等离子体处理装置制造方法及图纸

课题：提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。解决手段：本发明专利技术的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁，所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为，能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。

Plasma processing unit

Subject: A plasma processing device capable of shortening the return current path and ensuring symmetry is provided. Solution: The plasma processing device according to one embodiment of the present invention has a chamber body, a carrier platform, a high frequency electrode, a plurality of grounding components and a movable unit. The main body of the chamber has a side wall, and part of the side wall includes an opening that enables the substrate to pass through. The grounding parts are arranged around the loading platform and electrically connected between the side wall and the loading platform. The movable unit has a support which is the first grounding component as part of the plurality of grounding components. The movable unit is composed of a movable element that enables the support body to move between the first position of the first grounding component above the opening and the second position of the first grounding component electrically connected to the inner circumference of the opening.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术涉及一种等离子体CVD装置等的等离子体处理装置。
技术介绍
一般，等离子体CVD装置通过在高频电极(阴极)和载物台(阳极)之间的成膜空间(反应室)产生成膜气体的等离子体，将其反应生成物沉积到载物台上的基板上。载物台的周围设置有与真空腔室电连接的多个接地部件。这些接地部件形成使高频电流从载物台经由真空腔室返回至电源的返回电流路径。在这里，若未最优化返回电流路径，则除阴极、阳极之间以外的部位有可能产生不想要的放电。例如，返回电流路径各向异性地形成疏密不均时，返回电流集中于密集的路径中，成膜空间以外的路径附近产生电场分布、电场梯度。因此，会产生局部放电，导致膜厚度等表面均匀性降低。为此，在现有的等离子体CVD装置中，采取了如下所述的对策：通过缩短各接地部件的长度来抑制返回电流路径的电阻而使其减小、减小部件之间的接触电阻、从空间角度防止返回电流路径不均、最优化电场强度分布而防止造成不必要的电场梯度等。另一方面，腔室的部分侧壁上设置有用于将基板搬入真空腔室内或向真空腔室之外搬出基板的开口部。通过门阀来开闭开口部的侧壁外表面侧，通常使开口部的侧壁内面侧始终开放。经由形成有这种开口部的侧壁部的返回电流路径，会绕开开口部的周围或必须通过开口部后侧的门阀。因此，该经由形成了开口部的侧壁部的返回电流路径与经由其他侧壁部的返回电流路径相比，电流路径长，成为产生不必要的电场分布、电场梯度的原因。为了解决这样的问题，例如，专利文献1中公开了一种等离子体处理装置，其中，将第二门阀构成为返回电流路径的一部分，所述第二门阀从腔室内侧开闭形成于腔室侧壁的基板搬出搬入部。而且，在专利文献2中公开了一种等离子体处理系统，其中，使设置在基板支架周围的多个接触部件与基板支架一同上升，且使它们分别接触设置于基板搬送端口上部的多个板，从而构成返回电流路径。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2010/079756号公报专利文献2：日本专利第5883652号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，专利文献1中具有如下所述的问题：从加热器(载物台)的外边缘延伸的接地板到底还是与真空腔室的底部连接，因此，返回电流路径延长。而且，专利文献2中，各接触部件伴随基板支架(载物台)的上升联动而与各板连接，因此例如，在载物台较大的情形下难以使各接触部件以均等的按压力接触到各板，无法实现返回电流路径的均匀化或对称性的确保。鉴于以上事实，本专利技术的目的在于，提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。用于解决问题的手段为了达成上述目的，本专利技术的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁，所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述载物台具有能够支撑上述基板的支撑面，并设置在上述腔室主体的内部。上述高频电极以与上述支撑面对置的方式配置，能够产生处理气体的等离子体。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，具有支撑体，该支撑体支撑作为所述多个接地部件的一部分的第一接地部件，所述可动单元能够使所述支撑体在第一位置与第二位置之间沿着与所述支撑面正交的轴方向移动，所述第一位置是使所述第一接地部件隔着所述开口部而与所述开口部的内周面对置的位置，所述第二位置是使所述第一接地部件与所述内周面电连接的位置。在上述等离子体处理装置中，多个接地部件连接在载物台的周围和腔室主体的侧壁(周壁)之间。因此，与载物台和腔室主体的底部连接有接地部件的结构相比，能够缩短返回电流路径。