晶片传送装置以及晶片处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种晶片传送装置，晶片传送装置包括机械臂以及托架。机械臂用于传送晶片。托架安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。

Wafer conveyor and wafer processing system

The embodiment of the invention provides a wafer transmission device, which comprises a mechanical arm and a bracket. The mechanical arm is used to transmit wafers. The bracket is mounted on the mechanical arm and includes a positioning groove for holding the part of the wafer and positioning the wafer on the bracket. The positioning groove has an arc guide angle at the edge of the bracket, and the maximum thickness of the bracket is between 4.85 and 5.17.

【技术实现步骤摘要】
晶片传送装置以及晶片处理系统
本专利技术实施例涉及一种晶片传送装置以及晶片处理系统。
技术介绍
半导体制造业是一系列主要工艺步骤的循环和重复。按照不同性质的处理工艺，晶片往往需要在多个半导体工艺设备的工艺腔之间通过晶片传送装置进行传输。在工艺设备内，晶片传送装置的主要功能是装载晶片，所有的装卸通常是由自动机械手臂完成。机械手臂的设计要求能使晶片平稳地传送，并能保护晶片不被损坏。目前的机械手臂为求能缩短晶片的传送时间，往往期望能加速机械手臂的移动速度，然而，机械手臂的移动速度仍有其限度，再者，加速机械手臂的移动速度容易导致晶片滑离机械手臂的托架，或增加晶片与托架之间的碰撞，使得托架容易产生裂缝，缩短托架的使用寿命，甚至对晶片造成损伤，不但造成一定的经济损失，也影响到设备的生产效率。
技术实现思路
本专利技术实施例是针对一种晶片传送装置以及晶片处理系统，其可提升机械臂的移动速率，并可延长晶片传送装置以及晶片处理系统的使用寿命。根据本专利技术的实施例，晶片传送装置包括机械臂以及托架。机械臂用于传送晶片。托架安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术实施例的各个方面。应注意，根据本行业中的标准实务，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是根据本专利技术某些示例性实施例的晶片传送装置的示意图；图2是根据本专利技术某些示例性实施例的托架的示意性上视图；图3是根据本专利技术某些示例性实施例的托架的示意性局部剖面图；图4是根据本专利技术某些示例性实施例的晶片处理系统的示意图；图5是根据本专利技术某些示例性实施例的晶片处理系统的操作示意图。附图标号说明10：晶片处理系统；100：晶片传送装置；110：机械臂；120：托架；122：定位凹槽；122a：圆弧导角；124：透气凹槽；126：透气开口；200a：处理腔室；200b：处理腔室；300：晶片装载匣；D1：最大厚度；D2：深度；D3：深度；D4：厚度；WF：晶片。具体实施方式以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成于第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中所述第一特征与所述第二特征之间可形成有附加特征进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。图1是根据本专利技术某些示例性实施例的晶片传送装置的示意图，请参照图1，本实施例的晶片传送装置100可用于在任何半导体工艺设备中传送晶片WF。在本实施例中，晶片传送装置100包括机械臂110以及托架120。机械臂110可以是用于支撑、定位、居中以及运送晶片WF的自动控制装置的一部分。机械臂110可以配置成为了运送晶片WF而进行三维运动。在图1所示的实施例中，托架120可以安装在机械臂110的悬臂端上，以用于夹持及固定晶片WF于机械臂110上。图2是根据本专利技术某些示例性实施例的托架的示意性上视图。图3是根据本专利技术某些示例性实施例的托架的示意性局部剖面图。请参照图2及图3，托架120可包括定位凹槽122，定位凹槽122可用以夹持至少晶片WF的部份，并将晶片WF定位于所述托架120上。在本实施例中，定位凹槽122可如图2所示的延伸通过托架120，并用以夹持晶片WF的相对两侧边。在图2所示的实施例中，定位凹槽122可在托架122的边缘处具有圆弧导角122a，进一步来说，圆弧导角122a可往远离晶片WF的所述部分的方向延伸。在这样的结构配置下，圆弧导角122a的设计可以减少机械臂110移动时晶片WF与定位凹槽122之间的碰撞，因而能降低定位凹槽122因碰撞而产生裂痕或缺角的情形，进而提升托架120的使用寿命，更能防止晶片WF受到损伤。此外，由於圆弧导角122a的设计可以减少定位凹槽122因碰撞而产生裂痕或缺角的情形，机械臂110的移动速率因而可再进一步提升。除此之外，为了提升机械臂110的移动速率，本实施例的托架120的最大厚度D1可降低，以减轻托架120的重量。并且，为了减少机械臂110快速移动时晶片WF从托架120上滑落的情形，本实施例的定位凹槽122的深度D2可加深，以提升定位凹槽122对晶片WF的夹持及定位效果。因此，为了满足上述需求且又要使托架120维持足够的结构强度，托架120的最大厚度D1与定位凹槽122的深度D2须设计为特定的比例。在本实施例中，托架120的最大厚度D1与定位凹槽122的深度D2的比率(也就是D1/D2的值)约可介於4.85至5.17之间。进一步而言，定位凹槽122的深度D2约可介於0.48毫米(mm)至0.52毫米之间。托架120的最大厚度D1约可介於2.48毫米至2.52毫米之间。在本实施例中，托架120还可包括透气凹槽124，其中，透气凹槽124位于定位凹槽122内，晶片WF可如图3所示承靠于定位凹槽122的底面，而透气凹槽124的深度D3约大于定位凹槽122的深度D2。也就是说，晶片WF的底面会与透气凹槽124的底面之间存在气隙，因而有助于空气对流，进而帮助晶片WF进行加温或降温。在本实施例中，透气凹槽124与定位凹槽122之间的深度差(也就是D3-D2)约介於0.08毫米至0.12毫米之间。在本实施例中，透气凹槽124可包括如图3所示的具有底面的沟槽，也可包括如图2所示的贯穿托架120的透气开口126，本专利技术实施例并不限制透气凹槽124的数量及形式。图4是根据本专利技术某些示例性实施例的晶片处理系统的示意图。请参照图1及图4，在本实施例中，前述的晶片传送装置100可适用于如图4所示的晶片处理系统10，因此，晶片处理系统10可包括前述的晶片传送装置100、至少一处理腔室200a、200b以及至少一晶片装载匣300。在此必须说明的是，图4所示的晶片传送装置100与图1所示的晶片传送装置100相同或至少相似，因此，本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同
技术实现思路
的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。本实施例的晶片传送装置100可用于将晶片WF传送于所述处理腔室200a、200b与所述晶片装载匣300之间。举例来说，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片传送装置，其特征在于，包括：机械臂，用于传送晶片；以及托架，安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。

【技术特征摘要】
1.一种晶片传送装置，其特征在于，包括：机械臂，用于传送晶片；以及托架，安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。2.根据权利要求1所述的晶片传送装置，所述定位凹槽的深度介於0.48毫米至0.52毫米之间。3.根据权利要求1所述的晶片传送装置，所述托架的最大厚度介於2.48毫米至2.52毫米之间。4.根据权利要求1所述的晶片传送装置，所述圆弧导角往远离所述晶片的所述部分的方向延伸。5.根据权利要求1所述的晶片传送装置，所述托架还包括透气凹槽，位于所述定位凹槽内，所述透气凹槽的深度大于所述定位凹槽的深度，所述晶片承...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建志，李仁铎，余瑶民，李青岭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71