一种量子点配体复合物及其制备方法、量子点器件技术

本发明专利技术公开了一种量子点配体复合物及其制备方法、量子点器件。其中量子点配体复合物包括量子点以及与量子点结合的第一配体和第二配体，第一配体提供带负电的配位基团，第一配体为非共轭配体，第二配体包括共轭结构以及与共轭结构化学键结合的至少一个‑NH2基团，第二配体通过‑NH2基团与量子点配位。本发明专利技术通过第一配体与第二配体的配合，在保证量子点配体复合物具有较好分散性的同时，提高了量子点配体复合物的空穴传输能力，可以解决现有技术中量子点发光器件载流子注入不平衡的问题。

A Quantum Dot Ligand Complex and Its Preparation Method and Quantum Dot Device

The invention discloses a quantum dot ligand complex, a preparation method thereof and a quantum dot device. Quantum dot ligand complexes include quantum dots and the first ligand and the second ligand that bind to quantum dots. The first ligand provides a negatively charged coordination group. The first ligand is a non-conjugated ligand. The second ligand includes at least one NH2 group which binds to conjugated structural chemical bonds. The second ligand coordinates with quantum dots through the NH2 group. By the coordination of the first ligand and the second ligand, the invention not only ensures the good dispersion of the QDs ligand complex, but also improves the hole transmission ability of the QDs ligand complex, and can solve the carrier injection imbalance problem of the QDs in the prior art.

【技术实现步骤摘要】
一种量子点配体复合物及其制备方法、量子点器件
本专利技术涉及量子点材料
，尤其涉及一种量子点配体复合物及其制备方法、量子点器件。
技术介绍
量子点由于尺寸很小，比表面积大，容易发生团聚，并且表面缺陷较多，因此在应用的时候需要在其表面配位上一层有机分子来帮助量子点的稳定分散，这就是量子点的配体。另外，由于量子点是无机纳米颗粒，其和大多数有机基体材料的相容性很差，所以配体不但可以使量子点表面的缺陷减少，而且也能用来改善量子点与基体材料的相容性。目前，量子点发光器件(QLED)技术中一个亟待解决的问题是空穴注入比电子注入困难，导致QLED的效率较低。在公开号为CN105185918A的专利中，公开了一种量子点发光层、其制备方法及QLED，其通过减短配体链长来改善这一问题。但是，减短配体链长在提升空穴注入的同时也会提升电子的注入，不能根本上改变载流子注入不平衡的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点配体复合物及其制备方法，该量子点配体复合物改善了现有技术中量子点发光器件载流子注入不平衡的问题。根据本专利技术的一个方面，提供一种量子点配体复合物，包括量子点以及与上述量子点结合的第一配体和第二配体，上述第一配体提供带负电的配位基团，上述第一配体为非共轭配体，上述第二配体包括共轭结构以及与上述共轭结构化学键结合的至少一个-NH2基团，上述第二配体通过上述-NH2基团与上述量子点配位。进一步地，上述共轭结构选自以下一种或多种：苯、三苯胺、咔唑。进一步地，上述第一配体为碳链长度8～22的化合物。进一步地，上述第一配体选自烷基羧酸、烷基巯醇、烷基膦酸中的一种或多种。根据本专利技术的另一个方面，提供一种量子点配体复合物的制备方法，包括以下步骤：S1，于溶液中制备配有第一配体的量子点，提纯得到第一量子点，上述第一配体为非共轭配体，且提供带负电的配位基团；S2，将上述第一量子点溶于溶剂中，然后加入一定量的第二配体，反应一段时间后得到表面配有上述第一配体和上述第二配体的第二量子点，上述第二配体包括共轭结构以及与上述共轭结构化学键结合的至少一个-NH2基团，上述第二配体通过上述-NH2基团与量子点配位。进一步地，提纯上述第一量子点时，向溶液中加入短链胺以及沉淀剂，加热一段时间后离心，提纯得到上述第一量子点。进一步地，上述共轭结构选自以下一种或多种：苯、三苯胺、咔唑，上述第一配体为碳链长度8～22的化合物；优选地，上述第一配体选自烷基羧酸、烷基巯醇、烷基膦酸中的一种或多种。根据本专利技术的另一个方面，提供一种量子点配体复合物的制备方法，于溶液中制备配有第一配体的量子点，然后向溶液中加入一定量的第二配体，反应一段时间后得到表面配有上述第一配体和上述第二配体的量子点，上述第一配体为非共轭配体，且提供带负电的配位基团，上述第二配体包括共轭结构以及与共轭结构化学键结合的至少一个-NH2基团，上述第二配体通过上述-NH2基团与量子点配位。进一步地，上述共轭结构选自以下一种或多种：苯、三苯胺、咔唑，上述第一配体为碳链长度8～22的化合物；优选地，上述第一配体选自烷基羧酸、烷基巯醇、烷基膦酸中的一种或多种。根据本专利技术的再一个方面，提供一种量子点器件，其包括量子点发光层，上述量子点发光层包括本专利技术的上述量子点配体复合物。相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：本专利技术通过第一配体与第二配体的配合，在保证量子点配体复合物具有较好分散性的同时，提高了量子点配体复合物的空穴传输能力，可以解决现有技术中量子点发光器件载流子注入不平衡的问题。具体实施方式下面，结合具体实施方式，对本专利技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。本专利技术提供一种量子点配体复合物，包括量子点以及与该量子点结合的第一配体和第二配体，第一配体提供带负电的配位基团，且第一配体为非共轭配体，第二配体包括共轭结构以及与共轭结构化学键结合的至少一个-NH2基团，第二配体通过-NH2基团与量子点配位。第一配体为非共轭配体，其主要作用是为量子点提供较好的溶液分散性，第一配体提供带负电的配位基团，因此第一配体仅覆盖量子点的极性表面。第二配体的作用主要是提高量子点配体复合物的空穴传输能力，第二配体的-NH2基团为中性配位基团，因此第二配体仅覆盖量子点的非极性表面。本专利技术通过第一配体与第二配体的配合，在保证量子点配体复合物具有较好分散性的同时，提高了量子点配体复合物的空穴传输能力。在一些实施例中，上述第二配体的共轭结构选自以下一种或多种：苯、三苯胺、咔唑、芴。第二配体的能级决定其只用于传导空穴，而不传导电子，从而解决了量子点发光器件载流子不平衡的问题。在一些实施例中，上述第一配体的碳链长度为8～22，更优选地，第一配体的碳链长度为8～18。第一配体具有较长的碳链长度，保证了量子点配体复合物的分散性。在一些实施例中，上述第一配体选自烷基羧酸、烷基巯醇、烷基膦酸中的一种或多种。值得一提的是，上述量子点可以是核量子点也可以是核壳量子点，本专利技术并不限制量子点的具体类型。本专利技术提供一种量子点配体复合物的制备方法，包括以下步骤：S1，于溶液中制备配有第一配体的量子点，提纯得到第一量子点，第一配体为非共轭配体，且提供带负电的配位基团；S2，将上述第一量子点溶于溶剂中，然后加入一定量的第二配体，反应一段时间后得到表面配有第一配体和第二配体的第二量子点，第二配体包括共轭结构以及与共轭结构化学键结合的至少一个-NH2基团，第二配体通过-NH2基团与量子点配位。在上述实施方式中，先在量子点上配位第一配体，提纯后再进行第二配体的配位。值得一提的是，在量子点上配位第一配体的方法为现有技术，本专利技术不再详述。在一些实施例中，步骤S1中，提纯第一量子点的方法为：向溶液中加入短链胺以及沉淀剂，加热一段时间后离心，提纯得到第一量子点。上述短链胺包括但不限于丁胺、八胺。上述沉淀剂包括但不限于乙醇、甲醇。使用短链胺提纯第一量子点相当于把原来吸附在第一量子点中性表面上的配体去掉，换上配体能力较弱的短链胺，然后在第二配体配位时，与短链胺交换，从而将第二配体配位在量子点表面。如果不使用短链胺提纯，直接进行第二配体的配位，可能会因为空间位阻较大，可能导致原先吸附在第一量子点中性面上的配体不容易被替换掉。在一些实施例中，步骤S2后，还包括从溶液中提纯第二量子点的步骤。在一些实施例中，上述第一配体的碳链长度为8～22；优选地，第一配体选自烷基羧酸、烷基巯醇、烷基膦酸中的一种或多种。上述第二配体的共轭结构选自以下一种或多种：苯、三苯胺、咔唑、芴。本专利技术还提供一种量子点配体复合物的制备方法，包括以下步骤：于溶液中制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点配体复合物，其特征在于，包括量子点以及与所述量子点结合的第一配体和第二配体，所述第一配体为非共轭配体，所述第一配体提供带负电的配位基团，所述第二配体包括共轭结构以及与所述共轭结构化学键结合的至少一个‑NH2基团，所述第二配体通过所述‑NH2基团与所述量子点配位。

