一种有机电致发光器件制造技术

本申请公开了一种有机电致发光器件，包括发光层和位于所述发光层两侧的空穴传输功能层和电子传输功能层，靠近所述电致发光器件出光面一侧的所述空穴传输功能层或所述电子传输功能层中掺杂有半导体材料。本申请通过在发光器件(OLED器件)的靠近所述电致发光器件出光面一侧的所述空穴传输功能层或所述电子传输功能层中掺杂有半导体材料，使得发光器件的载流子迁移率有了质的飞跃，发光器件的寿命也得到了质的提升，同时达到设定厚度的载流子传输能力提升层也有效地吸收某些特定波长的紫外线，从而大幅度提升OLED相关产品的可靠性与使用寿命，也能增加应用空间。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本公开一般涉及有机电致发光
，具体涉及一种有机电致发光器件。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。其原理是用透明/半透明金属/金属氧化物电极和金属/金属氧化物电极分别作为器件的阳极和阴极，在外部电场驱动下，载子(电子和空穴)分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输功能层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输功能层传递到发光层，并在发光材料中形成激子(exciton)，激子中受限的电子-空穴复合后消失，能量以可见光的形式辐射(发光波长受限于发光材料特性)。辐射光可从透明/半透明电极侧观察到。此发光原理被大量应用在照明与显示屏上。但多数有机材料对高能量光线敏感，一般环境中主要存在的高能量光源为发光能量主要落在2.8-4.1电子伏特的能量；OLED器件中部分材料有可能因为环境中的高能量光源进而导致衰减，衰减的规则为：高能量光源的照度和照射时间量值的乘积接近一固定值。OLED照明应用上衰减达到原始亮度的某个比例会定义成OLED照明的寿命，如果OLED器件应用上(如车用或航空照明)会大量被高能量光线照射，则其中的高能量光源会加速屏体的老化，缩短其寿命。在现有技术中，对于减少紫外线照射影响提高OLED屏体寿命的方案均是在OLED屏体外或内部设置可以阻挡紫外线的装置或材料,且大多是在屏体外部阻挡高能量光源的设计，例如使用外部灯壳、抗紫外材料、反射层等。这些方案都能一定程度上提高OLED器件的使用寿命。但是上述阻挡高能量光源的设计在一定程度上影响了OLED器件的美观，增加了OLED器件的成本。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种可以从本质上提高OLED器件本身的抗高能量光源辐照能力且不影响外观设计的有机电致发光器件。第一方面本申请提供一种有机电致发光器件，包括发光层和位于所述发光层两侧的空穴传输功能层和电子传输功能层，靠近所述电致发光器件出光面一侧的所述空穴传输功能层或所述电子传输功能层中掺杂有半导体材料，所述掺杂的半导体材料对波长范围为350nm-450nm内的光线的阻挡率大于等于40％。根据本申请实施例提供的技术方案，所述半导体材料包括金属、金属氧化物、碳材、高电子亲和力或低游离能力的有机材料、高电子亲和力或低游离能力的有机金属错合物中的至少一种。根据本申请实施例提供的技术方案，掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层的厚度大于等于40nm，或者，掺杂有所述半导体材料的所述电子传输功能层的厚度大于等于40nm。根据本申请实施例提供的技术方案，所述掺杂的半导体材料的体积百分比范围为2％-50％。根据本申请实施例提供的技术方案，掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层内被掺杂材料的光学能隙介于2.6-3.4电子伏特，或者，掺杂有所述半导体材料的所述电子传输功能层内被掺杂材料的光学能隙介于2.6-3.4电子伏特。根据本申请实施例提供的技术方案，掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层与所述发光层之间设有保护层，或者，掺杂有所述半导体材料的所述电子传输功能层与发光层之间设有保护层。根据本申请实施例提供的技术方案，所述保护层内材料的载流子传输特性，与掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层内的被掺杂材料一致；或者与掺杂有所述半导体材料的电子传输功能层内的被掺杂材料一致。根据本申请实施例提供的技术方案，所述保护层的厚度大于等于10nm。本申请通过在发光器件(OLED器件)的靠近所述电致发光器件出光面一侧的所述空穴传输功能层或所述电子传输功能层中掺杂有半导体材料，从本质上使得OLED器件在高温和高能量光线的照射下依然具有很强的载流子传输能力,从而延长了OLED器件的寿命,尤其是在高温和高能量光线照射下的寿命，从而大幅度提升OLED相关产品的可靠性，也能增加应用空间。