一种以太网供电保护方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种以太网供电保护方法，该方法包括：应用于以太网供电，供电设备通过控制MOS管的导通关断实现受电设备的供断电；所述方法包括：检测所述MOS管的电平信号；根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；分析所述电平逻辑参数和控制信息；当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS的控制状态不同时，发出告警并触发保护机制。本发明专利技术实施例能够解决现有技术中存在PSE芯片在控制MOS管让回路导通供电或者断电过程中MOS管出现异常导致供电异常的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种以太网供电保护方法及装置
本专利技术涉及通信电子
，尤指一种以太网供电(PowerOverEthernet，PoE)保护方法及装置。
技术介绍
PoE指的是现有的以太网电缆布线基础架构在不用作任何改动的情况下就能保证在为如IP电话机、无线接入点(AccessPoint，AP)、安全网络摄像机以及其他一些基于IP的终端传输数据信号的同时，还能为此类设备提供直流供电的能力。PoE技术用一条通用以太网电缆，根据不同的频率传输以太网信号和直流电源，将电源和数据集成在一条以太网电缆当中。一个完整的PoE系统包括供电端设备(PowerSourceEquipment，PSE)和受电端设备(PoweredDevice，PD)两部分。PSE是整个POE以太网供电过程的管理者，通过以太网向PD供电，其供电工作过程如下：1.检测过程。刚开始的时候，PSE设备在端口只是输出很小的电压，直到其检测到其线缆的终端连接为一个支持美国电子电气工程师协会(InstituteofElectricalandElectronicsEngineers，IEEE)802.3af或IEEE802.3at标准的受电端设备。2.PD端设备分类。当检测到受电端设备PD之后，供电端设备PSE可能会为PD设备进行分类，并且评估此PD设备所需的功率损耗。3.开始供电。在一个可配置的时间(一般小于15微秒)的启动期内，PSE设备开始从低电压开始向PD设备供电，直至提供到44V至57V级的直流电源。4.供电。为PD设备提供稳定可靠的44V-57V级直流电，满足PD设备不超过30W的功率消耗。5.断电。如果PD设备被从网络上去掉，PSE就会快速地(一般在300-400ms的时间之内)停止为PD设备供电，并且又开始检测线缆的终端是否连接PD设备即步骤1。现有POE供电及断电方案是通过PSE芯片通过检测确认对端设备后开启MOS管让回路导通供电或者断电。具体地，如图1所示，PSE芯片通过控制MOS管来实现对PD负载的供电与关闭。其中，54V电压为所述供电设备的电源正极，NEG为PSE控制电源回路端；当MOS管导通，NEG通过MOS管连接到电源负极，PSE端对PD端正常供电；当MOS管关断，电源回路断开，PD端下电。但是若MOS管出现击穿现象或者失效则会出现PSE端强制给PD端供电的情况，若连接的对端是非PD负载设备或者非标准POE供电设备则有可能出现强制54V供电将对端设备烧毁的情况。若连接的对端是标准POE设备则PSE芯片无法控制监控POE电路，导致出现过载短路等故障下设备过热损坏。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种以太网供电保护方法及装置，用以解决现有技术中存在PSE芯片在控制MOS管让回路导通供电或者断电过程中MOS管出现异常导致供电异常的问题。一种以太网供电保护方法，应用于以太网供电，供电设备通过控制MOS管的导通关断实现受电设备的供断电；所述方法包括：检测所述MOS管的电平信号；根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；分析所述电平逻辑参数和控制信息；当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态不同时，发出告警并触发保护机制。其中，所述根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数，包括：当所述MOS管的电平信号与预设导通电平信号相同时，所述MOS管为导通状态，按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数置为0或1；当所述MOS管的电平信号与预设关断电平信号相同时，所述MOS管为关断状态，按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数置为1或0。其中，所述获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息，包括：当所述供电设备控制所述MOS管导通时，则获取到的所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态为导通状态；当所述供电设备控制所述MOS管关断时，则获取到的所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态为关断状态。其中，所述分析所述电平逻辑参数和控制信息，包括：按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数映射得到所述MOS管的状态；比对映射得到的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态是否相同。其中，所述触发保护机制，包括：触发保护电路的短路保护机制，以使所述供电设备整机下电。一种以太网供电保护装置，应用于以太网供电，连接在所述供电设备和受电设备之间，所述供电设备通过控制MOS管的导通关断实现受电设备的供断电；所述装置包括：电压检测单元、分析单元、保护单元；其中，所述电压检测单元，用于检测所述MOS管的电平信号；所述分析单元，用于根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；分析所述电平逻辑参数和控制信息；当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS的控制状态不同时，发出告警并发送触发信号；所述保护单元，用于按照接收到的所述触发信号，触发保护机制。