【技术特征摘要】
1.一种量子点配体复合物，其特征在于，包括量子点以及与所述量子点结合的第一配体和第二配体，所述第一配体为非共轭配体，所述第一配体提供带负电的配位基团，所述第二配体包括共轭结构以及与所述共轭结构化学键结合的至少一个-NH2基团，所述第二配体通过所述-NH2基团与所述量子点配位。2.根据权利要求1所述的量子点配体复合物，其特征在于，所述共轭结构选自以下一种或多种：苯、三苯胺、咔唑、芴。3.根据权利要求1所述的量子点配体复合物，其特征在于，所述第一配体为碳链长度8～22的化合物。4.根据权利要求3所述的量子点配体复合物，其特征在于，所述第一配体选自烷基羧酸、烷基巯醇、烷基膦酸中的一种或多种。5.一种量子点配体复合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，于溶液中制备配有第一配体的量子点，提纯得到第一量子点，所述第一配体为非共轭配体，且提供带负电的配位基团；S2，将所述第一量子点溶于溶剂中，然后加入一定量的第二配体，反应一段时间后得到表面配有所述第一配体和所述第二配体的第二量子点，所述第二配体包括共轭结构以及与所述共轭结构化学键结合的至少一个-NH2基团，所述第二配体通过所述-NH2基团与所述量子点配位。6.根据权利要求5所述的量子...

【专利技术属性】
技术研发人员：高远，甄常刮，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33