一种三态门电路制造技术

技术编号:20549708 阅读:33 留言:0更新日期:2019-03-09 22:02
本发明专利技术公开了一种三态门电路。一种三态门电路包括第一反相器、第二反相器、第一与非门、第三反相器、第一NMOS管和第二NMOS管。利用本发明专利技术提供的三态门电路可以减少器件,降低芯片面积。

【技术实现步骤摘要】
一种三态门电路
本专利技术涉及集成电路
,尤其涉及到三态门电路。
技术介绍
现有技术三态门所需要的器件多,为了简化电路,设计了一种三态门电路。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足,提供一种元器件少的三态门电路。一种三态门电路,包括第一反相器、第二反相器、第一与非门、第三反相器、第一NMOS管和第二NMOS管:所述第一反相器的输入端接输入端B,输出端接所述第二反相器的输入端和所述第一与非门的一输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第一与非门的一输入端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第一与非门的一输入端接输入端A,另一输入端接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输出端,输出端接所述第三反相器的输入端;所述第三反相器的输入端接所述第一与非门的输出端,输出端接所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端,漏极接电源电压VCC,源极接所述第二NMOS管的漏极并作为三态门电路的输出端OUT;所述第二NMOS管的栅极接所述第三反相器的输出端,漏极接所述第一NMOS管的源极并作为三态门电路的输出端OUT,源极接地。当三态门电路的输入端A为低电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管的栅极为低电平,所述第二NMOS管的栅极为低电平,三态门电路的输出端OUT为高阻态;当三态门电路的输入端A为低电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管的栅极为高电平,所述第二NMOS管的栅极为低电平,三态门电路的输出端OUT为高电平;三态门电路的输入端A为高电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管的栅极为低电平,所述第二NMOS管的栅极为高电平,三态门电路的输出端OUT为低电平;三态门电路的输入端A为高电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管的栅极为高电平,所述第二NMOS管的栅极为低电平,三态门电路的输出端OUT为高电平。附图说明图1为本专利技术的三态门电路的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种三态门电路,如图1所示,包括第一反相器10、第二反相器20、第一与非门30、第三反相器40、第一NMOS管50和第二NMOS管60:所述第一反相器10的输入端接输入端B,输出端接所述第二反相器20的输入端和所述第一与非门30的一输入端;所述第二反相器20的输入端接所述第一反相器10的输出端和所述第一与非门30的一输入端,输出端接所述第一NMOS管50的栅极;所述第一与非门30的一输入端接输入端A,另一输入端接所述第一反相器10的输出端和所述第二反相器20的输出端,输出端接所述第三反相器40的输入端;所述第三反相器40的输入端接所述第一与非门30的输出端,输出端接所述第二NMOS管60的栅极;所述第一NMOS管50的栅极接所述第二反相器20的输出端,漏极接电源电压VCC,源极接所述第二NMOS管60的漏极并作为三态门电路的输出端OUT;所述第二NMOS管60的栅极接所述第三反相器40的输出端,漏极接所述第一NMOS管50的源极并作为三态门电路的输出端OUT,源极接地。当三态门电路的输入端A为低电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管50的栅极为低电平,所述第二NMOS管60的栅极为低电平,三态门电路的输出端OUT为高阻态;当三态门电路的输入端A为低电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管50的栅极为高电平,所述第二NMOS管60的栅极为低电平,三态门电路的输出端OUT为高电平;三态门电路的输入端A为高电平时,输入端B为低电平时,所述第一NMOS管50的栅极为低电平,所述第二NMOS管60的栅极为高电平,三态门电路的输出端OUT为低电平;三态门电路的输入端A为高电平时,输入端B为高电平时,所述第一NMOS管50的栅极为高电平,所述第二NMOS管60的栅极为低电平,三态门电路的输出端OUT为高电平。对上述所提供的实施方式的说明,仅是本专利技术的优选实施方式的说明,对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出,对于本
的技术人员来说,在不脱离本专利技术技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造,应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种三态门电路,其特征在于:包括第一反相器、第二反相器、第一与非门、第三反相器、第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一反相器的输入端接输入端B,输出端接所述第二反相器的输入端和所述第一与非门的一输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第一与非门的一输入端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第一与非门的一输入端接输入端A,另一输入端接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输出端,输出端接所述第三反相器的输入端;所述第三反相器的输入端接所述第一与非门的输出端,输出端接所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端,漏极接电源电压VCC,源极接所述第二NMOS管的漏极并作为三态门电路的输出端OUT;所述第二NMOS管的栅极接所述第三反相器的输出端,漏极接所述第一NMOS管的源极并作为三态门电路的输出端OUT,源极接地。

【技术特征摘要】
1.一种三态门电路,其特征在于:包括第一反相器、第二反相器、第一与非门、第三反相器、第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一反相器的输入端接输入端B,输出端接所述第二反相器的输入端和所述第一与非门的一输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第一与非门的一输入端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第一与非门的一输入端接输入端A,另一输入端接所述第一反相器的输出端和所...

【专利技术属性】
技术研发人员:周宇坤
申请(专利权)人:杭州宽福科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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