其中，所述分析单元，具体用于当所述MOS管的电平信号与预设导通电平信号相同时，所述MOS管为导通状态，按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数置为0或1；当所述MOS管的电平信号与预设关断电平信号相同时，所述MOS管为关断状态，按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数置为1或0，获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；分析所述电平逻辑参数和控制信息；当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS的控制状态不同时，发出告警并发送触发信号。其中，所述分析单元，具体用于根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；当所述供电设备控制所述MOS管导通时，则获取到的所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态为导通状态；当所述当所述供电设备控制所述MOS管关断时，则获取到的所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态为关断状态，分析所述电平逻辑参数和控制信息；当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态不同时，发出告警并发送触发信号。其中，所述分析单元，具体用于根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数映射得到所述MOS管的状态；比对映射得到的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态是否相同，当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态不同时，发出告警并发送触发信号。其中，所述保护单元为开关电路，所述开关电路的一端连接供电设备电源的正极，另一端连接供电设备所控制的MOS管的D极；当接收到所述触发信号，所述开关电路导通，触发保护单元的短路保护机制，以使所述供电设备整机下电。其中，所述电压检测单元包括串联的第一电阻和第二电阻；其中，所述第一电阻的一端连接所述第二电阻，所述第一电阻的另一端连接预设关断电平信号；所述第二电阻的一端连接所述第一电阻，所述第二电阻的另一端连接所述供电设备所控制的MOS管的D极。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的以太网供电保护方法及装置，通过检测所述MOS管的电平信号；根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；分析所述电平逻辑参数和控制信息；当本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以太网供电保护方法，其特征在于，应用于以太网供电，供电设备通过控制MOS管的导通关断实现受电设备的供断电；所述方法包括：检测所述MOS管的电平信号；根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；分析所述电平逻辑参数和控制信息；当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态不同时，发出告警并触发保护机制。

【技术特征摘要】
1.一种以太网供电保护方法，其特征在于，应用于以太网供电，供电设备通过控制MOS管的导通关断实现受电设备的供断电；所述方法包括：检测所述MOS管的电平信号；根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；分析所述电平逻辑参数和控制信息；当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态不同时，发出告警并触发保护机制。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数，包括：当所述MOS管的电平信号与预设导通电平信号相同时，所述MOS管为导通状态，按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数置为0或1；当所述MOS管的电平信号与预设关断电平信号相同时，所述MOS管为关断状态，按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数置为1或0。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息，包括：当所述供电设备控制所述MOS管导通时，则获取到的所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态为导通状态；当所述供电设备控制所述MOS管关断时，则获取到的所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态为关断状态。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分析所述电平逻辑参数和控制信息，包括：按照预设逻辑映射，将所述电平逻辑参数映射得到所述MOS管的状态；比对映射得到的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS管的控制状态是否相同。5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述触发保护机制，包括：触发保护电路的短路保护机制，以使所述供电设备整机下电。6.一种以太网供电保护装置，其特征在于，应用于以太网供电，连接在所述供电设备和受电设备之间，所述供电设备通过控制MOS管的导通关断实现受电设备的供断电；所述装置包括：电压检测单元、分析单元、保护单元；其中，所述电压检测单元，用于检测所述MOS管的电平信号；所述分析单元，用于根据所述电平信号，得到对应的电平逻辑参数；获取所述供电设备对所述MOS管的控制信息；分析所述电平逻辑参数和控制信息；当所述电平逻辑参数表征的所述MOS管的状态与所述控制信息表征的所述MOS的控制状态不同时，发出告警并发送触发信号；所述保护单元，用于按照接收到的所述触...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘景文，
申请(专利权)人：锐捷网络股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35