体管的制作方法,该薄膜晶体管的制作方法包括:在衬底基板的表面形成多晶硅材料层;在所述多晶硅材料层的上方形成第一掩膜层,使得所述第一掩膜层在多晶硅材料层的正投影覆盖多晶硅材料层的部分区域;在所述第一掩膜层的掩膜下对所述多晶硅材料层进行处理,形成掺杂漏区域;在所述掺杂漏区域远离衬底基板的上方和所述第一掩膜层远离衬底基板的上方形成第二掩膜层,使得所述第二掩膜版在掺杂漏区域的正投影覆盖掺杂漏区域的部分区域,所述第二掩膜层 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板的表面形成多晶硅材料层;在所述多晶硅材料层的上方形成第一掩膜层,使得所述第一掩膜层在多晶硅材料层的正投影覆盖多晶硅材料层的部分区域;在所述第一掩膜层的掩膜下对所述多晶硅材料层进行处理,形成掺杂漏区域;在所述掺杂漏区域远离衬底基板的上方和所述第一掩膜层远离衬底基板的上方形成第二掩膜层,使得所述第二掩膜版在掺杂漏区域的正投影覆盖掺杂漏区域的部分区域,所述第二掩膜层的线宽方向与所述掺杂漏区域的线长方向相同;在所述第二掩膜层的掩膜下对所述掺杂漏区域未被第二掩膜版在掺杂漏区域的正投影所覆盖的区域进行空穴掺杂,使得所述掺杂漏区域形成空穴掺杂部和掺杂漏极部。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板的表面形成多晶硅材料层;在所述多晶硅材料层的上方形成第一掩膜层,使得所述第一掩膜层在多晶硅材料层的正投影覆盖多晶硅材料层的部分区域;在所述第一掩膜层的掩膜下对所述多晶硅材料层进行处理,形成掺杂漏区域;在所述掺杂漏区域远离衬底基板的上方和所述第一掩膜层远离衬底基板的上方形成第二掩膜层,使得所述第二掩膜版在掺杂漏区域的正投影覆盖掺杂漏区域的部分区域,所述第二掩膜层的线宽方向与所述掺杂漏区域的线长方向相同;在所述第二掩膜层的掩膜下对所述掺杂漏区域未被第二掩膜版在掺杂漏区域的正投影所覆盖的区域进行空穴掺杂,使得所述掺杂漏区域形成空穴掺杂部和掺杂漏极部。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在衬底基板的表面形成多晶硅材料层后,所述在所述多晶硅材料层的上方形成第一掩膜层前,所述薄膜晶体管的制作方法还包括:在所述多晶硅材料层远离衬底基板的表面形成绝缘层。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在所述多晶硅材料层的上方形成第一掩膜层包括:采用构图工艺在绝缘层远离衬底基板的表面形成栅极,所述栅极为第一掩膜层;所述在所述掺杂漏区域远离衬底基板的上方和所述第一掩膜层远离衬底基板的上方形成第二掩膜层包括:在所述绝缘层远离掺杂漏区域的表面和所述栅极远离绝缘层的表面形成第二掩膜层。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在所述多晶硅材料层的上方形成第一掩膜层包括:在所述绝缘层远离多晶硅材料的表面形成作为第一掩膜层的第一掩膜层,使得所述第一掩膜层在多晶硅材料层的正投影覆盖多晶硅材料层的部分区域;所述在所述掺杂漏区域远离衬底基板的上方和所述第一掩膜层远离衬底基板的上方形成第二掩膜层包括:在所述绝缘层远离掺杂漏区域的表面和所述第一掩膜层远离绝缘层的表面形成第二掩膜层;所述在所述第二掩膜层的掩膜下对所述掺杂漏区域未被第二掩膜版在掺杂漏区域的正投影所覆盖的区域进行空穴掺杂后,所述薄膜晶体管的制作方法还包括:去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜版,采用构图工艺在所述绝缘层远离衬底基板的表面形成栅极。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在所述多晶硅材料层的上方形成第一掩膜层包括:在所述多晶硅材料层远离衬底基板的表面形成第一掩膜层,使得所述第一掩膜层在多晶硅材料层的正投影覆盖多晶硅材料层的部分区域;所述在所述第一掩膜层的掩膜下对所述多晶硅材料层进行处理,形成掺杂漏区域包括:在所述第一掩膜层的掩膜下对所述多晶硅材料层进行处理,形成掺杂漏区域;所述在所述掺杂漏区域远离衬底基板的上方和所述第一掩膜层远离衬底基板的上方形成第二掩膜层包括:在所述掺杂漏区域远离衬底基板的表面和所述第一掩膜层远离衬底基板的表面形成第二掩膜层;所述在所述第二掩膜层的掩膜下对所述掺杂漏区域未被第二掩膜版在掺杂漏区域的正投影所覆盖的区域进行空穴掺杂后,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王成龙,刘华锋,方业周,李峰,赵生伟,王超,吕景萍,闫雷,候林,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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