The utility model relates to a boost circuit of an infrared remote controller, which comprises an inductor, a first PMOS tube, a capacitor and a second NMOS tube. Using the boost circuit of the infrared remote controller in the utility model and the synchronous rectification technology, not only eliminates the power loss of the diode in the rectification process, improves the utilization efficiency of battery energy and prolongs the service life of the battery, but also makes the boost circuit pass through the capacitor when it is in the coding or stop working state through an external filter capacitor. The stored charge supplies power to the load without causing abnormal conditions of the internal circuit when the inductor cannot supply power to the internal circuit.
【技术实现步骤摘要】
红外遥控器的升压电路
本技术涉及控制
,尤其涉及电路
,具体是指一种红外遥控器的升压电路。
技术介绍
对比文件1(CN106843027A)公开了一种单一电池红外线电路以及使用其的遥控器,其采用开关电源的原理,在升压期间先对电感进行充电,充电结束后电感对负载(微控制器)进行供电。但是采用此种方法的电路存在工作不稳定、耗电的缺陷,同时对比文件1中采用PMOS管的寄生二极管DP1进行整流,由于寄生二极管在导通时存在约0.6V的正向电压降,会在整流阶段造成能量浪费。基于此,急需一种可以提高稳定性以及工作效率的电路结构,使得采用该电路的遥控器具有足够的持续电压来工作,不仅可以保持工作稳定性,还可以提高工作效率。
技术实现思路
本技术的目的是克服了上述现有技术的缺点,提供了一种能够提高电池能量利用率的红外遥控器的升压电路。为了实现上述目的,本技术的红外遥控器的升压电路具有如下构成:该红外遥控器的升压电路,其主要特点是,所述的升压电路包括:电感,所述电感的一端与输入电压正极端相连接;第一PMOS管,所述第一PMOS管的漏极与所述电感的另一端相连接,所述第一PMOS管的栅极用于输入第一时序信号,所述第一PMOS管的源极为所述升压电路的输出端;电容,所述电容的正极与所述升压电路的输出端相连接,所述电容的负极接地;第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极连接于所述第一PMOS管的漏极与所述电感的另一端之间,所述第二NMOS管的栅极用于输入第二时序信号,所述第二NMOS管的源极接地。该红外遥控器的升压电路具有升压工作状态,在所述的升压工作状态下,所述的第一时序信号和所述的 ...
【技术保护点】
1.一种红外遥控器的升压电路,其特征在于,所述的升压电路包括:电感,所述电感的一端与输入电压正极端相连接;第一PMOS管,所述第一PMOS管的漏极与所述电感的另一端相连接,所述第一PMOS管的栅极用于输入第一时序信号,所述第一PMOS管的源极为所述升压电路的输出端;电容,所述电容的正极与所述升压电路的输出端相连接,所述电容的负极接地;第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极连接于所述第一PMOS管的漏极与所述电感的另一端之间,所述第二NMOS管的栅极用于输入第二时序信号,所述第二NMOS管的源极接地。
【技术特征摘要】
1.一种红外遥控器的升压电路,其特征在于,所述的升压电路包括:电感,所述电感的一端与输入电压正极端相连接;第一PMOS管,所述第一PMOS管的漏极与所述电感的另一端相连接,所述第一PMOS管的栅极用于输入第一时序信号,所述第一PMOS管的源极为所述升压电路的输出端;电容,所述电容的正极与所述升压电路的输出端相连接,所述电容的负极接地;第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极连接于所述第一PMOS管的漏极与所述电感的另一端之间,所述第二NMOS管的栅极用于输入第二时序信号,所述第二NMOS管的源极接地。2.根据权利要求1所述的红外遥控器的升压电路,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹旺,高庆,张敏,
申请(专利权)人:无锡华润矽科微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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