Subject: A plasma processing device capable of shortening the return current path and ensuring symmetry is provided. Solution: The plasma processing device according to one embodiment of the present invention has a chamber body, a carrier platform, a high frequency electrode, a plurality of grounding components and a movable unit. The main body of the chamber has a side wall, and part of the side wall includes an opening that enables the substrate to pass through. The grounding parts are arranged around the loading platform and electrically connected between the side wall and the loading platform. The movable unit has a support which is the first grounding component as part of the plurality of grounding components. The movable unit is composed of a movable element that enables the support body to move between the first position of the first grounding component above the opening and the second position of the first grounding component electrically connected to the inner circumference of the opening.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术涉及一种等离子体CVD装置等的等离子体处理装置。
技术介绍
一般,等离子体CVD装置通过在高频电极(阴极)和载物台(阳极)之间的成膜空间(反应室)产生成膜气体的等离子体,将其反应生成物沉积到载物台上的基板上。载物台的周围设置有与真空腔室电连接的多个接地部件。这些接地部件形成使高频电流从载物台经由真空腔室返回至电源的返回电流路径。在这里,若未最优化返回电流路径,则除阴极、阳极之间以外的部位有可能产生不想要的放电。例如,返回电流路径各向异性地形成疏密不均时,返回电流集中于密集的路径中,成膜空间以外的路径附近产生电场分布、电场梯度。因此,会产生局部放电,导致膜厚度等表面均匀性降低。为此,在现有的等离子体CVD装置中,采取了如下所述的对策:通过缩短各接地部件的长度来抑制返回电流路径的电阻而使其减小、减小部件之间的接触电阻、从空间角度防止返回电流路径不均、最优化电场强度分布而防止造成不必要的电场梯度等。另一方面,腔室的部分侧壁上设置有用于将基板搬入真空腔室内或向真空腔室之外搬出基板的开口部。通过门阀来开闭开口部的侧壁外表面侧,通常使开口部的侧壁内面侧始终开放。经由形成有这种开口部的侧壁部的返回电流路径,会绕开开口部的周围或必须通过开口部后侧的门阀。因此,该经由形成了开口部的侧壁部的返回电流路径与经由其他侧壁部的返回电流路径相比,电流路径长,成为产生不必要的电场分布、电场梯度的原因。为了解决这样的问题,例如,专利文献1中公开了一种等离子体处理装置,其中,将第二门阀构成为返回电流路径的一部分,所述第二门阀从腔室内侧开闭形成于腔室侧壁的基板搬出 ...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:腔室主体,具有侧壁,该侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部;载物台,具有能够支撑所述基板的支撑面,并设置在所述腔室主体的内部;高频电极,以与所述支撑面对置的方式配置,产生处理气体的等离子体;多个接地部件,配置在所述载物台的周围,电连接所述侧壁和所述载物台之间;可动单元,具有支撑体,该支撑体支撑作为所述多个接地部件的一部分的第一接地部件,所述可动单元能够使所述支撑体在第一位置与第二位置之间沿着与所述支撑面正交的轴方向移动,所述第一位置是使所述第一接地部件隔着所述开口部而与所述开口部的内周面对置的位置,所述第二位置是使所述第一接地部件与所述内周面电连接的位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.22 JP 2016-1234041.一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:腔室主体,具有侧壁,该侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部;载物台,具有能够支撑所述基板的支撑面,并设置在所述腔室主体的内部;高频电极,以与所述支撑面对置的方式配置,产生处理气体的等离子体;多个接地部件,配置在所述载物台的周围,电连接所述侧壁和所述载物台之间;可动单元,具有支撑体,该支撑体支撑作为所述多个接地部件的一部分的第一接地部件,所述可动单元能够使所述支撑体在第一位置与第二位置之间沿着与所述支撑面正交的轴方向移动,所述第一位置是使所述第一接地部件隔着所述开口部而与所述开口部的内周面对置的位置,所述第二位置是使所述第一接地部件与所述内周面电连接的位置。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述支撑体构成为,具有导电性的抵接部,该抵接部在所述第二位置与所述内周面抵接,所述抵接部能够沿着所述轴方向弹性变形。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述支撑体还具有密封环,所述密封环配置在所述抵接部的周围,在所述第二位置与所述内周面弹性接触。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述支撑体由金属制成的块构成。5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第二位置被设定为高度与第二接地部件的高度实质相同,所述第二接地部件作为所述多个接地部件中其他一部分,所述第二接地部件的高度是指,所述第二接地部件与所述侧壁进行连接的连接位置相对于所述腔室主体的底部的高度。6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述载物台构...
【专利技术属性】
技术研发人员:中村文生,田丸义久,矢岛贵浩,加藤裕子,神保洋介,植喜信,冈野秀一,冈山智彦,
申请(专利权)人:株式会社爱发科,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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