另一方面，腔室主体的侧壁的一部分设置有用于搬出搬入基板的开口部。与形成该开口部的侧壁部连接的接地部件(第一接地部件)被支撑体支撑，该支撑体能够沿着上述轴方向在开口部的内部移动。支撑体在基板通过开口部时在第一位置待机，在产生等离子体时移动至第二位置，从而将第一接地部件电连接于开口部的内周面。由此，能够构筑不绕开开口部的返回电流路径，在侧壁部的整周能够确保返回电流路径的对称性。上述支撑体可以构成为，具有在上述第二位置与上述内周面抵接的导电性的抵接部，上述抵接部可沿着上述轴方向弹性变形。由此，在支撑体和开口部的内周面之间能够确保稳定的电连接。在该情形下，上述支撑体可以还具有配置在上述抵接部周围的密封环。上述密封环在上述第二位置与上述内周面弹性接触。由此，能够避免导入腔室主体内的处理气体及其反应生成物接触抵接部，能够提高抵接部的耐久性。上述支撑体可以由金属制成的块构成。由此，经由支撑体，可以将第一接地部件电连接于腔室主体的侧壁。上述第二位置典型地被设定成，高度与第二接地部件的高度实质相同，所述第二接地部件作为所述多个接地部件中其他一部分，所述第二接地部件的高度是指，所述第二接地部件与所述侧壁进行连接的连接位置相对于所述腔室主体的底部的高度。由此，能够确保返回电流路径的对称性。上述载物台可以构成为可沿着上述轴方向移动。在该情形下，上述多个接地部件可以由分别具有连接于上述侧壁的第一端部和连接于上述载物台的第二端部的多个可挠性金属板构成。上述支撑体可以具有沿着上述开口部的长边方向延伸的长方体形状，上述第一接地部件包括沿着上述长边方向隔着间隔排列的多个导体部。由此，即便在开口部的宽度较宽的情形下，也能确保合适的返回电流路径。而且，为了达成上述目的，本专利技术的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元、收集部件。上述腔室主体具有侧壁，上述侧壁的一部分包括开口部，所述开口部具有能够使基板通过的第一内周面和与上述第一内周面对置的第二内周面。上述载物台具有能够支撑上述基板的支撑面，并设置在上述腔室主体的内部。上述高频电极以与上述支撑面对置的方式配置，能够产生处理气体的等离子体。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。该可动单元能够使所述支撑体在第一位置和第二位置之间移动，所述第一位置是所述支撑体与所述侧壁的第一内壁对置的位置，所述侧壁的第一内壁与所述第一内表面连续，所述第二位置是所述支撑体与所述侧壁的第二内壁电连接的位置，所述侧壁的第二内壁与所述第二内表面连续。上述收集部件配置在上述支撑体与上述第二内壁接触部分的正下方。上述等离子体处理装置中，多个接地部件连接在载物台周围和腔室主体的侧壁(周壁)之间。因此，与载物台和腔室主体的底部连接有接地部件的结构相比，能够缩短返回电流路径。另一方面，腔室主体的侧壁的一部分设置有用于搬出搬入基板的开口部。与形成该开口部的侧壁部连接的接地部件(第一接地部件)被支撑体支撑，该支撑体可在与第一内周面连接的侧壁的第一内壁对置的第一位置和与第二内周面连接的上述侧壁的第二内壁电连接的第二位置之间移动。支撑体在基板通过开口部时在第一位置待机，在产生等离子体时移动至第二位置，从而将第一接地部件电连接于开口部的内周面。由此，能够构筑不绕开开口部的返回电流路径，在侧壁部的整周能够确保返回电流路径的对称性。进一步，支撑体与第二内壁接触部分的正下方配置有收集部件。由此，即便支撑体与第二内壁接触而产生灰尘，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：腔室主体，具有侧壁，该侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部；载物台，具有能够支撑所述基板的支撑面，并设置在所述腔室主体的内部；高频电极，以与所述支撑面对置的方式配置，产生处理气体的等离子体；多个接地部件，配置在所述载物台的周围，电连接所述侧壁和所述载物台之间；可动单元，具有支撑体，该支撑体支撑作为所述多个接地部件的一部分的第一接地部件，所述可动单元能够使所述支撑体在第一位置与第二位置之间沿着与所述支撑面正交的轴方向移动，所述第一位置是使所述第一接地部件隔着所述开口部而与所述开口部的内周面对置的位置，所述第二位置是使所述第一接地部件与所述内周面电连接的位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.22 JP 2016-1234041.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：腔室主体，具有侧壁，该侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部；载物台，具有能够支撑所述基板的支撑面，并设置在所述腔室主体的内部；高频电极，以与所述支撑面对置的方式配置，产生处理气体的等离子体；多个接地部件，配置在所述载物台的周围，电连接所述侧壁和所述载物台之间；可动单元，具有支撑体，该支撑体支撑作为所述多个接地部件的一部分的第一接地部件，所述可动单元能够使所述支撑体在第一位置与第二位置之间沿着与所述支撑面正交的轴方向移动，所述第一位置是使所述第一接地部件隔着所述开口部而与所述开口部的内周面对置的位置，所述第二位置是使所述第一接地部件与所述内周面电连接的位置。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑体构成为，具有导电性的抵接部，该抵接部在所述第二位置与所述内周面抵接，所述抵接部能够沿着所述轴方向弹性变形。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑体还具有密封环，所述密封环配置在所述抵接部的周围，在所述第二位置与所述内周面弹性接触。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑体由金属制成的块构成。5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二位置被设定为高度与第二接地部件的高度实质相同，所述第二接地部件作为所述多个接地部件中其他一部分，所述第二接地部件的高度是指，所述第二接地部件与所述侧壁进行连接的连接位置相对于所述腔室主体的底部的高度。6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述载物台构...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村文生，田丸义久，矢岛贵浩，加藤裕子，神保洋介，植喜信，冈野秀一，冈山智彦，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本,JP