温度检测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种温度检测电路。温度检测电路包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第五PMOS管、第三电阻、第一NMOS管、第六PMOS管和第三NPN管。利用本发明专利技术提供的温度检测电路，输出信号能够随着温度变化，对相应的电路进行关断。

【技术实现步骤摘要】
温度检测电路
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及到温度检测电路。
技术介绍
在集成电路中，温度过高时会产生错误信息，为了避免这样的现象出现，会设置温度检测电路，用来关掉相应的输出。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种输出信号能够随着温度变化的温度检测电路。温度检测电路，包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第五PMOS管、第三电阻、第一NMOS管、第六PMOS管和第三NPN管：所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第二NPN管的基极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，发射极接所述第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第二NPN管的发射极，另一端接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三电阻的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第三NPN管的基极，另一端接地；所述第一NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极，源极接地；所述第六PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第三NPN管的集电极和所述第一NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三NPN管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极，源极接地。所述第一PMOS管、所述第一电阻和所述第二PMOS管构成启动电路，所述第二PMOS管的栅极通过所述第一电阻接地而导通，有启动电流传给由所述第一NPN管、所述第二NPN管和所述第二电阻构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一NPN管镜像给所述第二NPN管进而使整个电流源开始工作，再通过所述第四PMOS管和所述第三PMOS管反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，由于所述第一PMOS管导通使得所述第二PMOS管的栅极拉高，所述第二PMOS管的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第五PMOS管的漏极有电流流出在所述第三电阻上产生电压，当温度升高时，由于所述第三NPN管的BE结电压是负温度系数，温度达到一定温度时，所述第三NPN管导通使得输出端VOUT变为低电平；正常工作时，由于所述第三NPN管不导通，这样输出端VOUT是高电平。附图说明图1为本专利技术的温度检测电路的电路图。图2为本专利技术的温度检测电压随温度的变化图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。温度检测电路，如图1所示，包括第一PMOS管101、第一电阻102、第二PMOS管103、第三PMOS管104、第四PMOS管105、第一NPN管106、第二NPN管107、第二电阻108、第五PMOS管109、第三电阻110、第一NMOS管111、第六PMOS管112和第三NPN管113：所述第一PMOS管101的栅极接所述第三PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第二NPN管107的集电极和所述第五PMOS管109的栅极和所述第六PMOS管112的栅极，漏极接所述第一电阻102的一端和所述第二PMOS管103的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻102的一端接所述第一PMOS管101的漏极和所述第二PMOS管103的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管103的栅极接所述第一PMOS管101的漏极和所述第一电阻102的一端，漏极接所述第三PMOS管104的漏极和所述第一NPN管106的基极和集电极和所述第二NPN管107的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管104的栅极接所述第一PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第二NPN管107的集电极和所述第五PMOS管109的栅极和所述第六PMOS管112的栅极，漏极接所述第二PMOS管103的漏极和所述第一NPN管106的基极和集电极和所述第二NPN管107的基极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管101的栅极和所述第三PMOS管104的栅极和所述第二NPN管107的集电极和所述第五PMOS管109的栅极和所述第六PMOS管112的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管106的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管103的漏极和所述第三PMOS管104的漏极和所述第二NPN管107的基极，发射极接地；所述第二NPN管107的基极接所述第二PMOS管103的漏极和所述第三PMOS管104的漏极和所述第一NPN管106的基极和集电极，集电极接所述第一PMOS管101的栅极和所述第三PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第五PMOS管109的栅极和所述第六PMOS管112的栅极，发射极接所述第二电阻108的一端；所述第二电阻108的一端接所述第二NPN管107的发射极，另一端接地；所述第五PMOS管109的栅极接所述第一PMOS管101的栅极和所述第三PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管112的栅极和所述第二NPN管107的集电极，漏极接所述第三电阻110的一端和所述第三NPN管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.温度检测电路，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第五PMOS管、第三电阻、第一NMOS管、第六PMOS管和第三NPN管；所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第二NPN管的基极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，发射极接所述第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第二NPN管的发射极，另一端接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三电阻的一端接所述第五PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第三NPN管的基极，另一端接地；所述第一NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极，源极接地；所述第六PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第三NPN管的集电极和所述第一NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三NPN管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第五PMOS管的漏极和所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极，源极接地。...

【技术特征摘要】
1.温度检测电路，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第五PMOS管、第三电阻、第一NMOS管、第六PMOS管和第三NPN管；所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟庆生，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33