一种消除闪存编程干扰的电路制造技术

本发明专利技术公开了一种消除闪存编程干扰的电路，包括：窄脉冲产生电路，用于产生一宽度为τ的正向窄脉冲；窄脉冲输出电路，用于根据所述窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P；位线充电电路，用于在所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd‑Vt，通过本发明专利技术，可消除NORD cell的编程干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种消除闪存编程干扰的电路
本专利技术涉及存储单元编程
，特别是涉及一种消除闪存编程干扰的电路。
技术介绍
图1为现有技术之NORDCell阵列示意图。其中存储阵列为M*N，每一列有M个存储单元，每一行有N个存储单元，每个存储单元有两个存储位，对应位线分别为第一位线BL0<j>、第二位线BL1<j>，j＝0,1,……,N-1，每一列的第一位线BL0<j>和第二位线BL1<j>间隔连接，即第0行的存储单元的第一位线BL0与第1行的存储单元的第二位线BL1、第2行的存储单元的第一位线BL0、第3行的存储单元的第二位线BL1、……相连组成该列的第一位线BL0<j>，而第0行的存储单元的第二位线BL1与第1行的存储单元的第一位线BL0、第2行的存储单元的第二位线BL1、第3行的存储单元的第一位线BL0、……相连组成该列的第二位线BL1<j>，每个存储单元的两个存储位对应两个控制栅极，即第一控制栅极CG0<i>、第二控制栅极CG1<i>，每个存储单元的两个存储位共用字线WL<i>，i＝0,1,……,M-1，每一行的存储单元共用第一控制栅极CG0<i>、第二控制栅极CG1<i>和字线WL<i>，每个存储单元的结构如图2所示。图2为现有技术中一种双分离栅存储单元(NORDCell)结构示意图。如图2所示，该双分离栅存储单元，包括：半导体P型衬底(P_sub)10，其上设置N阱(N-Well)11，N阱11上具有间隔设置的源极区域(S)110和漏极区域(D)120及沟道区130；沟道区130，位于源极区域(S)110和漏极区域(D)120之间；第一位线BL0和第二位线BL1，分别连接于源极区域110和漏极区域120；第一浮栅210，设置于源极区域110右上方之沟道区130上方；第二浮栅220，设置于漏极区域120左上方之沟道区130上方，第一浮栅210和第二浮栅220分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅310和第二控制栅320，分别设置于第一浮栅210和第二浮栅220上方，第一和第二控制栅线分别连接第一控制栅310和第二控制栅320；字线区40，位于第一浮栅210和第二浮栅220之间的沟道区130上方，字线WL连接字线区40，所有隔离用的氧化硅(BL0、CG0、WL、CG1、BL1间)均忽略。现有技术对图2所示双分离栅闪存编程时一般采用源极注入方式(SourceSideinjection)，假设左侧存储位a(椭圆圈处存储位)被选中，设置字线电压WL＝1.4V，第一控制栅线电压CG0＝8.6V，第一位线BL0电压BL0＝5.25V，第二控制栅线电压CG1＝5.25V，第二位线BL1为编程下拉电压Vdp。编程下拉电压Vdp是通过编程下拉电流Idp自动产生，如果选中存储单元的选中位的位线编程高压Vsp＝5.25v已经施加上去，选中存储单元的未选中位的位线电压即编程下拉电压Vdp上去太慢就可能会对同列不选中的存储单元(cell)产生编程干扰。对于NORDcell，假设选中图2所示存储位a，时序如图3所示，片选CEb拉低，地址AMS-8(高位到低位)有效，编程模式PROG信号起来时，编程电流Idp开始下拉，第二位线BL1的电压Vdp被拉到0，等PROG2完全建立，需要编程的IO对应的第一位线BL0被施加编程高压Vsp，当编程高压Vsp被施加上去的时候，第二位线BL1的编程下拉电压Vdp有一个建立过程，在这个过程中同列不选中的cell可能产生编程干扰
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的不足，本专利技术之目的在于提供一种消除闪存编程干扰的电路，以消除NORDcell的编程干扰。为达上述及其它目的，本专利技术提出一种消除闪存编程干扰的电路，包括：窄脉冲产生电路，用于产生一宽度为τ的正向窄脉冲；窄脉冲输出电路，用于根据所述窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P；位线充电电路，用于在所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd-Vt，其中，Vdd为电源电压，Vt为NMOS管的阈值电压。优选地，所述窄脉冲产生电路利用第一与非门及窄脉冲产生器实现。优选地，编程控制信号PROG2连接至所述窄脉冲产生器的输入端和第一与非门的一输入端，所述窄脉冲产生器的输出端连接至第一与非门的另一输入端，第一与非门的输出端连接所述窄脉冲输出电路。