A power semiconductor system with an inductor module, a method for manufacturing an inductor module and a power semiconductor system with an inductor module are disclosed. A power semiconductor system includes a power stage module with one or more power transistor core attached to or embedded in the first printed circuit board, and an inductor module attached to the power stage module and having an inductor electrically connected to the output node of the power stage module. The inductor is formed in a ferrite sheet embedded in the second printed circuit board and a winding patterned into the second printed circuit board. A corresponding method for manufacturing the power semiconductor system and the inductor module is also disclosed.
【技术实现步骤摘要】
带电感器模块的功率半导体系统和制造电感器模块和带电感器模块的功率半导体系统的方法
本申请涉及用于功率半导体系统的电感器模块,具体地说,涉及用于对功率半导体系统的功率级模块的附接的电感器模块。
技术介绍
DC-DC电压调节器系统(诸如降压转换器)包括两个功率晶体管、栅极驱动器IC以及电感器的布置,以针对负载向下转换电压。在功率系统中的连接路径处生成真实系统中的损耗。为了使这些寄生损耗最小化,功率晶体管和栅极驱动器IC通常被一起组装在单个功率模块中,而电感器在主PCB(印刷电路板)上被组装在旁边。损耗取决于晶体管输出(开关节点)与电感器端子之间的连接线的距离和横截面,因此,需要将电感器定位得更靠近功率模块的更理想的解决方案。
技术实现思路
根据功率半导体系统的实施例,所述功率半导体系统包括:功率级模块,其包括附接到或嵌入在第一印刷电路板中的一个或多个功率晶体管管芯;以及电感器模块,其附接到所述功率级模块并且包括电连接到所述功率级模块的输出节点的电感器,所述电感器形成于嵌入在第二印刷电路板中的铁氧体片材以及被图案化到所述第二印刷电路板中的绕组。根据制造功率半导体系统的方法的实施例,所述方法包括:提供功率级模块,其包括附接到或嵌入在第一印刷电路板中的一个或多个功率晶体管管芯;以及将电感器模块附接到所述功率级模块,所述电感器模块包括电连接到所述功率级模块的输出节点的电感器,所述电感器形成于嵌入在第二印刷电路板中的铁氧体片材以及被图案化到所述第二印刷电路板中的绕组。根据制造电感器模块的方法的实施例,所述方法包括:将铁氧体片材嵌入在绝缘材料中,所述铁氧体片材具有多个延长的开 ...
【技术保护点】
1.一种功率半导体系统,包括:功率级模块,其包括附接到或嵌入在第一印刷电路板中的一个或多个功率晶体管管芯;以及电感器模块,其附接到所述功率级模块,并且包括电连接到所述功率级模块的输出节点的电感器,所述电感器形成于嵌入在第二印刷电路板中的铁氧体片材以及被图案化到所述第二印刷电路板中的绕组。
【技术特征摘要】
2017.09.08 US 15/6997401.一种功率半导体系统,包括:功率级模块,其包括附接到或嵌入在第一印刷电路板中的一个或多个功率晶体管管芯;以及电感器模块,其附接到所述功率级模块,并且包括电连接到所述功率级模块的输出节点的电感器,所述电感器形成于嵌入在第二印刷电路板中的铁氧体片材以及被图案化到所述第二印刷电路板中的绕组。2.如权利要求1所述的功率半导体系统,其中,所述电感器模块被焊接到所述功率级模块。3.如权利要求1所述的功率半导体系统,其中,所述电感器模块被层压到所述功率级模块上。4.如权利要求1所述的功率半导体系统,其中,所述第二印刷电路板包括:其中嵌入有所述铁氧体片材的绝缘材料;以及被层压到在所述铁氧体片材的相对的侧上的所述绝缘材料上的第一金属片材和第二金属片材,并且其中,所述绕组由如下形成:被图案化到所述第一金属片材和所述第二金属片材中的金属迹线;以及在所述第一金属片材与所述第二金属片材之间延伸并且连接所述金属迹线以形成一个或多个线圈的多个导电过孔。5.如权利要求4所述的功率半导体系统,其中,所述多个导电过孔中的每个单独的导电过孔被部署在形成于所述铁氧体片材中的不同的通孔中。6.如权利要求5所述的功率半导体系统,其中,形成在所述铁氧体片材中的所述通孔的侧壁被电绝缘材料覆盖。7.如权利要求4所述的功率半导体系统,其中,所述多个导电过孔与所述铁氧体片材电绝缘。8.如权利要求4所述的功率半导体系统,其中,所述铁氧体片材具有多个延长的开口,并且其中,第一组的所述多个导电过孔通过所述延长的开口中的第一延长的开口,并且第二组的所述多个导电过孔通过所述延长的开口中的第二延长的开口,以连接所述金属迹线并且形成所述一个或多个线圈。9.如权利要求4所述的功率半导体系统,其中,所述多个导电过孔中的每个单独的导电过孔被填充有金属。10.如权利要求4所述的功率半导体系统,其中,所述铁氧体片材被图案化到延长的环线圈中,并且其中,第一组的所述多个导电过孔沿着所述环线圈的第一外部延长侧延伸,第二组的所述多个导电过孔沿着所述环线圈的第一内部延长侧延伸,第三组的所述多个导电过孔沿着所述环线圈的第二内部延长侧延伸,并且第四组的所述多个导电过孔沿着所述环线圈的第二外部延长侧延伸,以连接所述金属迹线并且形成所述一个或多个线圈。11.如权利要求4所述的功率半导体系统,其中,所述多个导电过孔中的每个单独的导电过孔具有在80微米至300微米的范围中的直径。12.如权利要求1所述的功率半导体系统,其中,所述功率级模块包括降压转换器的被耦合在开关节点处的高侧功率晶体管和低侧功率晶体管,并且其中,所述功率级模块的所述输出...
【专利技术属性】
技术研发人员:F德黑,J赫格劳尔,P帕尔姆,AN索勒,X施勒格尔,Z尤马尔,M沃伊诺夫斯基,
申请(专利权)人:英飞凌科技奥地利有限公司,
类型:发明
国别省市:奥地利,AT
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