当半导体材料的浓度达到设定浓度时,发光器件的载流子迁移率有了质的飞跃,从而使得发光器件的寿命也得到了质的提升；使得本申请的技术方案可在不影响原有OLED器件结构和生产工艺的前提下提高OLED器件内的载流子(电子或空穴)迁移率和OLED器件的使用寿命,特别是高温环境和紫外线辐照环境下的使用寿命,试验表明本申请的技术方案使得OLED屏体的正常使用寿命提高至少50％，高温操作使用寿命至少提高30％，紫外线辐照下器件寿命提升至少2倍；同时达到设定厚度的掺杂有半导体材料的空穴传输功能层和电子传输功能层也有效地吸收某些特定波长的紫外线,对其他一些紫外光波段也可以起到50％以上的阻挡作用；因此本申请的技术方案与传统的抗紫外线设计方案逆向思维,从提高OLED器件本身的载流子传输性能着手,使得OLED器件内的载流子在经过高温和高辐射后依然就有很强的传输特性，从提高OLED器件的正向性能来提高其在高温和紫外线照射环境下寿命；使得OLED发光器件的寿命和稳定性有了质的飞跃。本申请技术方案中的保护层可有效避免半导体材料对发光层的影响，有效地避免了发光层内淬灭现象的发生。尤其当保护层采用半导体材料所在的空穴传输功能层或电子传输功能层内的被掺杂材料制备时，效果更佳，工艺更简单。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1是本申请有机电致发光器件第一种实施例的结构示意图；图2是本申请有机电致发光器件第二种实施例的结构示意图；图3是本申请有机电致发光器件第三种实施例的结构示意图；图4是本申请有机电致发光器件第四种实施例的结构示意图；图5是本申请中实验一至实验三中参照对象的结构示意图；图中标号：10、基板；20、第一电极；30、空穴传输功能层；60、第二电极；40、发光层；50、电子传输功能层；70、保护层。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。请参考图1为本申请一种有机电致发光器件一种实施例的结构示意图，包括依次叠加设置的基板10、第一电极20、有机层、第二电极60和封装结构(图中未画出)；所述有机层包括发光层40、位于发光层40两侧的空穴传输功能层30和电子传输功能层50；靠近所述电致发光器件出光面一侧的所述空穴传输功能层或所述电子传输功能层中掺杂有半导体材料，所述半导体材料对波长范围为350nm-450nm内的光线的阻挡率大于等于40％。波长为350-450nm的光为近紫外光到深蓝光的范围，这是太阳光照射地球大气环境中存在的较高能量波段(更高能量的宇宙射线多数因大气层作用而急剧减少)，350-450nm波段的光线对有机半导体材料造成显著的影响，这基本上是避免不了的问题，而本申请中掺杂的半导体材料后可自行把350-450nm的光线进行吸收，平衡控制被掺杂的空穴传输功能层或电子传输功能层的电荷传输特性与紫外线老化性能，让产品全生命周期基本上不会有因为紫外线产生老化的问题。掺杂有半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，包括发光层和位于所述发光层两侧的空穴传输功能层和电子传输功能层，其特征在于，靠近所述电致发光器件出光面一侧的所述空穴传输功能层或所述电子传输功能层中掺杂有半导体材料。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包括发光层和位于所述发光层两侧的空穴传输功能层和电子传输功能层，其特征在于，靠近所述电致发光器件出光面一侧的所述空穴传输功能层或所述电子传输功能层中掺杂有半导体材料。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂的半导体材料对波长范围为350nm-450nm内的光线的阻挡率大于等于40％。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述半导体材料包括金属、金属氧化物、碳材、高电子亲和力或低游离能力的有机材料、高电子亲和力或低游离能力的有机金属错合物中的至少一种。4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层的厚度大于等于40nm，或者，掺杂有所述半导体材料的所述电子传输功能层的厚度大于等于40nm。5.根据权利要求1至3任意一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：李育豪，郭立雪，王君，谢静，朱映光，胡永岚，
申请(专利权)人：固安翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13