优选地，所述窄脉冲输出电路包括第二与非门以及若干反相器。优选地，所述窄脉冲输出电路包括第二与非门以及第一反相器、第二反相器。优选地，所述窄脉冲产生电路的输出端连接至第一反相器的输入端和第二与非门的一输入端，编程许可信号PROG连接至第二与非门的另一输入端，第二与非门的输出端连接至第二反相器的输入端，第一反相器的输出端即编程预充电窄脉冲PROGDR_P，第二反相器的输出端即编程许可窄脉冲PROGEN_P。优选地，所述位线充电电路包括多个NMOS管NM2<7：0>。优选地，各NMOS管栅极接所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P，漏极接电源电压，源极接对应的位线IOD<7：0>。优选地，编程时，编程模式PROG变高，编程许可信号PROG同步拉高，在编程高压电荷泵建立后，编程控制信号PROG2拉高，其一路连接至第一与非门的一输入端，其另一路经所述窄脉冲产生器后产生一宽度为τ的正向窄脉冲连接至所述第一与非门的另一输入端，第一与非门输出一始于编程控制信号PROG2上升沿的宽度为τ的负向窄脉冲，该宽度为τ的负向窄脉冲一路经第一反相器反相后输出得到宽度为τ的正向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P，该宽度为τ的负向窄脉冲的另一路与编程许可信号PROG分别连接至第二与非门的两输入端，第二与非门的输出再经过第二反相器反相得到宽度为τ的负向窄脉冲，即编程许可窄脉冲PROGEN_P。优选地，在编程预充电窄脉冲PROGDR_P宽度为τ的高电平的时间内，NMOS管NM2<7：0>导通，IOD<7：0>被预充电到Vdd-Vt，在编程预充电窄脉冲PROGDR_P起来时IOD<7：0>即编程电压Vdp已被预充到Vdd-Vt。与现有技术相比，本专利技术一种消除闪存编程干扰的电路通过利用窄脉冲产生电路产生一宽度为τ的正向窄脉冲，利用窄脉冲输出电路根据窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P，并在编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开位线充电电路的NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd-Vt，实现了消除闪存编程干扰的目的。附图说明图1为现有技术之NORDCell阵列示意图；图2为现有技术中一种双分离栅存储单元(NORDCell)结构示意图；图3为现有技术的时序图；图4为本专利技术一种消除闪存编程干扰的电路的电路结构图；图5为本专利技术具体实施例的时序图；图6为本专利技术具体实施例的仿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种消除闪存编程干扰的电路，包括：窄脉冲产生电路，用于产生一宽度为τ的正向窄脉冲；窄脉冲输出电路，用于根据所述窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P；位线充电电路，用于在所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd‑Vt，其中，Vdd为电源电压，Vt为NMOS管的阈值电压。

【技术特征摘要】
1.一种消除闪存编程干扰的电路，包括：窄脉冲产生电路，用于产生一宽度为τ的正向窄脉冲；窄脉冲输出电路，用于根据所述窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P；位线充电电路，用于在所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd-Vt，其中，Vdd为电源电压，Vt为NMOS管的阈值电压。2.如权利要求1所述的一种消除闪存编程干扰的电路，其特征在于：所述窄脉冲产生电路利用第一与非门及窄脉冲产生器实现。3.如权利要求2所述的一种消除闪存编程干扰的电路，其特征在于：编程控制信号PROG2连接至所述窄脉冲产生器的输入端和第一与非门的一输入端，所述窄脉冲产生器的输出端连接至第一与非门的另一输入端，第一与非门的输出端连接所述窄脉冲输出电路。4.如权利要求2所述的一种消除闪存编程干扰的电路，其特征在于：所述窄脉冲输出电路包括第二与非门以及若干反相器。5.如权利要求4所述的一种消除闪存编程干扰的电路，其特征在于：所述窄脉冲输出电路包括第二与非门以及第一反相器、第二反相器。6.如权利要求5所述的一种消除闪存编程干扰的电路，其特征在于：所述窄脉冲产生电路的输出端连接至第一反相器的输入端和第二与非门的一输入端，编程许可信号PROG连接至第二与非门的另一输入端，第二与非门的输出端连接至第二反相器的输入端，第一反相器的输出端即编程预充电窄脉冲PROGDR_P，第二反相器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，杨光军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31